據(jù)香港《南華早報》網(wǎng)站5月27日報道,現(xiàn)如今,市場上最先進(jìn)的計算機(jī)芯片使用7納米晶體管。中國科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專家殷華湘說,他的團(tuán)隊已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當(dāng)于一條人類DNA鏈的寬度,在一個指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個這種晶體管。
2019-05-28 11:33:06
2405 IBM今日宣布,IBM與其研究聯(lián)盟合作伙伴Global Foundries以及三星公司為新型的芯片制造了5納米大小的晶體管。研究團(tuán)隊將硅納米層進(jìn)行水平堆疊,而非傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體行業(yè)的垂直堆疊構(gòu)架,這使得5納米晶體管的工藝有了實現(xiàn)可能。這項技術(shù)有可能應(yīng)用于自動駕駛、人工智能和5G網(wǎng)絡(luò)。
2017-06-07 14:28:09
1090 1000本電子專業(yè)書籍免費(fèi)大放送https://bbs.elecfans.com/forum.php?mod=viewthread&tid=287358&fromuid=286650055《最優(yōu)控制理論(中科院)》科學(xué)出版社-2003.pdf(4M)希望大家多頂頂,提升提升人氣。
2013-01-14 16:19:50
`中科院3D打印機(jī)CEST400|國產(chǎn)工業(yè)級3D打印機(jī)中科院廣州電子采用全球領(lǐng)先的3D打印技術(shù)和設(shè)備,自2001年改制以來,依托國有科研機(jī)構(gòu)技術(shù)底蘊(yùn),穩(wěn)定的技術(shù)隊伍,專注主研方向和產(chǎn)品,在高等教育
2018-08-10 17:27:37
對象與類,構(gòu)造函數(shù)與析構(gòu)函數(shù),堆與拷貝構(gòu)造函數(shù),靜態(tài)數(shù)據(jù)成員與靜態(tài)成員函數(shù),繼承,多態(tài)與虛函數(shù),多重繼承,友元,運(yùn)算符重載,模板,異常處理等內(nèi)容。中科院C++課件及范實例代碼(研究生應(yīng),例程特經(jīng)典)
2008-10-07 10:06:34
點擊上方“碼農(nóng)突圍”,馬上關(guān)注這里是碼農(nóng)充電第一站,回復(fù)“666”,獲取一份專屬大禮包真愛,請設(shè)置“星標(biāo)”或點個“在看”2020年1月15日,中國科學(xué)院計算技術(shù)研究所(以下簡稱中科院計算...
2021-07-21 06:13:57
大多數(shù)快速成長起來的新興產(chǎn)業(yè)一樣,關(guān)鍵技術(shù)儲備欠缺,持續(xù)競爭力培育不夠,研發(fā)投入不足,創(chuàng)新能力不強(qiáng),同質(zhì)化競爭加劇,產(chǎn)品良莠不齊……各種各樣的問題接踵而至。 這讓中科院院長白春禮深感憂慮。就在上周剛剛
2012-07-18 11:31:19
解決RISC-V操作系統(tǒng)的諸多痛點問題。
2021年起北京市與中科院戰(zhàn)略合作,發(fā)揮北京市應(yīng)用牽引和芯片定義的優(yōu)勢,北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局組織產(chǎn)業(yè)界成立開芯院,創(chuàng)新“產(chǎn)學(xué)研”協(xié)同模式,加速“香山”的技術(shù)演進(jìn)
2023-05-28 08:43:00
拿到一款MCU后,如何快速上手?推薦大家來看看中科院唐博士的系列博文《唐博士手把手教你玩轉(zhuǎn)飛思卡爾Kinectis MCU》(K20為例)。以下摘自博文手段:1.題外話從1983年我開始從事Z80
2014-12-25 22:47:18
、3dmax、photoshop、dialux及辦公軟件OFFICE、WORD、EXCEL; 5、具有獨(dú)立完成項目設(shè)計的成功案例; 6、具有良好的團(tuán)隊協(xié)作意識,有項目管理經(jīng)驗者優(yōu)先。中科院建筑設(shè)計
2013-10-23 09:56:10
與團(tuán)隊合作精神;5. 有研發(fā)團(tuán)隊的管理工作經(jīng)歷優(yōu)先。三、福利待遇 參照中科院海西研究院(福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所)相應(yīng)規(guī)定給予薪酬等待遇,年底有項目獎金; 符合泉州市及所屬縣(市、區(qū))相關(guān)政策的創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新
2017-06-30 16:27:40
://www.szhrss.gov.cn/tzgg/201408/t20140805_2541538.htm7)出站后留深享受深圳市財政支助的科研啟動經(jīng)費(fèi)30萬元/三年(可作為個人津貼);8)中科院深圳先進(jìn)院開辦了優(yōu)質(zhì)
2017-07-05 19:51:02
