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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>GlobalFoundries拋棄三星和意法半導(dǎo)體在第二代FD-SOI技術(shù)上達(dá)成合作

GlobalFoundries拋棄三星和意法半導(dǎo)體在第二代FD-SOI技術(shù)上達(dá)成合作

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2016-04-18 10:16:033179

三星半導(dǎo)體高層揭露晶圓代工技術(shù)藍(lán)圖

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2016-04-26 11:09:151199

Globalfoundries下一代FD-SOI制程正在研發(fā)

Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton透露,其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市,而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
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格芯CEO:FD-SOI是中國需要的技術(shù)

5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來越高的要求。此時(shí),FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)日漸凸顯,人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
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5G相關(guān)核心產(chǎn)業(yè)鏈有哪些?

化合物半導(dǎo)體通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表,相比第一半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多,制造成本更為高昂,可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
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FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)

FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)技術(shù)是一種新的工藝技術(shù),有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片,相同的選件和金屬層條件下,FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26

三星半導(dǎo)體發(fā)展史 精選資料分享

本文摘自《手機(jī)風(fēng)暴》(Mobile Unleashed),文章詳細(xì)介紹了三星半導(dǎo)體的歷史。原文詳見:https://www.semiwiki.com/forum/content
2021-07-28 07:32:28

三星半導(dǎo)體發(fā)展面臨巨大挑戰(zhàn)

支MAX3232EUE+T出較前一年增加,前5大半導(dǎo)體廠的資本支出分別為三星電子131億美元、英特爾112億美元、臺(tái)積電約83億K1667美元、海力士約37億美元、GlobalFoundries約31
2012-09-21 16:53:46

三星位于西安的半導(dǎo)體工廠正式投產(chǎn)

韓國三星電子日前宣布,位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù),生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存(V-NAND)。三星電子希望IT(信息技術(shù))設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
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三星電子日本新設(shè)半導(dǎo)體研發(fā)中心,聚焦系統(tǒng)LSI芯片業(yè)務(wù)

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半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)簽署LDMOS技術(shù)許可合作協(xié)議

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合作伙伴】ST半導(dǎo)體--科技引領(lǐng)智能生活

ST半導(dǎo)體半導(dǎo)體擁有48,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者,掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM),半導(dǎo)體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34

【新聞】半導(dǎo)體技術(shù)助力Neonode為任意物品、表面或空間增加觸控交互功能

的FingerSense技術(shù)半導(dǎo)體(ST)發(fā)布世界領(lǐng)先的防水壓力傳感器,首張訂單來自三星高性能穿戴式產(chǎn)品半導(dǎo)體(ST)聯(lián)手訊飛開放平臺(tái)提供中文語音識(shí)別
2018-02-06 15:44:03

中國第二代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)發(fā)展到了什么程度?

第二代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)與第一導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)體制上的差別主要是:第二代用戶機(jī)可免發(fā)上行信號(hào),不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶提供高程信息,而是直接接收衛(wèi)星單程測(cè)距信號(hào)自己定位,系統(tǒng)的用戶容量不受限制,并可提高用戶位置隱蔽性。
2019-08-14 07:06:41

借力FD-SOI 三星eMRAM進(jìn)駐MCU早有計(jì)劃

半導(dǎo)體為代表的歐洲半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)和公司相繼迎來技術(shù)突破,快速發(fā)展,為MRAM的商業(yè)化應(yīng)用埋下了伏筆。 2014年,三星半導(dǎo)體簽訂28nm FD-SOI技術(shù)多資源制造全方位合作協(xié)議,授權(quán)三星芯片
2023-03-21 15:03:00

光寶科技與半導(dǎo)體合作推出針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)超低功耗的 Sigfox 認(rèn)證模塊

: STM )的射頻和微控制器技術(shù)。 光寶通訊模塊( ICM )事業(yè)部總經(jīng)理吳松泉表示:“半導(dǎo)體合作開發(fā)的項(xiàng)目過程中,光寶看到了 Sigfox 應(yīng)用的強(qiáng)勁成長(zhǎng)勢(shì)頭。 我們相信,光寶的Sigfox
2018-07-13 11:59:12

出門問問最新智能手表TicWatch Pro搭載半導(dǎo)體NFC技術(shù),提升用戶非接觸式支付體驗(yàn)

和公交地鐵票務(wù)。出門問問一直將改善用戶體驗(yàn)、提高操作便利性放在首要位置。其TicWatch Pro系列旗艦智能手表集成了半導(dǎo)體ST21NFCDNFC控制器,通過ST 獨(dú)有的NFC技術(shù),可確保維持高射
2018-07-13 13:06:48

基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用?

