FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數據保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作多年，并長期保持數據的能力建立這些強大的設備進入低功耗能量收集應用程序。

設備配置

設計人員可以找到FRAM存儲器支持并行，SPI串行或I2C / 2線串行接口。例如，連同其平行的1Mb MB85R1001A FRAM，富士通1MB的SPI串行器，MB85RS1MT，使設計人員能夠采用典型的SPI主/從配置（圖1）設備的任意數字。除了在較低的電源電壓比他們的同行并行操作，串行FRAM器件還提供了適用于空間受限的設計更小的封裝選項。例如，ROHM半導體32K SPI串行MR45V032A是在8引腳塑料小外形封裝（SOP）只有0.154測量“和3.90毫米寬度可用。

富士通MB85RS1MT的圖像

圖1：設備，如富士通MB85RS1MT允許使用熟悉的主/從配置為SPI-配備的MCU - 或使用使用設備的SI和SO端口，用于非基于SPI的設計，簡單的總線連接解決方案。

FRAM技術的優勢擴展到微控制器，如德州儀器MSP430FR MCU系列具有片上FRAM。在微控制器，FRAM的高速運行速度整體處理，允許寫入非易失性存儲器進行全速而不是強迫MCU進入等待狀態或阻塞中斷。 TI的FRAM微控制器系列的延伸，如MSP430FR5739其全功能MSP430FR5969系列設備。最小的設備在MSP430系列中，MSP430FR5739是一個24引腳2×2芯片尺寸的球柵陣列（DSBGA）可用，但包括5個定時器，一個12通道10位ADC，以及直接存儲器存?。?a href="http://m.xsypw.cn/tags/dma/" target="_blank">DMA）用于最小化在主動模式下的時間。

TI的MSP430FR5969是該公司低功耗MCU具有實質性芯片FRAM存儲（圖2）。在主動模式下，MCU僅需要為100μA/ MHz有源模式電流和450 nA的待機模電流與實時時鐘（RTC）啟用。在這一系列的設備包括一個全面的外設和一個16通道12位模擬 - 數字轉換器（ADC），其能夠單層或差分輸入操作。這些MCU還配備了256位高級加密標準（AES）加速器和知識產權（IP）封裝模塊，用于保護關鍵數據。

德州儀器MSP430FR5969 MCU的圖像

圖2：德州儀器MSP430FR5969 MCU結合周邊的全套帶有片上FRAM存儲器，而只需要100μA/ MHz有源模式電流和顯著少帶了多個低功耗模式（LPM）。