在我們的項(xiàng)目中，時(shí)常會(huì)有參數(shù)或數(shù)據(jù)需要保存。鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器就是我們經(jīng)常使用到的一系列鐵電存儲(chǔ)器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及使用。
2022-12-08 14:56:55
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對于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 
鐵電存儲(chǔ)器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲(chǔ)器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51521 
多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
2020-10-09 14:27:35
FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率，以支持對功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣，因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。這些吸引人的特性是鋯鈦
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進(jìn)整個(gè)系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
和非易失性存儲(chǔ)器就萬事大吉了么？令人糾結(jié)的是，有一種新的存儲(chǔ)器，它既是非易失的，同時(shí)又是能夠高速隨時(shí)讀寫數(shù)據(jù)的，也就是說能夠隨機(jī)存取的。這種存儲(chǔ)器就是FRAM(Ferroelectric Random
2012-01-06 22:58:43
存儲(chǔ)器：用來存放計(jì)算機(jī)中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運(yùn)算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等。 只讀存儲(chǔ)器（ROM）：只讀存儲(chǔ)器在使用時(shí)，只能讀出而不能寫入，斷電后ROM中的信息不會(huì)丟失。因此一般用來存放
2017-10-24 14:31:49
`存儲(chǔ)器：用來存放計(jì)算機(jī)中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運(yùn)算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等。 只讀存儲(chǔ)器（ROM）：只讀存儲(chǔ)器在使用時(shí)，只能讀出而不能寫入，斷電后ROM中的信息不會(huì)丟失。因此一般用來存放
2017-12-21 17:10:53
主頻較高時(shí)對應(yīng)使用快速型邏輯芯片（F系列）。結(jié)語FRAM產(chǎn)品為我們提供了可使用的存儲(chǔ)器的一種新選擇，在原來使用E2PROM的應(yīng)用中表現(xiàn)會(huì)更出色，為某些原來認(rèn)為需要使用SRAM的E2PROM的應(yīng)用系統(tǒng)
2014-04-25 13:46:28
概述：FM25640是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款64Kb的 FRAM 串行存儲(chǔ)器。它具有100億次的讀寫次數(shù)，掉電數(shù)據(jù)可保持10年。該器件支持SPI的模式0&3，最大可達(dá)到5 MHz的總線速度，結(jié)構(gòu)容量為8192×8位。它采用8腳DIP封裝。
2021-05-18 07:15:49
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
SRAM接口。所有這些實(shí)現(xiàn)都以某種形式的8引腳封裝提供。 SRAM和FRAM技術(shù)的常用功能 在最高級(jí)別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時(shí)存儲(chǔ)在內(nèi)存中的少量兆位的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的容量。該存儲(chǔ)器沒有特殊配置或頁面邊界，并且支持標(biāo)準(zhǔn)SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
狀態(tài)取反寫入存儲(chǔ)器。如果讀出狀態(tài)不在車庫內(nèi)，則產(chǎn)生刷進(jìn)脈沖，在車庫內(nèi)刷出。大致思路是這樣，用74LS123進(jìn)行延時(shí)，延時(shí)信號(hào)觸發(fā)存儲(chǔ)器的讀寫端，數(shù)據(jù)通過74LS244傳輸，中間用74LS175固定和取反
2016-07-23 00:01:59
MSP430FR 系列MCU 來實(shí)現(xiàn)多功能雙接口存儲(chǔ)器的方法。相比傳統(tǒng)存儲(chǔ)器(例如FLASH，SRAM，EEPOM)，FRAM集合了更多的優(yōu)勢，擁有更強(qiáng)大的功能。利用MCU的靈活性，用戶可以設(shè)計(jì)出功能
2019-06-13 05:00:08
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
，FRAM的高速運(yùn)行速度整體處理，允許寫入非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行全速而不是強(qiáng)迫MCU進(jìn)入等待狀態(tài)或阻塞中斷。 TI的FRAM微控制器系列的延伸，如MSP430FR5739其全功能MSP430FR5969系列設(shè)備
2016-02-25 16:25:49
EEPROM或閃存提供穩(wěn)健統(tǒng)一的存儲(chǔ)器架構(gòu)，從而可簡化安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)。FRAM的優(yōu)勢與基于閃存的傳統(tǒng)系統(tǒng)相比，FRAM可提供優(yōu)異的保留性與耐用性。采用閃存，數(shù)據(jù)按晶體管充電狀態(tài)存儲(chǔ)（如開或關(guān)）。寫入閃存
2014-09-01 17:44:09
的讀取和寫入。您可以使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口（SPI）總線訪問存儲(chǔ)器。在功能級(jí)別上，F(xiàn)-RAM的運(yùn)行方式與串行閃存和串行EEPROM類似。 CY15B104Q與具有相同引腳排列的串行閃存或EEPROM之間的主要區(qū)別在于F-RAM卓越的寫入性能，高耐用性和低功耗
