9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 3D NAND仍然是其主要閃存產品。 SK Hynix 早在6月宣布其128L 3D NAND已從開發轉向批量生產，現在已被整合到SSD和UFS模塊中，并已向主要客戶提供樣品。 SK Hynix
2019-11-25 17:21:555462 Kioxia（原東芝存儲），西部數據（WD）聯盟3D NAND閃存使用三星電子技術進行批量生產。 東芝開發的3D NAND技術 BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會
2019-12-13 10:46:0711441 面對儲存型閃存（NAND Flash）供貨緊縮，以及二維（2D）NAND Flash將于10納米制程面臨微縮瓶頸，東芝（Toshiba）已于近期宣布將于2013年8月底展開五號半導體制造工廠（Fab
2013-07-08 09:46:13814 包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產線進行轉換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15775 三星已經連續推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態硬盤產品，2015年8月正式量產首款可應用于固態硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:436006 目前3D NAND僅由三星電子獨家量產。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發出3D NAND 芯片，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0640846 
傳三星電子平澤廠（Pyeongtaek）將提前投產，SK海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）、美光（Micron）產能也將于明年下半全面開出，屆時3D NAND可能會從供不應求、呈現供給過剩的狀況。
2016-10-10 14:08:471838 
蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 根據外資的報告指出，NAND Flash 的產能問題，2017 年三星、美光、東芝/西數、SK Hynix 都會在下半年量產 64 層，以及 72 層堆棧的 3D NAND Flash 的情況下，原本預計產能會有大幅度提升。
2017-05-24 10:39:121258 電子發燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規模量產64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 我們將會介紹SSD市場的一些最新發展，如日益普及的3D NAND和存儲器單元的堆疊技術。3D NAND緊跟三星之后，慢慢地肯定有更多的制造商使用3D NAND閃存。 利用這種技術，使存儲單元被垂直堆疊
2017-11-17 14:30:57
，既有超強的性能，同時兼顧了低功耗的設計，外加強大的3D性能及視頻處理能力，將成為三星高端市場的主力處理器。S5P6818 核心板尺寸為標配了1GB DDR3內存、8GB EMMC存儲并配備有三星電源
2017-06-29 09:30:45
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND技術資料：器件結構及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
128GB容量。并且帶來的成本優勢開始減弱，16nm制程后，繼續采用2D 微縮工藝的難度和成本已超過3D技術，因此3D NAND開始成為主流。比如旺宏也計劃跟進在2020年下半年實現48層128Mb的19nm
2020-11-19 09:09:58
市場份MAX3232EUE+T額超過20%，排名第三。韓國三星排名第一，份額是42.5%。日本東芝排名第二，份額是24.7%。韓國SK Hynix Semiconductor排名第四，份額
2012-09-24 17:03:43
大家好！小金子為各位介紹一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。這款JSHU271G08SCN-25型號的規格書與SK海力士和Spansion進行了對比，驚訝的發現竟然完全一樣。唯一
2018-01-10 09:55:21
（Frame sequential）功能的3D顯示器應該只有三星一家。 說到這里，筆者最近正在測試三星的23吋SA950系列3D顯示器，并且親自體驗了一把接藍光播放機的原生3D效果，可以說非常的震撼，甚至在
2011-08-20 14:30:01
的算法提供舒適的視聽環境。三星note8手機殼的一石二鳥功能 這款手機殼除了令人驚訝的3D顯示屏功能，當您想要觀看3D立體圖像時，可以直接當作3D屏幕來使用外，在正常使用情況下，它可以用作一般的手機
2017-11-27 12:00:18
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數據、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業大咖，與行業人士共同探討3D NAND技術的發展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優勢
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導體新工廠已正式投產。該工廠采用最尖端的3D技術，生產用于服務器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術）設備生產基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
的商機仍然暢旺，在供給端僅有三星、SK海力士、美光，加上新技術量產困難，在這些現實下，2019年對存儲器廠商而言仍會是個豐收的年度。如果要考慮供過于求的變量，可能是第二代10nm等級的DRAM技術
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產品和服務信息，但三星并未透露產品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
了第一個障礙，但第二個難題是要尋找符合標準的制造商。解決了這個問題之后，那么在未來幾年，三星可折疊產品的價格可能會逐漸下降。據悉，三星有望在今年下半年再發布兩款可折疊產品，可能有很大概率會采用新專利，包括
2020-05-23 09:31:29
的市場份額接近40%。 就市場情況而言，目前可以生產eMMC型號閃存的廠商很多，但能夠生產UFS卻只有三星、東芝、SK海力士三家，而在具體的量產能力上，三星比起其他兩家公司來說更勝一籌。 在主流的高端手機
2019-04-24 17:17:53
ofweek電子工程網訊 10月31日，三星電子宣布了兩件“喜事”，其一，三星電子宣布了最新高管理層人員名單；其二，三星電子今年第三季度營收再創新高。三星這次“內部大換血”更加印證了此前其公司內部
2017-11-01 15:56:56
三星貼片電阻的卷帶上的標簽上有個P M2，在條碼的旁邊有時候是PM3或S之類的，哪位大蝦告訴我下，那是什么意思啊？
2012-07-28 16:37:17
的BCH8 ECC。 uboot 和kernel dts里面都是BCH8。工作正常。現在要換成三星的K9K8G08U0E我看了下芯片手冊，發現page/block/sub-page size之類的都是
