（文章來源：機器之能）

眾所周知，手機芯片對于手機就像主機對于電腦一樣，十分重要。而在前段時間高通發布的合作伙伴中有很大一部分來自中國，像小米，OPPO，vivo等都是其重要的客戶。這在很大程度上表現出我國在手機芯片方面的弱勢地位。但是這也不意味著我國就沒有拿得出手的手機芯片，像華為和聯發科新推出的5G芯片天機1000就是一款能夠與高通驍龍對抗的手機芯片。

臺積電目前最先進的就是7nm+Euv工藝制程，他也是目前全球最領先的芯片制造技術，華為新款的麒麟990 5G芯片就是源自臺積電的技術，指甲蓋大小的芯片里面內置超100億個晶體管，華為首次將5G Modem集成到SoC上，也是全球首款集成5G Soc，在技術上實現了巨大的突破，也成為國產芯片的一座里程碑。

在過去的三十年里，中國科技力量不斷發展，不斷進步，卻依舊與美國有著很大的差距，核心技術也被美企所壟斷，好在我們足夠努力，差距也正在一點點的縮小，正是如此，在這些年里我國也誕生了一些出色的芯片公司，就在這時，中科院傳來“好消息”，技術創新出現新突破，國芯的未來可期！

據了解中科院科學家研發出的新型垂直納米環柵晶體管技術，可以直接把我國芯片制造的技術提升到2nm以下，這項技術把國內芯片技術拉高了好幾個等級，彎道超車，闖入世界芯片制造的前列。這也意味著我國在芯片制造領域取得了重大的突破。

大家都知道，芯片集成度越高也就意味著制造的難度越大，臺積電擁有全球最先進的光刻機，可以實現7nm代工，但是目前有些技術方面還是被西方國家壟斷，先進的芯片制程技術還被臺積電和三星等外企所壟斷，還好中國在不斷的創新，不斷的突破，據中科院最新研究結果表明，我國已經實現了世界上首個具有自對準柵極的疊層垂直納米環柵晶體管，此項研究成果已經在權威雜志《IEEE Electron Device Letters》發表，并且獲得多項中、美發明專利的授權！

在此之前，Intel首發22nm FinFET工藝，后來全區開始有了22/16/14nmFinFET鰭式晶體管，如今已經進入到了最低3nm，三星也對外宣布用3nm節點改用GAA環繞柵極晶體管，所以對比下來中科院的這項研究成果意義重大，這種新型垂直納米環柵晶體管被視為2nm及以下工藝的主要技術候選，對我國芯片制造產業會有巨大的推動作用，國產芯片技術的“破冰”，也在一定程度上表現出我國在向世界頂級強國的路上越走越遠。

（責任編輯：fqj）