進(jìn)入2025年伊始，外資品牌IGBT模塊比如英飛凌，富士等大幅度降價(jià)超過30%來(lái)絞殺國(guó)產(chǎn)功率模塊，面對(duì)外資功率模的瘋狂價(jià)格絞殺，國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊需通過技術(shù)、成本、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同等多維度策略應(yīng)對(duì)這場(chǎng)價(jià)格絞殺戰(zhàn)。以下從市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)背景、國(guó)產(chǎn)SiC模塊的應(yīng)對(duì)策略及未來(lái)展望展開深度分析：

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢(shì)！

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一、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)背景：外資品牌IGBT模塊用價(jià)格戰(zhàn)絞殺國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊的核心邏輯

技術(shù)瓶頸與市場(chǎng)擠壓

IGBT模塊性能天花板顯現(xiàn)：傳統(tǒng)IGBT模塊在開關(guān)頻率、耐高溫、高壓場(chǎng)景下的性能提升空間有限，國(guó)際廠商通過降價(jià)搶占市場(chǎng)以延緩國(guó)產(chǎn)SiC模塊替代進(jìn)程。

國(guó)產(chǎn)SiC模塊威脅加劇：國(guó)產(chǎn)SiC模塊在效率（如損耗降低70%）、功率密度（體積縮減25%）和系統(tǒng)成本（全生命周期成本優(yōu)勢(shì)）上已形成競(jìng)爭(zhēng)力，迫使外資以價(jià)格戰(zhàn)壓制本土企業(yè)比如BASiC基本股份崛起。

價(jià)格戰(zhàn)的雙重目標(biāo)

短期市場(chǎng)爭(zhēng)奪：外資品牌IGBT模塊通過大幅降價(jià)削弱國(guó)產(chǎn)SiC模塊的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，尤其在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等核心領(lǐng)域爭(zhēng)奪客戶。

供應(yīng)鏈重構(gòu)壓力：外資品牌IGBT模塊試圖通過低價(jià)維持其在全球供應(yīng)鏈中的主導(dǎo)地位，延緩中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)步伐。

二、國(guó)產(chǎn)SiC模塊的應(yīng)對(duì)策略

（一）技術(shù)優(yōu)勢(shì)強(qiáng)化：國(guó)產(chǎn)SiC模塊以性能突破對(duì)沖價(jià)格劣勢(shì)

高頻與高溫特性

高頻開關(guān)（40kHz以上）：國(guó)產(chǎn)SiC模塊比如BASiC基本股份支持更高開關(guān)頻率，減少電感、電容等無(wú)源器件體積，系統(tǒng)級(jí)成本可低于外資品牌IGBT模塊 方案。例如，BASiC基本股份的SiC模塊方案在光伏逆變器中總成本已低于外資品牌IGBT模塊方案。

高溫穩(wěn)定性（結(jié)溫175℃）：SiC器件如BASiC基本股份在高溫環(huán)境下導(dǎo)通損耗增幅小，適合儲(chǔ)能變流器、制氫電源等工業(yè)場(chǎng)景，而IGBT在高溫下性能顯著劣化。

技術(shù)創(chuàng)新與專利布局

材料與工藝突破：國(guó)產(chǎn)6英寸襯底良率提升至85%，缺陷密度降至200/cm2，成本較進(jìn)口低40%；8英寸襯底量產(chǎn)加速，進(jìn)一步攤薄成本。

封裝技術(shù)差異化：銅線鍵合+銀燒結(jié)工藝使器件壽命延長(zhǎng)3倍，并通過車規(guī)級(jí)認(rèn)證（如AQG324），提升市場(chǎng)信任度。

（二）成本優(yōu)化：規(guī)模化與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

垂直整合（IDM模式）

國(guó)產(chǎn)廠商（如BASiC基本股份）從晶圓流片、SiC模塊封測(cè)到驅(qū)動(dòng)IC方案配套全鏈條布局，減少中間環(huán)節(jié)加價(jià)，成本較外資進(jìn)口IGBT模塊方案降低30%。

規(guī)模化產(chǎn)能釋放：2025年國(guó)內(nèi)SiC襯底年產(chǎn)能預(yù)計(jì)達(dá)500萬(wàn)片（折合6吋），規(guī)模效應(yīng)顯著降低單位成本。

系統(tǒng)級(jí)成本優(yōu)勢(shì)

初始成本持平甚至更低：國(guó)產(chǎn)SiC模塊單價(jià)相對(duì)同功率應(yīng)用的外資進(jìn)口IGBT模塊持平甚至更低，加上國(guó)產(chǎn)SiC模塊如BASiC基本股份高頻特性可減少被動(dòng)元件用量，散熱系統(tǒng)簡(jiǎn)化，使儲(chǔ)能變流器（PCS）等設(shè)備總成本降低5%以上。

長(zhǎng)期運(yùn)維成本優(yōu)勢(shì)：國(guó)產(chǎn)SiC模塊如BASiC基本股份壽命長(zhǎng)（通過1000次溫度沖擊測(cè)試）、能耗低（效率提升5%-10%），縮短回本周期1-2年。

（三）市場(chǎng)與政策協(xié)同：需求導(dǎo)向與國(guó)產(chǎn)替代

聚焦高增長(zhǎng)領(lǐng)域

新能源汽車：SiC滲透率預(yù)計(jì)2025年達(dá)30%，國(guó)產(chǎn)SiC模塊如BASiC基本股份已在國(guó)內(nèi)主流車企實(shí)現(xiàn)定點(diǎn)，替代進(jìn)口IGBT模塊方案。

