0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)械電位器的功能，用簡(jiǎn)單的2線數(shù)字接口取代機(jī)械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應(yīng)用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應(yīng)用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應(yīng)用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應(yīng)用電路
2021-04-02 07:32:20
51單片機(jī)外部ram和rom能同時(shí)接64k嗎，一般都是rom64kram32k，請(qǐng)問(wèn)同時(shí)試用控制線怎么接
2023-11-09 07:44:11
64794C 64K跟蹤深度仿真總線分析儀，128 KB
2019-01-21 17:13:52
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鮮一般說(shuō)明DS1553是一個(gè)全功能、符合2000年（Y2KC）標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報(bào)、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶(hù)對(duì)DS
2020-09-17 17:24:23
、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶(hù)對(duì)DS1556中所有寄存器的訪問(wèn)是通過(guò)一個(gè)字節(jié)寬的接口完成的，如圖1所示。RTC寄存器包含24小時(shí)BCD格式的世紀(jì)、年、月
2020-09-16 17:17:42
?在引導(dǎo)閃存之間選擇 ?設(shè)置ASIC配置/配置文件 ?服務(wù)器 ?網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ) ?路由器 ?電信設(shè)備 ?PC外圍設(shè)備 一般說(shuō)明 DS4520是一個(gè)9位非易失性（NV）I/O擴(kuò)展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說(shuō)明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性?xún)?nèi)存有寫(xiě)入限制，所以我需要使用易失性?xún)?nèi)存。寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫(xiě)入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
CH563Q的內(nèi)部ram為32K還是64K？空白CH563Q芯片能否通過(guò)以太網(wǎng)接口下載程序？如果可以該如何操作
2022-06-10 06:37:03
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無(wú)限寫(xiě)入周期相結(jié)合。控制電路持續(xù)監(jiān)測(cè)單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類(lèi)似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
頁(yè)。我還想把操作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在Flash中。據(jù)我所知，我有兩個(gè)主要障礙：1。DRVYNVMMIATAYL大小目前只有64K。我相信這個(gè)塊是為Web的東西保留的。因此，如果我想把我的操作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在閃存范圍的末尾
2019-09-27 06:53:35
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來(lái)自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過(guò)這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵拢臄?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無(wú)需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
LPC1768 MCUXpresso IDE環(huán)境下如何使用完整64K內(nèi)存？
2022-02-10 06:07:48
MCS51單片機(jī)系統(tǒng)中RAM空間超64K的擴(kuò)展電路分析
2021-03-26 07:31:33
我們的 RAM (64k) 不足，現(xiàn)在當(dāng)我將一些操作系統(tǒng)任務(wù)堆棧移動(dòng)到系統(tǒng) Ram (384K) 時(shí)，它會(huì)影響系統(tǒng)的性能。請(qǐng)讓我知道如何進(jìn)行。為系統(tǒng) Ram 啟用數(shù)據(jù)緩存會(huì)有幫助嗎？如果是這樣，請(qǐng)告訴我該怎么做？
2023-04-20 09:27:20
的真值。出于某種原因，位于GPIO49∶46的地址位的上部似乎不反映地址。地址環(huán)繞每4K的數(shù)據(jù)。有什么想法嗎？有類(lèi)似的例子嗎？ 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文 I am trying to write
2019-07-03 08:04:26
大家好：關(guān)于PSoC6SRAM在DS模式下的保留，我有一些問(wèn)題要問(wèn)：1：如果我想在DS模式中只保留64K的SRAM，應(yīng)該設(shè)置哪種模式，“保留模式”？如果在上電后將pWRYL模式控制位設(shè)置為0x02
2018-09-26 10:01:35
STC8A8K64S4A12的命名規(guī)則STC8 -- STC8系列A -- 子系列中的A子系列8K -- 片內(nèi)SRAM為8K字節(jié)64 -- 片內(nèi)FLASH為64K字節(jié)S4 -- 4個(gè)串口
2022-02-18 07:32:53
大佬我的TOTAL memory 怎么不夠用啊，明明64K 的單片機(jī)，F(xiàn)REE出來(lái)的也只有14K左右
2022-04-14 09:49:57
完整的做好了一個(gè)程序，結(jié)果編譯時(shí)報(bào)內(nèi)存超出（const） 在網(wǎng)上搜索了一遍，網(wǎng)友說(shuō)是keil限制了const 和 code 加起來(lái)不能超過(guò)64K的空間然后在工程中屏蔽了一些代碼，使它少于了64K
2018-08-07 15:20:12
本帖最后由 楊樹(shù)榕樹(shù) 于 2013-12-31 11:56 編輯
笙泉MA82G5A64，64K Flash，5376B Sram，雙串口，多種內(nèi)置工業(yè)級(jí)晶振常溫1%誤差，6個(gè)PWM，12位
2013-12-30 09:30:30
按照地址分配，64K圖一用size等于0x10000? 計(jì)算轉(zhuǎn)化所得0X10000=65536=2^16，也就是17個(gè)二進(jìn)制位（bit）才對(duì)呀可是flash為64K,64K=65536個(gè)字節(jié)，一個(gè)字節(jié)=8個(gè)bit，應(yīng)該是65536*8個(gè)bit(二進(jìn)制位)才對(duì)。
