基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術，英飛凌推出全新1200V TRENCHSTOP? IGBT7，同時采用最新EmCon 7二極管芯片與之搭配成IGBT開關，帶來功率器件領域的革命性變革。

想先人一步領略新品魅力？敬請蒞臨6月25日舉行的2018 英飛凌功率半導體技術研討會上海站，我們將在下午變頻驅動分會場上進行IGBT7技術特性的首次國內宣講，揭開英飛凌下一代IGBT的神秘面紗。

IGBT7和EmCon7 針對工業電機驅動應用進行芯片優化設計，進一步減少器件穩態損耗，可實現更高功率密度，同時兼顧了芯片的軟特性。此外，過載條件下允許的最高工作結溫將提升至175 °C，實現同等封裝下輸出電流能力增大40%。

突出特性

? 最低的通態壓降Vce(sat)和Vf

? 過載條件下支持175 °C最高虛擬結溫

? 在滿足dv/dt=5kV/us的前提下，優化器件開關損耗

? 滿足8us短路耐受時間

? 續流二極管FWD可靠性增強

客戶收益

? 低損耗滿足系統提高效率的需求

? 優化的設計同時兼顧低損耗與EMI 需求

首發型號

首批推出10A至100A的EasyPIM? 與EasyPACK? 產品

?FP10R12W1T7_B11

?FP25R12W1T7_B11

?FS100R12W2T7_B11

TRENCHSTOP? IGBT7 EASY1B

TRENCHSTOP? IGBT7 EASY2B