2018-06-21 07:09:15
！ 那么今年China Joy MM們最關注的是什么呢？當然是核心話題“3D”啦，本次展會最大的顯示器贊助商三星提供了800多臺顯示器在整個展會，其中3D顯示器體驗區是最吸引China Joy MM們的地區，下面就來看一下三星3D顯示器與China Joy MM們的故事吧！
2011-08-03 15:20:00
步伐。據韓媒Kinews等報導，三星2018年下半原計劃對DRAM及NAND Flash進行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對現有產線進行補強投資，期望獲利維持一定水平。同時，另一家半導體大廠
2018-10-12 14:46:09
NAND Flash大廠改用電荷擷取閃存(Charge Trap Flash；CTF)技術，但目前僅止于研發階段。此外，3D Flash技術也是未來的趨勢之一。而東芝和三星都趨之若鶩
2022-01-22 08:05:39
6工廠，于2018年9月正式落成，主要是量產最新研發的96層3D NAND，這次西部數據宣布延后導入新設備，應是第二期設備，第一期已于落成時導入。不過，這次西部數據宣布四日市工廠將減少投入晶圓，可能是
2022-02-01 23:19:53
S3F94C4EZZ-SK94三星單片機，誰可以幫我寫下程序 可以電話聯系***QQ：2454159515，重謝
2015-07-24 15:59:07
SK海力士雖然并未有擴產消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術取得顯著進展。其中，美光最新的176層3D NAND已經在新加坡工廠量產，將在2021年推出基于該技術的新產品，SK
2022-01-26 08:35:58
$ `# J蘇寧的銷售員馬躍輝表示，“沒有想到五一短短的3天會有如此大的需求，很多賣場三星3D電視的供貨已經跟不上銷售，一些客人只能訂購”。由于其他廠商沒有實質性的3D電視銷售，唯一實現3D電視銷售的三星電子
2010-05-06 14:24:28
爆炸案似乎現今也對三星電子影響甚微，三星方面還表示要在本月23日舉行Note7爆炸調查新聞發布會，似乎要在今年一并作氣、重振旗鼓。而媒體方面則表示，作為一家能影響韓國經濟的走勢公司，三星電子不會把公司
2017-01-20 11:09:50
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2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
第一幅圖是加了.step文件后的樣子。第二幅圖是加載這個自建庫后的pcb預覽。在沒加3D元件時。自定義庫是可以用，可預覽的。加了3D元件后，工程文件使用了后預覽并沒有顯示出3D的形式。這是怎么回事
2019-09-04 04:36:03
,LPDDR,GDDR.品牌：Micron,Samsung,SK Hynix,Nanya,Winbond.2. 閃存IC : Nand Flash,Nor Flash,Emmc,UFS,MCP.品牌
2019-09-27 17:34:40
例如攝影機拍攝3張圖，利用第一張和第三張構建出3D結構，測試第二張圖中的特征距離該3D模型中心的距離！
2014-10-08 22:21:02
對DRAM芯片的強勁需求將繼續超過供應，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會投產；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續第六季超過供應。供蘋果新手機使用的有機發光二極體（OLED）面板的銷售增長，也支撐了第四季獲利創紀錄新高的預期。
2017-10-13 16:56:04
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
`對于“全球存儲器三強”的三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron），恐即將受到中國大陸的反壟斷制裁？日前消息傳出后，引發各界高度關注
2018-11-22 14:49:22
手機進水了怎么辦？三星手機
2013-05-13 17:34:01
2018年上半進入96層的技術規格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產
2018-12-24 14:28:00
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊說有Unique ID可以用，但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區域，可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
優勢，或許，未來將有更多的玩家參與其中。存儲產品的3D時代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產和研發中來，存儲產品也開始走向了3D時代。在這些廠商發展3D閃存的過程當中，也
2020-03-19 14:04:57
三星宣布開始量產兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司
2009-12-02 08:59:23533 Hynix宣布已成功開發出26nm制程NAND閃存芯片產品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發出基于32nm制程的NAND閃存芯片產品，并于去年8月份開始量產這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%
2017-04-11 08:30:054095 據報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:11991 市場調查機構DRAMeXchange周五發布的調查結果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11633 現在，西數全球首發了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40709 Hynix NAND flash型號指南
2017-10-24 14:09:29
25 武漢建設NAND工廠，預計今年內量產，據悉國產NAND閃存是32層堆棧的，是1000多名研究人員耗時2年、耗資10億美元研發的。
2018-05-16 10:06:003750 在SK Hynix的72層（72L） TLC NAND快閃存儲器中，所謂的P-BiCS （Pipe-shaped Bit Cost Scalable）單元，是利用管線式（pipe）閘極連結每一個
2018-06-21 12:23:002150 
西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業氣體供應商空氣產品公司將助力三星生產的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271030 層數的增加也就意味著對工藝、材料的要求會提高，要想達到140層堆疊就必須使用新的基礎材料。而且在堆疊層數增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4847895 美光、三星釋放信號僅是個開端，SK海力士、Intel、東芝、西數/閃迪等都表態在幾年內將持續擴充閃存產能，為跨入96層、甚至更高層數而加大投入力度。可見，3D NAND閃存已經成為國際存儲器廠商間的“主戰場”。
2018-07-17 10:34:084865 