2021-02-27 14:34:02
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級(jí)用戶(hù)選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過(guò)I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過(guò)編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之
2021-05-17 07:29:10
親愛(ài);我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門(mén)套件，我編寫(xiě)了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問(wèn)題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
早上好，來(lái)自西班牙的每個(gè)人，這里是一個(gè)棘手的問(wèn)題，我需要填補(bǔ)（幾乎）8Mbit RAM（1Mx8）與傳入的ADC數(shù)據(jù)，然后處理它。當(dāng)我正在讀DMA規(guī)范時(shí)，似乎有64K的頁(yè)面限制，即當(dāng)較低的16比特從
2019-08-02 07:49:48
我應(yīng)該用什么API來(lái)存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊(cè)上說(shuō)它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫(xiě)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
我定義了一個(gè)64K字節(jié)的數(shù)組，如果把數(shù)組定義成Const常量，編輯之后運(yùn)行都正常。
但如果把數(shù)組定義成變量數(shù)組，可以編譯（占的空間比較大：Program Size: Code=8776
2023-06-13 08:36:12
嗨，沒(méi)有任何一個(gè)有如“代碼銀行“我FX2（高達(dá)16K的代碼/數(shù)據(jù)）和閃光（24LC64）64 kb的我如何能使用的最大閃光64K？帕斯卡 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文 Hi, Does any
2019-03-01 06:22:12
任何人都可以幫助我面對(duì)像 lpc4337 閃存中的 sector13 一樣無(wú)法將超過(guò) 8K 的數(shù)據(jù)寫(xiě)入 64k 的問(wèn)題嗎？即使是 64K 容量的扇區(qū)在閃存寫(xiě)入期間也只允許 8k 數(shù)據(jù)。
如果我提供
2023-06-08 06:39:37
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
哪位哥們用個(gè)64K 8位、3.3v供電的RAM 幫提供兩個(gè)型號(hào)唄！
2019-01-14 06:36:13
，我沒(méi)有在微控制器中提供SRAM。在空隙應(yīng)用開(kāi)始（空隙）開(kāi)始時(shí)，可用的SRAM接近32 K字節(jié)。所以我有三個(gè)問(wèn)題：1）“192K字節(jié)SRAM包括64K字節(jié)的CCM數(shù)據(jù)RAM”是否意味著最大SRAM
2019-01-02 16:33:26
STM32F4中的192K SRAM與64K DATA RAM有何不同？
2018-08-27 09:27:43
區(qū)SRAM部分分為高64K程序區(qū)，其中的RAM區(qū)為0x3F8000~0x3FC000（L0~L3）；和低64K數(shù)據(jù)區(qū)，其中的RAM區(qū)為0x008000~0x00C000（L0~L3）。我想咨詢(xún)的是上述高低64K的L0~L3是公用的還是單獨(dú)的？DMA部分的RAM（L4~L7）算在34K范圍內(nèi)嗎？謝謝！
2018-08-22 10:19:01
在document/arm64/memory.txt下只看到了對(duì)于4K以及64K頁(yè)表的描述，也確實(shí)調(diào)通了64K，但是16K沒(méi)有調(diào)通；請(qǐng)問(wèn)各位大神，linux 4.14.y是否支持ARM64架構(gòu)16K頁(yè)表功能，謝謝。
2022-09-29 14:47:59
such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:39
14 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶(hù)可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
DS3600 安全監(jiān)控電路，帶有64B電池備份、加密SRAM
DS3600是具有64B加密SRAM的安全監(jiān)控電路，為需要加密存儲(chǔ)的應(yīng)用設(shè)計(jì)，包括POS終端等。DS3600支持最高級(jí)別的
2009-03-31 09:55:42
597 DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271532 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性?xún)?nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261255 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《達(dá)拉斯DS1225Y FRAM適配器開(kāi)源.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-09 14:24:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1225AD-150IND+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1225AD-150IND+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1225AD-150IND+真值表，DS1225AD-150IND+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:36:56
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2023-07-31 18:44:23
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2023-07-31 18:44:38
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2023-07-31 18:45:00
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2023-07-31 18:45:28
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2023-07-31 18:45:43
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2023-07-31 18:47:50
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