`中科院擁有國內(nèi)乃至國際一流的創(chuàng)新性研發(fā)機(jī)構(gòu)和科研團(tuán)隊、凝聚著全球最優(yōu)秀的科學(xué)家,實力雄厚。如今中科院深化在網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)領(lǐng)域的探索,攜手ithink公司震撼推出國內(nèi)首款內(nèi)置電池網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)——手立視Q系
2015-02-05 10:09:03
``如題 中科院清庫房的設(shè)備 另有其他一些電子元器件。有想拿去玩玩的加微信qixiong225 論壇不常上 咸魚鏈接https://2.taobao.com/item.htm?id=526428926106&spm=686.1000925.0.0.qjp7si ``
2016-02-17 16:14:49
中科院電子技術(shù)考研真題
2011-08-07 15:04:03
芯片加工,MEMS傳感器、光電子器件的研究背景或工作經(jīng)驗;4.動手能力強(qiáng),善于學(xué)習(xí)溝通,吃苦耐勞,有團(tuán)隊合作精神; 5.有半導(dǎo)體相關(guān)工作2年以上工作經(jīng)驗優(yōu)先考慮; 崗位待遇:中科院蘇州納米所南昌研究院為
2017-07-12 17:19:13
據(jù)新華社7月2日報道,相變存儲器,具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點,被業(yè)界稱為下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉,由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域,并實現(xiàn)千萬量級市場化銷售,未來中國在該領(lǐng)域有望實現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
供應(yīng)晶圓芯片,型號有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達(dá)林頓晶體管,高頻小信號晶體管,開關(guān)二極管,肖特基二極管,穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些?晶體管測量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年,晶體管的發(fā)明給當(dāng)時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且,正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機(jī)為首,電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
【不懂就問】圖中的晶體管驅(qū)動電路,在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2,說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產(chǎn)生的的正脈沖通過D2,直接驅(qū)動MOSFET管Q2,達(dá)到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
,這改善了晶體管性能,且降低了器件功耗。3. III-V族材料上柵堆疊:Intel、Sematech等已在討論在未來設(shè)計中采用InGaAs/高k界面。這種方法也能改善性能降低功耗。4. 量子阱
2014-01-04 09:52:44
,滿足未來輕薄化的需求。 芯片晶體管橫截面 到了3nm之后,目前的晶體管已經(jīng)不再適用,目前,半導(dǎo)體行業(yè)正在研發(fā)nanosheet FET(GAA FET)和nanowire FET(MBCFET
2020-07-07 11:36:10
大幅漲價、鴻蒙加速物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)構(gòu)建、半導(dǎo)體供應(yīng)鏈國產(chǎn)替代加速、RISC-V或成AIoT需求碎片化的解決之道五大行業(yè)催化劑下,AloT未來發(fā)展可期。細(xì)分領(lǐng)域中,MCU需求方興未艾,國產(chǎn)企業(yè)垂直領(lǐng)域?qū)ち紮C(jī)
2022-08-18 18:19:45
本帖最后由 江口kk 于 2014-8-11 20:26 編輯
Banana PI開源項目與中科院先研院舉行開源硬件介紹交流活動LeMaker團(tuán)隊Banana Pi項目組日前與中國科學(xué)院深圳
2014-08-09 21:08:11
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫,也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫,也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-03-27 06:20:04
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)...