基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)?基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用?
2021-06-26 07:14:03

堯遠(yuǎn)通信科技選用賽肯通信和半導(dǎo)體合作開發(fā)的CLOE IoT平臺(tái)為全球市場(chǎng)開發(fā)追蹤設(shè)備

(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)今天宣布,中國物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品及集成解決方案提供商上海堯遠(yuǎn)通信科技有限公司選用賽肯通信和半導(dǎo)體合作開發(fā)的CLOE物聯(lián)網(wǎng)追蹤器平臺(tái),為北美、日本和中國市場(chǎng)開發(fā)
2018-02-28 11:41:49

開啟萬物智能:半導(dǎo)體攜最新的解決方案和生態(tài)系統(tǒng)產(chǎn)品亮相2018年世界移動(dòng)大會(huì)-上海

變成復(fù)雜的科技中心。憑借廣泛的產(chǎn)品組合和解決方案、領(lǐng)先的技術(shù)以及多年來與汽車供應(yīng)商建立良好合作伙伴關(guān)系,半導(dǎo)體躋身智能駕駛市場(chǎng)前列,為駕駛員和乘客提供更安全、更環(huán)保、更智聯(lián)的駕駛體驗(yàn)。智能駕駛方面
2018-06-28 10:59:23

性能超ARM A76!國產(chǎn)第二代“香山”RISC-V開源處理器最快6月流片

據(jù)開芯院首席科學(xué)家包云崗介紹,第二代“香山”于2022年6月啟動(dòng)工程優(yōu)化,同年9月研制完畢,計(jì)劃2023年6月流片,性能超過2018年ARM發(fā)布的Cortex-A76,主頻2GHz@14nm
2023-05-28 08:41:37

想用第二代電流傳輸器或者OTA做濾波器用,請(qǐng)問由原理圖怎么生成電路符號(hào)呢?

我想用第二代電流傳輸器或者OTA做濾波器用,它們兩個(gè)怎么將原理圖封裝為電路符號(hào),用什么軟件?
2018-07-04 09:25:02

求分享USB3.1第二代應(yīng)用的ESD解決方案

求分享USB3.1第二代應(yīng)用的ESD解決方案
2022-01-14 07:35:38

淺析化合物半導(dǎo)體技術(shù)

一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊,市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大  化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料,目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等,作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表,因其高功率
2019-06-13 04:20:24

深圳半導(dǎo)體招聘molding工程師

大家好,首次發(fā)帖。本人為半導(dǎo)體工程師,因?yàn)橄旅嬉粋€(gè)molding工程師要辭職,繼續(xù)補(bǔ)充新鮮血液。要求:一.熟悉molding制程,需特別熟悉molding compound的性能為佳。.2年
2012-02-15 11:42:53

用于高密度和高效率電源設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體WBG解決方案

? 上市周期短(距第3不到2年)半導(dǎo)體溝槽技術(shù):長(zhǎng)期方法? 半導(dǎo)體保持并鞏固了領(lǐng)先地位? 相比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的重大工藝改良? 優(yōu)化和完善的關(guān)鍵步驟
2023-09-08 06:33:00

白皮書 | 第二代ClearClock?次泛音晶體振蕩器

白皮書 第二代ClearClock?次泛音晶體振蕩器 在這份全新的白皮書中,我們討論了最新一超低抖動(dòng)次泛音晶體振蕩器的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)、性能和特性,這些振蕩器旨在為各種高速應(yīng)用提供穩(wěn)定準(zhǔn)確的時(shí)鐘信號(hào)
2023-09-13 09:51:52

簡(jiǎn)單便捷、開箱即用的IoT連接方案——半導(dǎo)體STM32蜂窩-云端探索套件經(jīng)銷商到貨

專利和商標(biāo)局注冊(cè)。相關(guān)新聞半導(dǎo)體的新STM32探索套件簡(jiǎn)化移動(dòng)網(wǎng)至云端連接,并提供免費(fèi)試用的第方服務(wù)半導(dǎo)體(ST)新系列STM32L4+微控制器讓下一智能產(chǎn)品“吃得少,干得多”半導(dǎo)體
2018-07-09 10:17:50

網(wǎng)上關(guān)于Nexus7第二代的評(píng)測(cè)

(Retina)面板的iPad mini,這應(yīng)該是今年季度平板電腦銷量環(huán)比有所下滑的成因之一。然而從多方渠道的消息來看,蘋果并沒有準(zhǔn)備第二代 iPad mini上實(shí)現(xiàn)全高清化顯示,不免讓人有點(diǎn)失望。或許
2013-08-12 17:22:08

能否提供ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線?