光伏與儲(chǔ)能：SiC逆變器效率提升至99%，儲(chǔ)能系統(tǒng)功率密度增加25%，契合國(guó)內(nèi)光伏裝機(jī)量全球占比超80%的需求。

政策紅利與國(guó)產(chǎn)替代窗口

國(guó)家政策（如《碳化硅功率器件測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)》）推動(dòng)國(guó)產(chǎn)優(yōu)先采購(gòu)，2023年國(guó)產(chǎn)SiC器件比如如BASiC基本股份在《汽車芯片推薦目錄》中占比達(dá)35%。

地方政府通過“鏈長(zhǎng)制”打造產(chǎn)業(yè)集群（如深圳基本SiC晶圓流片、無(wú)錫基本SiC模塊封測(cè)），加速產(chǎn)業(yè)鏈閉環(huán)形成。比如BASiC基本股份自2017年開始布局車規(guī)級(jí)SiC碳化硅器件研發(fā)和制造，逐步建立起規(guī)范嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管理體系，將質(zhì)量管理貫穿至設(shè)計(jì)、開發(fā)到客戶服務(wù)的各業(yè)務(wù)過程中，保障產(chǎn)品與服務(wù)質(zhì)量。BASiC基本股份分別在深圳、無(wú)錫投產(chǎn)車規(guī)級(jí)SiC碳化硅（深圳基本半導(dǎo)體）芯片產(chǎn)線和汽車級(jí)SiC碳化硅功率模塊（無(wú)錫基本半導(dǎo)體）專用產(chǎn)線；BASiC基本股份自主研發(fā)的汽車級(jí)SiC碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個(gè)車型定點(diǎn)，是國(guó)內(nèi)第一批SiC碳化硅模塊（比如BASiC基本股份）量產(chǎn)上車的頭部企業(yè)。

三、未來(lái)挑戰(zhàn)與戰(zhàn)略建議

（一）短期挑戰(zhàn)

盈利壓力：SiC產(chǎn)能釋放導(dǎo)致價(jià)格戰(zhàn)激化，需加速良率提升與成本控制。

技術(shù)適配門檻：SiC驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，需配套專用驅(qū)動(dòng)芯片，廠商需提供模塊化方案降低客戶切換成本。

BASiC基本股份針對(duì)SiC碳化硅MOSFET多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門極驅(qū)動(dòng)芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。BASiC基本股份的門極驅(qū)動(dòng)芯片包括隔離驅(qū)動(dòng)芯片和低邊驅(qū)動(dòng)芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V，驅(qū)動(dòng)峰值電流高達(dá)正負(fù)15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動(dòng)需求。

BASiC基本股份低邊驅(qū)動(dòng)芯片可以廣泛應(yīng)用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領(lǐng)域的低邊功率器件的驅(qū)動(dòng)或在變壓器隔離驅(qū)動(dòng)中用于驅(qū)動(dòng)變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級(jí)到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開關(guān)電源芯片BTP1521P,BTP1521F，該芯片集成上電軟啟動(dòng)功能、過溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。芯片工作頻率通過OSC 腳設(shè)定，最高工作頻率可達(dá)1.5MHz，非常適合給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。

對(duì)SiC碳化硅MOSFET單管及模塊+18V/-4V驅(qū)動(dòng)電壓的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521P系列和配套的變壓器以及驅(qū)動(dòng)IC BTL27524或者隔離驅(qū)動(dòng)BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

（二）長(zhǎng)期戰(zhàn)略

技術(shù)迭代與專利突圍

加速M(fèi)OSFET底層工藝、12英寸碳化硅晶圓等技術(shù)突破，鞏固性能優(yōu)勢(shì)。

加強(qiáng)專利布局，2023年國(guó)內(nèi)SiC專利授權(quán)量增長(zhǎng)58%，需在器件結(jié)構(gòu)、底層工藝等關(guān)鍵領(lǐng)域形成壁壘。

生態(tài)合作與全球化布局

聯(lián)合車企、光伏企業(yè)構(gòu)建“設(shè)計(jì)-制造-應(yīng)用”閉環(huán)，例如BASiC基本股份與20家整車廠合作形成生態(tài)鏈。

拓展海外市場(chǎng)，利用國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)2025年占全球60%以上參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)，打破外資定價(jià)權(quán)。

結(jié)論

國(guó)產(chǎn)SiC模塊比如BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)應(yīng)對(duì)2025年外資品牌IGBT模塊價(jià)格絞殺戰(zhàn)的核心邏輯在于：以技術(shù)性能優(yōu)勢(shì)對(duì)沖降價(jià)壓力，以規(guī)模化與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)勢(shì)，以政策與市場(chǎng)需求共振鞏固市場(chǎng)地位。隨著8英寸襯底量產(chǎn)、車規(guī)級(jí)滲透率提升，國(guó)產(chǎn)SiC模塊比如BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)有望在價(jià)格戰(zhàn)后期憑借性價(jià)比優(yōu)勢(shì)反超，推動(dòng)全球電力電子產(chǎn)業(yè)格局重構(gòu)。未來(lái)需重點(diǎn)關(guān)注技術(shù)迭代速度、產(chǎn)能利用率及新興市場(chǎng)（如智能電網(wǎng)、低空經(jīng)濟(jì)）的拓展能力。

審核編輯 黃宇