2020-07-22 10:30:31
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展， 存儲(chǔ)器的種類日益繁多，每一種存儲(chǔ)器都有其獨(dú)有的操作時(shí)序，為了提高存儲(chǔ)器芯片的測試效率，一種多功能存儲(chǔ)器芯片
2019-07-26 06:53:39
/383681#M3607我要將數(shù)據(jù)矩陣存儲(chǔ)在fpga而不是LUT的塊存儲(chǔ)器中作為內(nèi)存！因?yàn)榛谖揖帉懙拇a中的上述鏈接，它使用LUT作為內(nèi)存而不是fpga的塊內(nèi)存。所以它的容量很低.....我需要更多的空間來存儲(chǔ)像素?cái)?shù)據(jù)。能否指導(dǎo)我如何在塊存儲(chǔ)器中寫入和讀取矩陣？謝謝
2019-11-07 07:30:54
對于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM) 就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
非易失性寫入性能優(yōu)于EEPROM。 EEPROM支持不同的頁面大小，在這種情況下的EEPROM中的較低頁面大小需要更多頁面寫操作和更多寫周期時(shí)間。因此造成額外的寫延遲。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">FRAM不是分頁的存儲(chǔ)器
2020-09-28 14:42:50
富士通FRAM存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？富士通FRAM存儲(chǔ)器在智能電表中有什么應(yīng)用？
2021-07-11 06:09:49
快 1000 倍。 此外，與需要兩步（寫入命令和隨后的讀取/驗(yàn)證命令）才能寫入數(shù)據(jù)的 EEPROM 不同，FRAM 的寫入操作與讀取操作發(fā)生在同一過程中。 只提供一個(gè)存儲(chǔ)器訪問命令，實(shí)現(xiàn)讀取或寫入功能
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM） RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
變更來完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū)）。FR57xx 系列突破了現(xiàn)有的存儲(chǔ)器功耗及可寫入次數(shù)限制，使得開發(fā)人員能夠憑借功能更多、連續(xù)工作時(shí)間更長的新產(chǎn)品所擁有的更高性價(jià)比的數(shù)據(jù)錄入、遠(yuǎn)程感測和無線升級(jí)能力
2011-05-04 16:37:37
存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
MSP430FR2311這個(gè)單片機(jī)的fram存儲(chǔ)地址是什么還有如何設(shè)置
2021-06-06 18:21:25
汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌?b class="flag-6" style="color: red">功能，如高級(jí)駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
虛擬存儲(chǔ)器具有哪些功能呢？虛擬存儲(chǔ)器的特征有哪些呢？
2021-12-23 09:04:39
功能介紹2.1 MSP430FRXX 系列MCU簡介TI 公司最新一代MSP430FRXX系列MCU 采用了FRAM作為代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，替代傳統(tǒng)MCUFLASH+SRAM 的結(jié)構(gòu)，并且其FRAM帶有
2019-06-12 05:00:08
、9uA就可以把數(shù)據(jù)寫完。通過比較可以看到，如果要寫很多數(shù)據(jù)到Flash等傳統(tǒng)存儲(chǔ)器里，FRAM速度會(huì)更快而所需功耗卻最低。從擦寫數(shù)據(jù)次數(shù)來看，一般存儲(chǔ)器寫一萬來次就到了極限，可FRAM可以在寫了10
2021-11-24 07:19:40
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37
半導(dǎo)體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機(jī)存儲(chǔ)器，它沒有BSRAM模組系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問題，而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫入時(shí)間長、擦寫次數(shù)低的缺點(diǎn),同時(shí)其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
存儲(chǔ)器的寫入次數(shù)可達(dá)一億億次，這幾乎可以認(rèn)為是無限次； iii. 超低功耗。FRAM的靜態(tài)工作電流小于10μA，讀寫電流小于150μA。2.1.2FM25640與MCU的連接圖 上圖是一款適用于電表
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
（Smart VoltageRegulator）；另一種方法是通過給控制柵加上負(fù)電壓（-10V左右），擠出浮置柵中的電荷（負(fù)極門擦除法）。各種電壓提供方式如圖 3 所示。圖 4 圖示了閃速存儲(chǔ)器單元的電壓
2018-04-10 10:52:59
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:25
66 鐵電存儲(chǔ)器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲(chǔ)器，應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機(jī)的接口電路和軟件設(shè)計(jì)。
2009-05-13 16:25:4525 介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310 鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解:
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822 EERAM是一款獨(dú)立的SRAM存儲(chǔ)器，同時(shí)在這同一個(gè)芯片上還包含了EEPROM影子備份，有助于在系統(tǒng)斷電時(shí)自動(dòng)保留SRAM存儲(chǔ)器中的內(nèi)容。EERAM提供對陣列的即時(shí)隨機(jī)寫入功能，沒有寫入周期延遲。I
