轉(zhuǎn)向45nm芯片制造技術(shù)

　　領(lǐng)跑下一代芯片制造技術(shù)進步競賽

　　在45nm這種下一代芯片制造技術(shù)進步的競賽中，看來英特爾已經(jīng)比AMD領(lǐng)先至少一年（45與芯片蝕刻的特征尺寸有關(guān)）。AMD可能要到2008年底才能推出45nm的處理器。

　　在春季分析師活動中，英特爾公司的工藝和制造組的總經(jīng)理Robert Baker說，英特爾公司的四家工廠已經(jīng)在45nm芯片制造方面準備就緒。

　　產(chǎn)品特點

　　“Penryn及其第一代45nm產(chǎn)品將在今年下半年推出，”O(jiān)tellini說，“Nehalem—下一代微架構(gòu)—將于2008年以45nm工藝推出。在09年我們要保持推出新芯片的節(jié)湊，開始部署32nm芯片，實質(zhì)上就是Nehalem的縮微版。在2010年，我們將推出稱為Sandy Bridge的新型微架構(gòu)。”

　　在基于45nm工藝的芯片上設(shè)計較少的功能，其固有的好處在于低功耗工作。此外，縮小裸片的尺寸容許英特爾把更多的功能添加到芯片上，Baker解釋說。例如，有了Penryn，英特爾就可以利用額外的空間來提高高速緩沖存儲器的容量，并增加新的指令，從而使處理器更精于處理視頻和多媒體。

　　對于英特爾的芯片設(shè)計工程師來說，并不是不熱衷于集成更多的功能。正如Baker解釋說，在利用附加的空間來增加更多的功能和降低成本的要求之間存在著壓力；后者要求不增加新的功能，而是利用未用空間使晶圓上能夠制造出更多的芯片，從而提高產(chǎn)量。

　　存在的問題與前景

　　幾年來，向著更小特征尺寸前進的步伐一直沒有受到阻礙，但是，在向45nm轉(zhuǎn)移的過程中并不能享用已經(jīng)取得的成就。確切地說，像英特爾和IBM這樣的公司近年來一直謀求從實際和基礎(chǔ)物理學(xué)兩個方面突破硅的極限，因為在一些組件只有幾個元件大的地方，片上元件更接近于那些組件的尺寸。最大的問題一直是被稱為“泄漏”的問題，表現(xiàn)在電流并沒有維持在它被期望的數(shù)值。

　　新型材料帶來的變革

　　那就導(dǎo)致人們尋求新型的材料。英特爾認為，在稱為高K金屬新材料領(lǐng)域它已經(jīng)取得了巨大突破，從而取代了過去30年一直使用的多晶硅。“這是在材料領(lǐng)域的根本變革，”Baker說。

　　英特爾下一步將利用由采用45nm工藝獲得的額外空間，開始把圖形處理集成到處理器本身當中。有趣的是，那正是英特爾公司內(nèi)部一些芯片設(shè)計工程師早在上世紀90年代就強烈要求公司做的事情，據(jù)報道，當時那種行動方向被否決了，因為英特爾的業(yè)務(wù)優(yōu)勢更多地在于把非CPU的功能放在輔助芯片組上，從而可以分開銷售。

　　45nm工藝也將被用于構(gòu)建具有8核以上的處理器，其中，一款名為Larrabe的設(shè)計已經(jīng)在畫電路板。根據(jù)Otellini透露，Larrabe將“滿足非常非常高性能的圖形和高性能計算需求。”