隨著全球物聯網、大數據中心、智能家居、便攜設備等應用帶動的數據存儲市場的快速增長，存儲器產業迎來了全面的發展契機。中國是全球第二大經濟體，也是最大的存儲產品消費市場，改變我國存儲產品嚴重依賴進口的局面，在該領域擁有自己的核心技術和產品，也符合國家的戰略需求。

近幾年，各類存儲器中，NAND Flash是一個亮點。2015年全球NAND Flash市場規模達到267億美元，預計到2020年將達到450億美元。

然而2D NAND Flash面臨發展瓶頸，接近物理極限，其單位面積存儲容量難以繼續提高，且可靠性降低，而3D NAND存儲器將成為提高NAND Flash密度和降低成本的必然途徑。

2D NAND Flash產品的出貨量將從2015年開始以每年17.1%的速度快速下降，而3D NAND Flash產品的出貨量將以200％的年均復合增長率遞增，預計2020年達到NAND Flash總量的70%的水平。未來3D NAND Flash產品將逐漸取代傳統的2D NAND Flash產品，成為NAND Flash的主流產品。

除了東芝和SanDisk之外，三星（Samsung）、海力士（Hynix）及美光（Micron）都已投入3D NAND Flash技術布局。3D NAND Flash每年成長將達到100%，這是一個巨大的市場機會。

在轉向3D NAND方面，實力最強的三星跑得最快，東芝/SanDisk、SK Hynix次之，Intel和美光公司算是比較慢的了，不過一旦3D NAND Flash開始量產，由于容量先天性的優勢，產能超過2D NAND Flash是遲早的事。

看好3D NAND Flash即將成為市場主流，2017年3D NAND Flash商機將噴發，三星、東芝、SK Hynix、美光與英特爾等大廠紛擴大3D NAND Flash投資力道，尋求技術與產能進一步突破。

為了不讓三星在3D NAND Flash技術世代搶占先機，英特爾已擬定2017年3D NAND Flash戰略，在制程技術與產能持續推進下，預計自2017年2月起針對資料中心、專業、消費性與嵌入式市場，將發布多款3D NAND TLC新品。

3D DAND Flash相比DRAM更有助于中國存儲器戰略實現超越，DRAM生態走向寡占市場，主要被三星、海力士、美光等韓美廠占據，中國在國際市場上可以合作的技術授權方很少，另外相比NAND領域，DRAM存在更高的技術壁壘和大廠折舊優勢，不利于中國實現彎道超車。

不同于基于微縮技術的2D NAND Flash，3D NAND Flash的關鍵技術是薄膜和刻蝕工藝，技術工藝差別較大，而且除了三星，其他企業在3D NAND Flash布局方面走的并不遠。

基于此， 中國企業通過技術合作，專利授權許可，快速切入該領域，避免了國際企業在傳統技術研發中的設備折舊優勢，并且在這個技術變革過程中我們又有望實現彎道超車。