2016-10-19 14:41:321034 FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是被稱為FeRAM。這種存儲(chǔ)器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。
2017-03-28 18:05:301459 與傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器相比，FRAM的功耗要低很多，而且寫入速度更快。對于類似的寫入，FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時(shí)間是EEPROM的1/40000，達(dá)到SRAM
2017-03-29 11:46:291659 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢？
2017-09-04 14:46:3010691 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢？
2017-09-17 16:34:229447 
這是一個(gè)256bit的非易失性存儲(chǔ)器FM25L256采用先進(jìn)的鐵電的過程。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性和執(zhí)行讀取和寫入內(nèi)存一樣。它提供了可靠的數(shù)據(jù)保持10年，同時(shí)消除了復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級(jí)的可靠性問題所造成的EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器。
2017-11-03 17:15:34124 選用存儲(chǔ)器時(shí)主要考慮的指標(biāo)包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產(chǎn)品功耗和存儲(chǔ)容量等。FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機(jī)存取特性，以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達(dá)1014
2018-06-02 02:46:0014464 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC18F87K90單片機(jī)讀寫FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載。
2019-01-23 16:41:2532 的 MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存儲(chǔ)器，具有高速數(shù)據(jù)寫入，低功耗和提供大量寫入周期的能力。 框圖 MB85R2001和MB85R2002 F
2020-06-28 16:04:16777 FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率，以支持對功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣，因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。 這些吸引人的特性
2020-08-13 16:49:10457 FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727 FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器，它使用鐵電膜作為電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 寫操作變慢;所有寫操作按總線速率 進(jìn)行，并非基于存儲(chǔ)器延遲。下面兩個(gè)實(shí)例和圖1說明寫延遲的影響。 實(shí)例1： 需要2毫秒將256字節(jié)的頁面數(shù)據(jù)通過1MHz 1C總線從控制器傳輸?shù)紼EPROM頁面內(nèi)。然后需要5毫秒將數(shù)據(jù)寫入到EEPROM內(nèi)。具有密度為1Mbit和頁面大小為256個(gè)字節(jié)的
2020-09-28 14:45:23562 
新型的存儲(chǔ)器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn)，又有非失易失性特征，同時(shí)克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM
2020-10-30 16:47:12802 集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍，功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億
2020-11-17 16:33:39571 “永久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能，可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。MRAM（磁性只讀存儲(chǔ)器）和 FRAM（鐵電 RAM）都具有相似的性能優(yōu)勢：低電壓運(yùn)行，長壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038 鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:166108 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片中的只讀存儲(chǔ)器（Read Only Memory，ROM），是一種存儲(chǔ)固定信息的存儲(chǔ)器，在正常工作狀態(tài)下只能讀取數(shù)據(jù)，不能即時(shí)修改或重新寫入數(shù)據(jù)。
2020-12-28 15:33:035983 獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”，FRAM 是存儲(chǔ)界的實(shí)力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲(chǔ)器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503 相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）芯片，由262，144字×16位非易失性存儲(chǔ)單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)制造。能夠保留數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:02824 
FRAM鐵電存儲(chǔ)器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢
2021-05-04 10:17:001850 
FRAM鐵電存儲(chǔ)器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。那么
2021-04-26 14:31:28544 富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM， 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器，FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:16689 
FRAM是一種新型存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫更快、壽命更長，FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中，預(yù)計(jì)未來具有廣闊的市場前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn)，符合科創(chuàng)板屬性，目前上市公司中尚沒有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107 FRAM是電力計(jì)量系統(tǒng)中使用的主要存儲(chǔ)器，由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優(yōu)點(diǎn)，FRAM在此領(lǐng)域迅速占領(lǐng)了市場；隨著電子設(shè)備和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)需求的增多使得FRAM受到廣泛應(yīng)用，FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見的計(jì)量系統(tǒng)中。
2021-05-12 16:52:49616 賽普拉斯型號(hào)CY15B104Q-LHXI主要采用先進(jìn)鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問題。
2021-05-16 16:59:521643 
引起的復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問題。并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。 FM25V05-GTR是串行FRAM存儲(chǔ)器。邏輯上將存儲(chǔ)器陣列組織為65，536×8位，并使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口（SPI
2021-06-08 16:32:20938 。鐵電存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行
2021-06-08 16:35:041683 FM25V10-GTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134 富士通FRAM是新一代非易失性存儲(chǔ)器，其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)介質(zhì)用于各種
2021-06-28 15:50:412599 
富士通FRAM（鐵電RAM）是新一代非易失性存儲(chǔ)器，性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)
2021-06-28 15:52:461394 
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM （鐵電RAM） 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565 集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億
2021-11-05 17:35:5918 FRAM（鐵電RAM）是一種寫入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如 EEPROM、閃存）相比，鐵電存儲(chǔ)器不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低
2021-11-11 16:24:091455 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，富士通推出了具有并行接口型號(hào)MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲(chǔ)芯片，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的特性，具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口
2022-03-15 15:43:44741 鐵電存儲(chǔ)器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn)： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:141785 
主要的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)包括電池備份SRAM、EEPROM和閃存。FRAM以類似于傳統(tǒng)SRAM的速度提供非易失性存儲(chǔ)。功能操作類似于串行EEPROM，主要區(qū)別在于其在寫入和耐用性方面的卓越性能。存儲(chǔ)器以I2C接口的速度讀取或寫入。在寫入期間，無需輪詢設(shè)備以查找就緒條件。
2023-01-11 15:24:35483 
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響，實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù)，并探討如何降低寫入放大對存儲(chǔ)器的影響。
2023-07-25 14:19:39254 TBW是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響，實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù)，并探討如何降低寫入放大對存儲(chǔ)器的影響。
2023-07-25 14:38:09404 
TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響，實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù)，并探討如何降低寫入放大對存儲(chǔ)器的影響。
2023-07-25 14:34:02892 
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417
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