2022-02-16 06:48:11
2)。然后,門重新控制了薄體。 圖2.鰭式場效應(yīng)晶體管 此外,從平面移動到3D可降低亞閾值斜率和Ioff電流。體積將增加,漏電流將小于平面設(shè)計。 雙柵極與三柵鰭式場效應(yīng)晶體管 雙柵極
2023-02-24 15:20:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替,MFR151管子能用哪個來代替?或是誰有這兩個高頻管子的原件庫?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓,采用超微縮技術(shù),擁有世界上最密集的晶體管和最小
2017-09-22 11:08:53
源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)晶體管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流。(2)夾斷電壓夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)晶體管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道
2019-04-04 10:59:27
了“芯片里程表(Odometer for silicon chip)”的概念,并開發(fā)出一種電路用于測量可能影響芯片性能的晶體管老化指標(biāo),他希望能將這種電路集成進(jìn)微處理器芯片設(shè)計中,以協(xié)助微處理器自動檢測運(yùn)轉(zhuǎn)
2017-06-15 11:41:33
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的電荷量變化小于一個電子,則不會有電流通過量子點。因此,電流-電壓關(guān)系不是正常的線性關(guān)系,而是階梯形關(guān)系。該實驗是歷史上第一次手動控制電子的運(yùn)動,為制造單個電子晶體管提供了實驗基礎(chǔ)。》 絕緣柵雙極晶體管
2023-02-03 09:36:05
晶體管通道完全閉合;二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率。 在新加坡-麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟,正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料:GaN。從光學(xué)角度看,GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
達(dá)林頓晶體管是一對雙極晶體管,連接在一起,從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果,輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
。 為什么使用鰭式場效應(yīng)晶體管器件代替MOSFET? 選擇鰭式場效應(yīng)晶體管器件而不是傳統(tǒng)的MOSFET有多種原因。提高計算能力意味著增加計算密度。需要更多的晶體管來實現(xiàn)這一點,這導(dǎo)致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
噴墨印刷技術(shù)或?qū)⒖芍圃?b class="flag-6" style="color: red">新型晶體管
2012-08-20 09:51:53
運(yùn)動的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。場效應(yīng)晶體管有哪幾種分類場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式:耗盡
2019-05-08 09:26:37
載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。(4)場效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。(2)場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
)場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān),從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置。 晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要,其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備(如 LED
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點?如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)有哪些應(yīng)用呢?如何去實現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的電磁兼容設(shè)計呢?
2022-01-14 07:02:41
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們在型號上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些?
2017-10-11 23:53:40
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管可以讓工程師開發(fā)出速度更快、集成度和效率更高的集成電路,進(jìn)而設(shè)計出更輕薄的筆記本電腦,散發(fā)的熱量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于現(xiàn)在的水平。這些晶體管包含很多由砷化銦鎵做成的納米管,并沒有采用傳統(tǒng)的材料硅。生產(chǎn)工藝采用
2011-12-08 00:01:44
突破現(xiàn)有的邏輯門電路設(shè)計,讓電子能持續(xù)在各個邏輯門之間穿梭。此前,英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來制作7nm晶體管,現(xiàn)在勞倫斯伯克利國家實驗室走在了前面,它們的1nm晶體管由納米碳管
2016-10-08 09:25:15
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個)、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
2000一5000(α=0.995-0.9998)。 是以P型襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一.絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理: 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料,供感興趣
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙極晶體管基礎(chǔ)IGBT結(jié)構(gòu)及工作原理IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率
2009-05-24 16:43:05
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發(fā)展1947年的圣誕前某一天,貝爾實驗室中,布拉頓平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細(xì)痕,恰到好處地將頂角一分為二,分別接上導(dǎo)線,隨即準(zhǔn)確地壓進(jìn)鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
絕緣柵雙極型晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39
絕緣柵雙級晶體管IGBT
2012-08-20 09:46:02
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管,即 IGBT,結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性,因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
導(dǎo)讀:近日,英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率(700瓦),適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
比如華為的麒麟芯片晶體管數(shù)量、功耗控制,芯片內(nèi)總線連接?澎湃芯片的失敗是不是它的研發(fā)團(tuán)隊在這些方面的不足?
