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中科院科學(xué)家研發(fā)出新型垂直納米環(huán)柵晶體管技術(shù)

獨(dú)愛72H ? 來源:機(jī)器之能 ? 作者:機(jī)器之能 ? 2019-12-18 16:57 ? 次閱讀
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(文章來源:機(jī)器之能)

眾所周知,手機(jī)芯片對(duì)于手機(jī)就像主機(jī)對(duì)于電腦一樣,十分重要。而在前段時(shí)間高通發(fā)布的合作伙伴中有很大一部分來自中國,像小米,OPPO,vivo等都是其重要的客戶。這在很大程度上表現(xiàn)出我國在手機(jī)芯片方面的弱勢(shì)地位。但是這也不意味著我國就沒有拿得出手的手機(jī)芯片,像華為和聯(lián)發(fā)科新推出的5G芯片天機(jī)1000就是一款能夠與高通驍龍對(duì)抗的手機(jī)芯片。

臺(tái)積電目前最先進(jìn)的就是7nm+Euv工藝制程,他也是目前全球最領(lǐng)先的芯片制造技術(shù),華為新款的麒麟990 5G芯片就是源自臺(tái)積電的技術(shù),指甲蓋大小的芯片里面內(nèi)置超100億個(gè)晶體管,華為首次將5G Modem集成到SoC上,也是全球首款集成5G Soc,在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了巨大的突破,也成為國產(chǎn)芯片的一座里程碑。

在過去的三十年里,中國科技力量不斷發(fā)展,不斷進(jìn)步,卻依舊與美國有著很大的差距,核心技術(shù)也被美企所壟斷,好在我們足夠努力,差距也正在一點(diǎn)點(diǎn)的縮小,正是如此,在這些年里我國也誕生了一些出色的芯片公司,就在這時(shí),中科院傳來“好消息”,技術(shù)創(chuàng)新出現(xiàn)新突破,國芯的未來可期!

據(jù)了解中科院科學(xué)家研發(fā)出的新型垂直納米環(huán)柵晶體管技術(shù),可以直接把我國芯片制造的技術(shù)提升到2nm以下,這項(xiàng)技術(shù)把國內(nèi)芯片技術(shù)拉高了好幾個(gè)等級(jí),彎道超車,闖入世界芯片制造的前列。這也意味著我國在芯片制造領(lǐng)域取得了重大的突破。

大家都知道,芯片集成度越高也就意味著制造的難度越大,臺(tái)積電擁有全球最先進(jìn)的光刻機(jī),可以實(shí)現(xiàn)7nm代工,但是目前有些技術(shù)方面還是被西方國家壟斷,先進(jìn)的芯片制程技術(shù)還被臺(tái)積電和三星等外企所壟斷,還好中國在不斷的創(chuàng)新,不斷的突破,據(jù)中科院最新研究結(jié)果表明,我國已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了世界上首個(gè)具有自對(duì)準(zhǔn)柵極的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管,此項(xiàng)研究成果已經(jīng)在權(quán)威雜志《IEEE Electron Device Letters》發(fā)表,并且獲得多項(xiàng)中、美發(fā)明專利的授權(quán)!

在此之前,Intel首發(fā)22nm FinFET工藝,后來全區(qū)開始有了22/16/14nmFinFET鰭式晶體管,如今已經(jīng)進(jìn)入到了最低3nm,三星也對(duì)外宣布用3nm節(jié)點(diǎn)改用GAA環(huán)繞柵極晶體管,所以對(duì)比下來中科院的這項(xiàng)研究成果意義重大,這種新型垂直納米環(huán)柵晶體管被視為2nm及以下工藝的主要技術(shù)候選,對(duì)我國芯片制造產(chǎn)業(yè)會(huì)有巨大的推動(dòng)作用,國產(chǎn)芯片技術(shù)的“破冰”,也在一定程度上表現(xiàn)出我國在向世界頂級(jí)強(qiáng)國的路上越走越遠(yuǎn)。

(責(zé)任編輯:fqj)

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