尊敬的先生/女士,您能否提供步驟和可能的圖表,以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線?提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08

講一下半導(dǎo)體官方的庫怎么搞

半導(dǎo)體官方的庫怎么搞?求解答
2021-12-15 07:31:43

22nm后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域 平面型FD-SOI元件與基于立體

22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559

FD-SOI元件與FinFET接近實(shí)用化的不斷發(fā)布

22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508

意法半導(dǎo)體(ST)與Soitec攜手CMP提供28納米FD-SOI CMOS制程

意法半導(dǎo)體(ST)、Soitec與CMP(Circuits Multi Projets)攜手宣佈,大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過CMP的硅中介服務(wù)採用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,
2012-10-25 09:42:501201

看好28奈米FD-SOI技術(shù) 意法借力成該技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者

日前,意法半導(dǎo)體(ST)宣布位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù),這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:27793

華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存開始量產(chǎn)

近日華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)已經(jīng)宣布量產(chǎn),是在第一代的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前,90nm G2 eFlash已實(shí)現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn),標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461205

意法半導(dǎo)體公司選擇格芯22FDX?提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力

據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力,格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:425975

FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完善 與FinFET勢(shì)均力敵

在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展方面,三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示,三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個(gè)方向,FD-SOI平臺(tái)路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703

FD-SOI技術(shù)有何優(yōu)勢(shì)?還是物聯(lián)網(wǎng)的理想解決方案?

物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù),除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程,以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn),各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368

三星預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片

晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單,其中有超過十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565

格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM

格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖,從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上,專為未來的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:002394

盤點(diǎn)FD-SOI工藝現(xiàn)狀和路線圖

FD-SOI正獲得越來越多的市場(chǎng)關(guān)注。在5月份的晶圓代工論壇上,三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603

Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)

Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng),滿足當(dāng)下及未來消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求,確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00495

Soitec 2019上半年財(cái)報(bào)強(qiáng)勁增長(zhǎng) FD-SOI技術(shù)迎來發(fā)展的春天

隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注,Soitec的業(yè)務(wù)也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展,從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777

FD-SOI與深度耗盡溝道DDC MOS器件的詳細(xì)資料介紹

當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí),提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012

各企業(yè)積極投入FD-SOI元件開發(fā) 看好后續(xù)市場(chǎng)發(fā)展

為求低功耗、高能效及高性價(jià)比之元件,市場(chǎng)逐漸開發(fā)出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結(jié)構(gòu);而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心,透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式,進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu),取代線寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245

云天勵(lì)飛、Blink現(xiàn)身說法談FD-SOI優(yōu)勢(shì)

事實(shí)勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢(shì)相比,本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢(shì),其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:453340

高級(jí)工藝未來分化,FD-SOI受益

長(zhǎng)期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢(shì)的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講,并對(duì)FD-SOI未來走勢(shì)做出預(yù)測(cè)。
2019-08-06 16:25:003554

FD-SOI爆發(fā)的唯一短板是IP?

FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273

Globalfoundries提供eMRAM 計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)流片

Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術(shù),該公司正在與幾個(gè)客戶合作,計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)流片。
2020-03-03 15:10:302185

FD-SOI應(yīng)用 從5G、物聯(lián)網(wǎng)到汽車

FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”,Soitec
2020-07-07 16:04:043335

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出FPGA產(chǎn)品加強(qiáng)邊緣AI能力

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品,包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719

三星半導(dǎo)體與芯馳科技達(dá)成車規(guī)芯片戰(zhàn)略合作

三星半導(dǎo)體與芯馳科技聯(lián)合宣布,雙方達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系,加強(qiáng)在車規(guī)芯片領(lǐng)域的深度合作。為進(jìn)一步推動(dòng)車規(guī)半導(dǎo)體的系統(tǒng)集成和適配項(xiàng)目,芯馳科技將在全場(chǎng)景車規(guī)芯片的參考方案開發(fā)中引入三星半導(dǎo)體的高性能存儲(chǔ)芯片,共同推進(jìn)雙方在車載領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與突破。
2023-08-03 17:29:15680

第八屆上海FD-SOI論壇成功舉行 芯原FD-SOI IP迅速成長(zhǎng)賦能產(chǎn)業(yè)

于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年,2023年主辦方重啟再次主辦,第八屆FD-SOI論壇,邀請(qǐng)到國內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化,FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化? ? 半導(dǎo)體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:041069

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195

三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”!

近期,科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策:將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:14321

FD-SOI與PD-SOI他們的區(qū)別在哪?

本文簡(jiǎn)單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI
2024-03-17 10:10:36193

意法半導(dǎo)體攜手三星推出18nm FD-SOI工藝,支持嵌入式相變存儲(chǔ)器

據(jù)悉,FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù),能夠通過簡(jiǎn)化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制,相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù),新工藝大幅度提高了性能指標(biāo):能效提升 50%,數(shù)字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369

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