2020-03-15 17:31:09
這個達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
。2000 年 12 月,英特爾(Intel)公司率先開發(fā)出柵極長度為 30 納米的單晶體管;2001 年 11 月,英特爾宣布己開發(fā)出柵長僅為 15 納米的新型晶體管,同時單個晶體管的實際工作 頻率己經(jīng)
2018-05-11 10:20:05
中科院化學(xué)所成功研制出新型高性能鋰離子電池負(fù)極材料
鋰離子電池是目前能量密度最高的綠色二次電池,已廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、手機(jī)、攝影機(jī)等消費(fèi)電
2008-11-26 08:20:10
647 
美國麻省理工研發(fā)出新型電池
讓電池真正“驅(qū)動”汽車,這是人們長期以來對電動汽車的期望。日前,美國麻省理工學(xué)院的新型
2009-12-15 11:25:19
894 法國研究人員開發(fā)出新型智能晶體管
法國研究人員最新開發(fā)出一種新型智能晶體管,它能夠模仿神經(jīng)系統(tǒng)的運(yùn)行模式,對圖像進(jìn)行識別,幫助電腦完成更加復(fù)
2010-01-27 10:43:27
442 在國家自然科學(xué)基金委、科技部和中科院的支持下,中科院半導(dǎo)體所吳南健研究員、張萬成和付秋喻等成功研制出新型視覺芯片。
2011-09-15 09:22:00
1217 南車與中科院聯(lián)合組建研發(fā)中心將致力于以碳化硅功率器件為主的新型“綠色中國芯”研發(fā),全力打造強(qiáng)大的新型電力電子器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)平臺
2011-12-23 19:54:56
740 據(jù)國外媒體報道,MIT 的科學(xué)家已經(jīng)研發(fā)出了一種新型晶體管,新的晶體管通過材料原子結(jié)構(gòu)中的洞孔來讓電流通過,速度是當(dāng)前晶體管的 4 倍左右。
2013-01-04 09:02:44
2916 液流電池作為一種新型的電化學(xué)儲能技術(shù),是清潔能源大規(guī)模儲能的首選技術(shù)之一。近日,中科院大連化學(xué)物理所研發(fā)出新型的長壽命、可自我恢復(fù)的鋅碘液流電池,有效解決了目前儲能電池存在的循環(huán)壽命短、功率密度
2018-05-31 16:02:00
2397 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管,可以連續(xù)穩(wěn)定的工作,柵極電壓高達(dá)10V,工作電流在20A,擊穿電壓達(dá)到730V。
2018-03-15 09:56:08
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港媒稱,內(nèi)地的科學(xué)家說,他們已經(jīng)研發(fā)出一種晶體管,這種晶體管將大大增強(qiáng)芯片的性能,并大幅降低它們的能耗。
2019-05-31 11:23:32
6162 現(xiàn)如今,市場上最先進(jìn)的計算機(jī)芯片使用7納米晶體管。中國科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專家殷華湘說,他的團(tuán)隊已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當(dāng)于一條人類DNA鏈的寬度,在一個指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個這種晶體管。
2019-06-13 16:08:27
5171 眾所周知,手機(jī)芯片對于手機(jī)就像主機(jī)對于電腦一樣,十分重要。而在前段時間高通發(fā)布的合作伙伴中有很大一部分來自中國,像小米,OPPO,vivo等都是其重要的客戶。
2019-12-18 16:57:55
5435 近日,中科院對外宣布,中國科學(xué)家研發(fā)除了新型垂直納米環(huán)柵晶體管,這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項技術(shù)成熟后,國產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”,意義重大。
2020-01-14 17:23:25
4168 近年來,我國在高新技術(shù)研發(fā)方面不斷獲得新突破,原本的薄弱領(lǐng)域更是逐步建立起技術(shù)壁壘,在全球市場中站穩(wěn)腳跟,例如國產(chǎn)芯片。
2020-01-14 17:53:50
3408 近日,中科院對外宣布,中國科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管,這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項技術(shù)成熟后,國產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”,意義重大。
