在我們的項目中，時常會有參數或數據需要保存。鐵電存儲器的優良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲器就是我們經常使用到的一系列鐵電存儲器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲器的驅動設計、實現及使用。
2022-12-08 14:56:55
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貿澤電子宣布即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機存取存儲器 （FRAM） 和高密度電阻式隨機存取存儲器 （ReRAM） 產品。
2021-12-13 14:06:53960 
概述:FM1808是RAMTRON公司生產的一款256K位并行存儲芯片。該FM1808是256千比特的非易失性存儲器采用先進的鐵電工藝。鐵電隨機存取記憶體或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
），可以將其讀取以表示邏輯1或0。圖1：FRAM通過鐵電材料PZT的極化存儲數據。（來源：賽普拉斯半導體）鐵電存儲器的操作與浮柵技術衍生的傳統可寫非易失性存儲器的操作完全不同，后者通過將電荷存儲在位單元
2020-08-12 17:41:09
以及改進整個系統。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業界其他解決方案的優勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲器技術，可實現更快速的數據存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
免費申請樣片的地方Ramtron 鐵電存儲器（F-RAM)最近在中國開始了他們的產品市場推廣活動，前期的推廣中針對工程師有一個免費申請樣片的機會，包括單片機的(VRS513074、VRS513074
2009-06-18 16:14:57
Access Memory：鐵電隨機存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
發展迅速。 2、鐵電存儲器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來存儲數據的。它的特點是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。 技術資料出處:eefocus該文章僅供學習參考使用，版權歸作者所有
2017-10-24 14:31:49
，所以發展迅速。 2、鐵電存儲器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來存儲數據的。它的特點是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。技術資料出處:eefocus該文章僅供學習參考使用，版權歸作者所有。AO-Electronics 傲壹電子 `
2017-12-21 17:10:53
flash存儲轉換成鐵電存儲,應該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
半導體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機存儲器，它沒有BSRAM模組系統的設計復雜性和相關的數據可靠性問題，而且能在掉電的情況下保存數據。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫入時間長、擦寫次數低的缺點,同時其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
一． 概述：FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器（FRAM）,容量為
2019-07-11 06:08:19
本帖最后由 skysoon33958085 于 2014-4-25 11:34 編輯
來源:與非網 摘要:鐵電存儲器(FRAM)以其非揮發性,讀寫速度塊, 擦寫次數多,和低功耗等特點被廣泛應用
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-21 10:49:57
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
Keil編譯后生成bin文件占用內部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機存取存儲器，存儲的內容可通過指令隨機讀寫訪問
2022-01-26 06:05:59
年初清理庫存ARM樣片，需要NXP MCU的大蝦們可發郵件到dcdz_suddy@126.com索取免費樣片申請表！！
2013-02-26 18:23:38
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優缺點。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
概述：FM25640是RAMTRON公司生產的一款64Kb的 FRAM 串行存儲器。它具有100億次的讀寫次數，掉電數據可保持10年。該器件支持SPI的模式0&3，最大可達到5 MHz的總線速度，結構容量為8192×8位。它采用8腳DIP封裝。
2021-05-18 07:15:49
HPM5300能申請樣片了嗎？
2023-06-02 09:02:00
操作是通過在MTJ兩端施加非常低的電壓來完成的，從而在部件使用壽命內支持無限的操作。圖3：MRAM讀寫周期FRAM技術FRAM或鐵電隨機存取存儲器使用1個晶體管–1個鐵電電容器（1T-1FC）架構，該
2022-11-17 15:05:44
當系統運行了一個嵌入式實時操作系統時（RTOS），操作系統通常都是使用非易失的存儲器來運行軟件以及采集數據。存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態隨機訪問儲存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲器）。
2019-06-28 08:29:29
SRAM接口。所有這些實現都以某種形式的8引腳封裝提供。 SRAM和FRAM技術的常用功能 在最高級別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時存儲在內存中的少量兆位的隨機存取存儲器的容量。該存儲器沒有特殊配置或頁面邊界，并且支持標準SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
我遇到很奇葩的需求——STM32外掛鐵電存儲器，要求：最好SPI接口；最好能滿足64Kb容量；擦寫次數百萬次以上；支持的電壓最高不超過5.5V。很奇葩的要求啊，這個可以有么？親們，推薦下唄！
2014-05-26 10:53:41
樣片" TI主頁上"樣片和購物車"中的"查看購物車"按鈕 網站中有多個位置可以找到"申請免費樣片"按鈕，例如產品頁面。 步驟 2.
