半導體產業是現代工業的核心和基礎，一直以來，我國電子信息產品制造業規模大，但基礎弱，“缺芯少核”現象比較突出，半導體材料與核心器件長期受制于人。

為解決這一高質量發展瓶頸，近日，由東莞多家行業企業、新型研發機構及國內行業領軍單位組建的廣東省“寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創新中心”正式在松山湖成立。這也是廣東省首個第三代半導體制造業創新中心。

多家企業單位聯手組建

廣東省“寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創新中心”由易事特集團股份有限公司牽頭聯合東莞市天域半導體科技有限公司、東莞市中鎵半導體科技有限公司、東莞南方半導體科技有限公司、工業和信息化部電子第五研究所、華南理工大學，北京大學(東莞)光電研究院、廣東省半導體產業技術研究院組建。

創新中心成立后，將依托國家第三代半導體南方基地建設承擔單位——東莞南方半導體科技公司為平臺。據了解，該平臺由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導、易事特、中鎵半導體、天域半導體、松山湖控股集團、廣東風華高科股份有限公司6家行業內知名企業共同出資發起設立。

根據中國半導體行業協會統計，2016年，中國功率半導體市場規模達1496.1億元，占全球的55%。但長期以來，由于創新鏈的各個環節銜接不暢，創新主體分散，形成行業“技術孤島”、“資源分散”、“上下游脫節”、原始創新能力不足，嚴重依賴國際技術路徑和產品的局面。

從全球范圍來看，提升開關頻率、降低開關損耗、提高功率密度、減小體積重量已成為現代電子電子技術發展方向，寬禁帶半導體器件將掀起高頻電能變換領域新一輪產業技術革命。

目前，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料出現，推動半導體領域新技術競爭加劇，歐美日等國家正全力搶占從材料、器件、應用技術的戰略制高點，以期掌握新一代寬禁帶(也稱寬禁帶)半導體領域話語權。

應用牽引引領產業集聚發展

隨著我國對于寬禁帶半導體產業布局的逐漸形成，2016年7月國務院發布的《“十三五”國家科技創新規劃》中，明確將寬禁帶半導體產業和技術的發展確立為國家重大戰略任務和“十三五”發展重點，將在“中國制造2025”、海洋強國、航天強國、軍民融合發展、“一帶一路”建設等國家戰略實施中發揮重要作用，并在推動產業邁向中高端、增添發展新動能、拓展發展新空間、提高發展質量和效益中起到核心引領作用。

牽頭組建該中心的易事特集團董事長何思模透露，創新中心將突破傳統企業和研究機構相對獨立的框架，將創新鏈、產業鏈、資金鏈進行有機整合，創新政產學研用聯合機制，系統理論與技術創新，產業集群發展，打造電力電子技術高地、培養研發及產業技術人才，傳播新技術，將創新中心建設成為廣東省高水平的寬禁帶半導體器件應用技術創新研發平臺，進而發展成為國際一流電力電子技術研究開發中心。

創新中心還將以應用為牽引，以產業化需求為導向，抓住產業技術核心環節、推動產業上下游產業(芯片、外延生長、芯片設計及加工、器件與模塊封裝、測試驗證、高效電能管理系統集成)、人才、資金等要素集聚，吸收與孵化一批產業鏈上下游高科技企業的同時，循序協同發展壯大，引領廣東省寬禁帶半導體產業集群發展，力爭形成萬億級產業規模。