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      DS1265AB 8M非易失SRAM技術手冊

      要長高 ? 2025-02-27 09:19 ? 次閱讀

      概述
      DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態、寫保護將無條件使能、防止數據被破壞。該器件沒有寫次數限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。
      數據表：*附件：DS1265AB 8M非易失SRAM技術手冊.pdf
      特性

      • 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數據10年
      • 掉電期間數據被自動保護
      • 沒有寫次數限制
      • 低功耗CMOS操作
      • 70ns的讀寫存取時間
      • 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態
      • ±10% VCC工作范圍(DS1265Y)
      • 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1265AB)
      • 可選的-40°C至+85°C工業級溫度范圍，指定為IND
        引腳配置
        image.png
        推薦的DC操作條件
        image.png
        時序圖
        image.png
      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。 舉報投訴
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