2014-09-03 17:23:39
Ramtron 鐵電存儲器（F-RAM)最近在中國開始了他們的產品市場推廣活動，前期的推廣中針對工程師有一個免費申請樣片的機會，包括單片機的(VRS513074、VRS513074開發板）F-RAM
2009-06-18 15:16:06
stm32擴展鐵電存儲器FM16W08的程序怎么寫？？有參考 的嗎讀寫程序該怎么操作！！
2013-12-26 21:47:03
工程師朋友前來挑戰！報名截止時間：9月23日[/url]關于此次設計大賽的免費樣片和免費設計套件芯片申請問題，特此申明！望大家奔走相告！以下是關于此次設計大賽的部分參賽要求：1）參賽選手需要下載[url
2014-09-19 14:24:34
活動倒計時僅剩??8小時！【樂鑫ESP32-DevKitC-32D模組開發板免費試用】免費申請基于 ESP32 的小型開發板，可以用于低功耗傳感器網絡和要求極高的任務【擁有即可實現！】? 1.內置雙
2020-06-28 15:30:26
在樣片或設計套裝申請時，有很多疑問。所以，問了進一步搜集大家遇到的問題，并盡可能的為大家提供解決方案，特此發起此次“答疑環節”。 就樣片申請這一塊的任何疑問，歡迎大家在此帖中提出，O(∩_∩)O謝謝。帖子回復的方法：【參賽團隊名】+ 你遇到的問題【TI設計大賽】關于免費申請樣片或設計套裝的問題
2014-09-23 14:31:13
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-25 16:51 編輯
雖然EEPROM和FLASH通常都被用于非易失性存儲器(NVM)的最佳選擇，在大多數應用中，鐵電存儲器(FRAM)為
2016-02-25 16:25:49
使用鐵電存儲器FM25CL64B，通過SPI接口讀寫數據，memset(send_buff,0x00,sizeof(send_buff));memset(recv_buff,0x00,sizeof
2022-06-07 09:18:12
大家可以看看終極存儲器啊！
2012-04-21 10:37:24
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
對于做快速存儲采集數據類產品的用戶來說，在處理突發掉電情況時需要保存現有數據并避免數據丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM) 就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
我有個應用設計，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外擴了一片鐵電存儲器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作，但鐵電存儲器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
富士通FRAM存儲器有哪些特點？富士通FRAM存儲器在智能電表中有什么應用？
2021-07-11 06:09:49
比較高的客戶有用到。簡直是大海撈針。可能還有很多人不太了解這個產品，我簡單介紹一下，詳細了解可打咨詢熱線:(0755)82124969或QQ21444289鐵電存儲器FUJITSU FRAM 鐵電
2014-03-13 10:00:54
如今，有多種存儲技術均具備改變嵌入式處理領域格局的潛力。然而，迄今為止還沒有哪一種技術脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術的強勁競爭者，直到FRAM的出現這種情況才得以改變。鐵電
2019-08-22 06:16:14
帶FRAM存儲器MSP430常見問題及解答1. 什么是 FRAM？ FRAM 是 ferroelectric random access memory（鐵電隨機存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器
2018-08-20 09:11:18
富士通半導體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。
2019-07-26 07:31:26
電存儲器ＦＲＡＭ，則可很好地解決成本問題，同時又可得到更高的數據存儲可靠性。鐵電存儲器是ＲＡＭＴＲＯＮ公司的專利產品，該產品的核心技術是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存儲器產品同時擁有隨機存儲器
2019-04-28 09:57:17
可從全新的地點獲得更多的有用數據北京2011年5月4日電 /美通社亞洲/ -- 日前，德州儀器(TI)宣布推出業界首款超低功耗鐵電隨機存取存儲器(FRAM)16位微控制器，從而宣告可靠數據錄入和射頻
2011-05-04 16:37:37
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
proteus 可以仿真鐵電存儲器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
`海爾單片機樣片免費申請，主要包含：HR6P系列，HR7P系列，歡迎大家留言并來信申請免費樣品10片。大家可以根據單片機項目需要用到的資源，選擇對應單片機來申請。8pin海爾單片機包括型號為
2014-04-24 15:05:54
磁阻式隨機存儲器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
最近抽空參加了2013富士通半導體的MCU/FRAM鐵電存儲器技術研討會，演講的是一個華裔日本人，趕腳講的還是比較中肯滴，他說：“由于FRAM產品采用并行接口，I2C和SPI，采用8引腳SOP封裝
2013-07-15 10:19:16
隨機存儲器的特點及結構。SRAM隨機存儲器的特點隨機存儲器最大的特點就是可以隨時對它進行讀寫操作，但當電源斷開時，存儲信息便會消失。隨機存儲器依照數據存儲方式的不同，主要可以分為動態隨機存儲器
2022-11-17 16:58:07
申請樣片，賬號未通過，申請不了怎么辦？
2018-08-19 07:52:16
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產品數據寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數據保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
靜態隨機存儲器SRAM存儲數據原理
2021-02-26 06:36:26
鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器，應用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機的接口電路和軟件設計。
2009-05-13 16:25:45
25 該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據
