SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統經濟性以及應用場景適配性等方面的綜合優勢，使其成為電力電子應用中的首選，推動了IGBT模塊向SiC模塊的升級趨勢。國產SiC模塊（如BASiC基本股份）在成本上逐漸與進口IGBT模塊持平。這推動了國產SiC模塊在國內市場的廣泛應用，加速了對進口IGBT模塊的替代進程。

通過優化驅動電壓和電路設計，可以充分發揮SiC模塊的優勢，同時避免因驅動問題導致的性能下降或可靠性問題。

傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業自主可控和產業升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)特色芯片BTP1521P為碳化硅MOSFET正負驅動電壓（如典型應用中的+18V和-4V）提供解決方案

1. 高頻性能優勢

最高工作頻率1.3MHz：BTP1521P支持可編程工作頻率，最高可達1.3MHz，完美適配碳化硅（SiC）MOSFET的高頻開關需求。高頻驅動可顯著降低開關損耗，提升系統效率，尤其適用于充電樁、光伏逆變器等高頻應用場景。

頻率靈活設定：通過OSC腳外接電阻（如R=62kΩ時典型頻率330kHz），用戶可根據實際需求調整工作頻率，優化EMI表現和效率平衡。

2. 穩定的正負電壓生成能力

全橋/推挽拓撲支持：BTP1521P可直接驅動變壓器原邊，通過副邊全橋整流生成正負電壓（如典型應用中的+18V和-4V）。其輸出功率達6W，可滿足多通道隔離驅動芯片的供電需求（如BTD5350MCWR）。

擴展功率能力：當副邊功率需求超過6W時，BTP1521P支持外接MOSFET組成推挽拓撲，進一步擴展輸出能力，確保大功率場景下的電壓穩定性。

3. 關鍵保護功能增強可靠性

軟啟動（1.5ms）：通過逐步提升占空比，避免啟動時的電流沖擊，保護SiC MOSFET和驅動電路免受瞬態應力損害。

過溫保護（160℃觸發，120℃恢復）：在高溫環境下自動限流或關斷，防止芯片過熱失效，提升系統可靠性。

VCC欠壓保護（4.7V閾值）：確保供電異常時及時關斷，避免驅動電壓不足導致的SiC MOSFET誤動作。

4. 緊湊設計與高集成度

SOP-8封裝：體積小巧，適合高密度PCB布局，減少寄生參數影響，優化高頻性能。

集成功能模塊：內置軟啟動、頻率設置、過溫保護等功能，減少外圍電路復雜度，降低設計成本。

5. 實際應用驗證

儲能變流器PCS模塊中的應用：在125kW儲能變流器PCS中，BTP1521P配合隔離變壓器（如TR-P15DS23-EE13）和驅動芯片（如BTD5350MCWR），成功實現正負電壓的穩定輸出，支持SiC MOSFET模塊高效開關。

效率與溫升表現：實測數據顯示，搭配BTP1521P的系統在重載下效率達96%以上，且溫升與競品相當，驗證了其熱管理能力。

6. 對比優勢

優于傳統反激方案：BTP1521P的正激拓撲相比反激方案具有更低電壓應力，適合高壓場景。

高頻與低損耗：相比普通DCDC芯片，其高頻能力與低導通損耗（RoH/RoL=0.75Ω）顯著降低驅動級功耗，提升整體效率。

總結

BTP1521P憑借高頻性能、穩定的正負電壓生成、多重保護機制及緊湊設計，成為碳化硅MOSFET驅動電源的理想選擇。其在高效率、高可靠性及靈活擴展性方面的表現，尤其適用于新能源、工業電源等高要求領域。

審核編輯 黃宇