三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數據寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經大規模量產64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167 ，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規模量產了。
2018-08-03 16:15:031188 SK海力士在清州建設M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導地位。
2018-09-07 16:59:043195 市場。SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數從36層起步，不過真正量產的是48層堆棧的3D NAND閃存，MLC類型的容量128Gb，TLC類型的也可以做到256Gb容量。?Intel/美光：容量
2018-10-08 15:52:39395 6月15日，三星電子宣布已經開始量產第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產效率將提高30%以上。東芝/西部數據、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115 記憶體的3D NAND flash大戰即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發出3D NAND，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:47991 忠清南道的清州市，投資額高達15萬億韓元，主要生產3D NAND閃存，初期將生產現在的72層堆棧3D NAND，不過明年初就會轉向96層堆棧的3D NAND閃存。
2018-12-22 11:09:233925 繼2015年Samsung推出32層堆層的3D V-NAND之后，2016年市場便很熱鬧，除了SK Hynix推出了36層的3D NAND V2、Micron/Intel也推出了32層的3D NAND，而Toshiba/ SanDisk甚至進一步推出了48層的產品。
2019-01-28 11:21:2711795 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數等公司中，國內主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存，小批量量產了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產64層堆棧的3D閃存，產能將會積極擴張。
2019-05-16 10:18:143302 SK Hynix的QLC閃存整體性能令人印象深刻。
2019-05-16 15:01:083092 現在，長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華接受采訪時表示，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:002263 三星是NAND閃存市場最強大的廠商，在3D NAND閃存上也是一路領先，他們最早在2013年就開始量產3D NAND閃存了。在3D NAND路線上，三星也研究過多種方案，最終量產的是VG垂直柵極結構
2019-09-04 09:17:135973 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 美光宣布，已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:32791 固態硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產3D NAND閃存的，也是目前技術最強的，已經發展了三代V-NAND閃存，堆棧層數達到了48層。
2019-12-22 11:19:011073 在CES展會上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質還是3D閃存，4D只是商業名稱），已經用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個量產128層堆棧閃存的，預計三星、西數、東西都會在今年跟進100多層的閃存。
2020-01-08 08:47:302953 在CES展會上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質還是3D閃存，4D只是商業名稱），已經用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個量產128層堆棧閃存的，預計三星、西數、東西都會在今年跟進100多層的閃存。
2020-01-08 10:34:135022 在CES展會上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質還是3D閃存，4D只是商業名稱），已經用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個量產128層堆棧閃存的，預計三星、西數、東西都會在今年跟進100多層的閃存。
2020-01-10 14:23:27640 據了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01473 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 的應用效能。 據了解，176層3D NAND閃存是美光第二代替換閘（Replacement Gate）架構，是目前全球技術最為先進的NAND節點，相較于前代3D NAND相比，美光176層3D NAND閃存
2020-11-12 16:02:552599 繼美光后，SK海力士宣布完成了業內首款多堆棧176層4D閃存的研發，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:091666 據報道，SK hynix日前發布了其最新一代的3D NAND。據介紹，新產品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產品發貨之后，SK hynix是第二家達到這一層數的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122028 層3D NAND；長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉眼來到2020年末，美光和SK海力士相繼發布了176層3D NAND。這也是唯二進入176層的存儲廠商。不得不說，存儲之戰沒有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:373659 日本芯片制造商Kioxia開發了大約170層的NAND閃存，加入了與美國同行Micron Technology和韓國的SK Hynix的競賽。
2021-02-20 11:10:002580 在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業，從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:216521 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:291744 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281
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