2023-11-27 16:37:59
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
概述隨著DS32X35系列產品的發布，Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲器。這些器件采用了鐵電隨機存取存儲器(FRAM)技術，FRAM是非易失存儲器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43700 
鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822 FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設的FRAM產品。 不同接口的產品各自都有哪些特點呢？
2017-09-17 16:34:229447 
選用存儲器時主要考慮的指標包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性，以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達1014
2018-06-02 02:46:0014464 ADI近期升級了其在線免費樣片申請 (http://www.analog.com/zh/samples) 流程，簡化了的操作步驟縮短了填寫樣片申請所需時間，使申請者能夠更快、更容易地申請到ADI公司
2018-06-03 01:47:006354 如何通過ST官網申請MCU免費樣片
2018-07-05 00:05:005712 本文檔的主要內容詳細介紹的是PIC18F87K90單片機讀寫FRAM鐵電存儲器的方法存儲器免費下載。
2019-01-23 16:41:2532 ADI近期升級了其在線免費樣片申請 (http://www.analog.com/zh/samples) 流程，簡化了的操作步驟縮短了填寫樣片申請所需時間，使申請者能夠更快、更容易地申請到ADI公司
2019-07-01 06:14:001822 ADI近期升級了其在線免費樣片申請 (http://www.analog.com/zh/samples) 流程，簡化了的操作步驟縮短了填寫樣片申請所需時間，使申請者能夠更快、更容易地申請到ADI公司
2019-06-10 06:22:004897 關于SRAM隨機存儲器的特點及結構。 SRAM隨機存儲器的特點 隨機存儲器最大的特點就是可以隨時對它進行讀寫操作，但當電源斷開時，存儲信息便會消失。隨機存儲器依照數據存儲方式的不同，主要可以分為動態隨機存儲器（DRAM）與靜態隨機存儲器
2020-04-30 15:48:132878 
只讀存儲器和隨機存儲器區別：作用不同、特點不同
2020-07-27 15:09:4316295 FRAM是一種鐵電存儲器，它使用鐵電膜作為電容來存儲數據，即使數據沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 新型的存儲器既具有RAM的優點，又有非失易失性特征，同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數有限等缺點。 FRAM的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產品同時擁有隨機存取存儲器（RAM
2020-10-30 16:47:12802 鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和閃存）結合起來。
2020-12-03 11:53:166108 富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器（內存）。FRAM的數據保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器
2021-04-08 15:42:02824 
FRAM是一種新型存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫更快、壽命更長，FRAM已經應用于IC卡和MCU中，預計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產品具有明顯的高新技術特點，符合科創板屬性，目前上市公司中尚沒有從事該產品的開發。
2021-05-11 17:32:202107 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數據保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM （鐵電RAM） 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是一種非易失性存儲器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。FRAM兼具ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取存儲器）的特性，具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質，利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現信息存儲。 ?? FRAM結構圖 FRAM技術特點： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:141785 
FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣，因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41327 
FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
鐵電存儲器被用于醫療病人治療是生命監護儀，記錄或監控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監護儀存儲著病人預先記錄的基準信息，可以和最近測量的數據進行對照，如果發生異常情況，監護儀就會
2023-08-16 10:30:26
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數據保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
存儲中，鐵電存儲器在數據存儲方面的出色性能，可以應用在大量的現代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統、醫療設備、自動取款機、汽車記錄儀、工業儀器等等。國產鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
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