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      DS1265AB adi

      數據：

      在沒有外部電源的情況下最少可以保存數據10年掉電期間數據被自動保護沒有寫次數限制低功耗CMOS操作70ns的讀寫存取時間 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態±10% VCC工作范圍(DS1265Y) 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1265AB)可選的-40°C至+85°C工業級溫度范圍，指定為IND DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態、寫保護將無條件使能、防止數據被破壞。該器件沒有寫次數限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。
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