2020-01-15 09:40:32
8863 目前最為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)為7nm+Euv工藝制程,比較出名的就是華為的麒麟990 5G芯片,內(nèi)置了超過100億個晶體管。
2020-01-16 08:48:44
2110 中科院今天宣布,國內(nèi)學(xué)者研發(fā)出了一種簡單的制備低維半導(dǎo)體器件的方法——用“納米畫筆”勾勒未來光電子器件,它可以“畫出”各種需要的芯片。
2020-03-11 16:28:33
3185 最近中科院傳來喜訊,中國在核心電子材料技術(shù)上取得了巨大的突破,成功研發(fā)出了硅-石墨烯-鍺復(fù)合材料晶體管,這種未來芯片的核心材料讓電磁波在內(nèi)的傳播延遲被縮短1000倍。
2020-03-14 15:09:03
2437 近日,由中科院大連化學(xué)物理研究所(DICP)的劉健教授和吳忠?guī)浗淌陬I(lǐng)導(dǎo)的研究小組開發(fā)出了用Fe 1-x S修飾的介孔碳球作為鋰電反應(yīng)器的納米反應(yīng)器。硫磺電池正極。該納米反應(yīng)器展示出優(yōu)異的多硫化物催化活性和循環(huán)穩(wěn)定性。這項研究于4月16日發(fā)表在《先進(jìn)能源材料》上。
2020-04-20 15:13:17
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據(jù)麥姆斯咨詢報道,中科院分子影像重點實驗室在成功研發(fā)出新型近紅外二區(qū)熒光成像系統(tǒng)及手術(shù)導(dǎo)航技術(shù)基礎(chǔ)上,進(jìn)一步利用熒光探針吲哚菁綠(ICG),開展近紅外二區(qū)熒光成像在人體肝癌成像上的應(yīng)用,解決了近紅外二區(qū)熒光成像臨床轉(zhuǎn)化的問題。
2020-06-01 16:11:34
6357 中科院微電子所近期發(fā)表了先導(dǎo)工藝研發(fā)中心團(tuán)隊在垂直納米環(huán)柵器件領(lǐng)域獲得的最新進(jìn)展,該類型器件通過在垂直方向構(gòu)建晶體管結(jié)構(gòu),大大減少了器件占用面積,在3nm以下先進(jìn)集成電路制造工藝領(lǐng)域極具應(yīng)用潛力
2021-06-04 11:16:23
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據(jù)了解,中科院攻克的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管技術(shù)要比GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)更加先進(jìn),這種新型晶體管技術(shù)是2nm制程的一項關(guān)鍵技術(shù),也就是說在2nm制程上,我國已經(jīng)成功取得了突破。
2022-06-23 09:24:54
1458 去年IBM的2nm芯片橫空出世,并且同年傳出了中科院2nm芯片的新聞,據(jù)觀察,后續(xù)網(wǎng)上出現(xiàn)了類似“2nm芯片沒啥用”這樣的言論,那么IBM和中科院2nm芯片是什么意思呢?為什么會有人說2nm芯片沒啥
2022-06-23 10:27:24
11861 5納米是指芯片的特征尺寸,特征尺寸越小,制造出來mos管就更小,成本也就更低。5納米芯片意味著芯片更小,在單位面積內(nèi)晶體管更為密切,功耗也更低。
2022-06-29 16:59:14
41808 也開始聯(lián)手研發(fā)2nm及其相關(guān)技術(shù)。 國外都在追逐2nm工藝,國內(nèi)自然也就不能拖后腿。雖然我國芯片行業(yè)總體水平還是比較低,但是據(jù)報道,中科院已經(jīng)連續(xù)傳出了兩則關(guān)于2nm技術(shù)有關(guān)的新聞,不過論國產(chǎn)2nm芯片有望成功嗎。 中科院所攻克的疊層垂直納米環(huán)柵晶體
2022-06-30 10:01:39
2424 在芯片設(shè)計和制造中,納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離,在體積相同大小的情況下,7納米工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量,幾乎是14納米工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:35:55
123297 IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計將帶來多項技術(shù)進(jìn)步,并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是,它可能會導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類別的開發(fā)。
2023-12-26 10:12:55
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