嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量儀表到
2024-03-06 09:57:22
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36
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與主存儲(chǔ)器（內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（外存）有不同的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。 首先，我們來詳細(xì)了解ROM的特點(diǎn)和分類。ROM是一種非易失性存儲(chǔ)器，這意味著即使在斷電或重啟系統(tǒng)后，存儲(chǔ)在ROM中的數(shù)據(jù)仍然保持完整。這是由于ROM的存儲(chǔ)單元是由非可更改的電路或柵電勢(shì)器構(gòu)成
2024-02-05 10:05:10744 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
鐵電存儲(chǔ)器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲(chǔ)器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51518 
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03212 
工程監(jiān)測(cè)中振弦采集儀與其他監(jiān)測(cè)技術(shù)的比較研究 工程監(jiān)測(cè)中常用的監(jiān)測(cè)技術(shù)包括振弦采集儀、激光測(cè)距儀、全站儀、GPS等。下面是振弦采集儀與其他監(jiān)測(cè)技術(shù)的比較研究： 工程監(jiān)測(cè)中振弦采集儀與其他監(jiān)測(cè)技術(shù)
2023-12-27 14:57:34108 
：低功耗模式寫入工作，實(shí)現(xiàn)相同的讀/寫通信距離。? 大容量內(nèi)置存儲(chǔ)單元：記錄信息于電子標(biāo)簽，實(shí)現(xiàn)追溯應(yīng)用所需的大容量內(nèi)存單元。? 讀寫工作高耐久性：保證最高1萬億次
2023-12-27 13:53:33
需要在設(shè)計(jì)和開發(fā)過程中遵循一些最佳實(shí)踐。本文將詳細(xì)介紹如何最大限度地利用MCU的NVM。 1.選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器類型： MCU的NVM通常有多種類型可供選擇，例如閃存（Flash）、EEPROM（電可擦除可編程只讀
存儲(chǔ)器）和
FRAM（非易失性RAM）。根據(jù)需要，選擇適當(dāng)?shù)?/div>
2023-12-15 10:10:49507 在無線技術(shù)的世界中，藍(lán)牙技術(shù)因其獨(dú)特的特性和廣泛的應(yīng)用而脫穎而出。然而，像所有技術(shù)一樣，藍(lán)牙也有其優(yōu)勢(shì)和局限性，特別是當(dāng)與其他無線技術(shù)如Wi-Fi、Zigbee和NFC等進(jìn)行比較時(shí)。本文旨在探討這些
2023-12-14 16:18:07196 什么是內(nèi)存呢？在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來說，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器
2023-12-07 11:02:27623 在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
明渠流量計(jì)廣泛應(yīng)用于城市供水引水渠、火電廠冷卻水引水和排水渠、污水治理流入等流量的測(cè)量。智能明渠流量計(jì)系統(tǒng)的測(cè)量是通過旋槳式流速傳感器來測(cè)量流速；通過壓力傳感器測(cè)量水位；采用鐵電存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)的非
2023-11-27 10:17:05
存儲(chǔ)中，鐵電存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動(dòng)取款機(jī)、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器
2023-11-21 09:59:20
何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
對(duì)于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM) 就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲(chǔ)器測(cè)試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存儲(chǔ)器。因此鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
單片機(jī)功能強(qiáng)大，我想它可以完成存儲(chǔ)器6116的數(shù)據(jù)存取功能吧？這或許是認(rèn)識(shí)單片機(jī)比較容易的一步？討厭我這個(gè)問題的朋友您就別看了，我真的不是想愚弄您。
2023-10-07 08:16:39
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
以下主題概述了Altera的外部內(nèi)存接口解決方案。
Altera提供最快、最高效、延遲最低的內(nèi)存接口IP核。Altera的外部存儲(chǔ)器接口IP設(shè)計(jì)用于方便地與當(dāng)今更高速的存儲(chǔ)器設(shè)備接口。
Altera
2023-09-26 07:38:12
如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
對(duì)于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）、只讀存儲(chǔ)器（ROM）和硬盤存儲(chǔ)器等幾類。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272106 本參考手冊(cè)面向應(yīng)用程序開發(fā)人員。它提供了關(guān)于如何使用STM32G4系列微控制器存儲(chǔ)器和外圍設(shè)備。
STM32G4系列是一系列具有不同內(nèi)存大小和封裝的微控制器以及外圍設(shè)備。
有關(guān)訂購信息、機(jī)械
2023-09-08 06:59:58
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測(cè)方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測(cè)定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲(chǔ)單元中寫設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24524 
或是其他數(shù)據(jù)處理時(shí)，只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無延遲地儲(chǔ)存?zhèn)鞲?b class="flag-6" style="color: red">器所搜集的數(shù)據(jù)。故此鐵電存儲(chǔ)器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件，無論是BMS，還是VCU，這些系統(tǒng)
2023-09-01 10:04:52
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的需求增加，因?yàn)榉且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲(chǔ)器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲(chǔ)設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021023 庫的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MIFARE DESFire EV3特性和功能與其他MIFARE的比較.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-17 15:07:06
6 存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)（CPU 或 GPU）提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)人員可以選擇多種類型的存儲(chǔ)器
2023-08-17 09:54:20414 
鐵電存儲(chǔ)器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護(hù)儀，記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護(hù)儀存儲(chǔ)著病人預(yù)先記錄的基準(zhǔn)信息，可以和最近測(cè)量的數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)照，如果發(fā)生異常情況，監(jiān)護(hù)儀就會(huì)
2023-08-16 10:30:26
（SMC）。AHB MC有四個(gè)可訪問外部存儲(chǔ)器的AHB端口。每個(gè)AHB端口都有一個(gè)到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC和DMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。
2023-08-02 14:51:44
可訪問外部存儲(chǔ)器的AHB端口。AHB端口具有到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC（PL241）配置
2023-08-02 07:14:25
（SMC）。AHB MC有四個(gè)可訪問外部存儲(chǔ)器的AHB端口。每個(gè)AHB端口都有一個(gè)到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC和DMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC（PL242）配置
2023-08-02 06:26:35
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
顯示屏控制系統(tǒng)需要大量的內(nèi)存來對(duì)信息進(jìn)行存儲(chǔ)，在以前的系統(tǒng)中主要是使用靜態(tài)RAM加后備鋰電池及電源管理芯片組成，系統(tǒng)相對(duì)來說比較復(fù)雜，不可靠因素相對(duì)增加。
2023-07-06 09:36:44260 
虛擬存儲(chǔ)器(Virtual Memory)的基本思想是對(duì)于程序來說，它的程序(code)、數(shù)據(jù)(data)、堆棧(stack)的總大小可以超過實(shí)際物理內(nèi)存(Physical Memory)的大小
2023-06-29 14:10:481390 
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì)，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 的信息不會(huì)丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）上述問題就將迎刃而解。將國產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器。
2023-06-26 14:02:453775 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
主存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)
* **存儲(chǔ)容量**
存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實(shí)際存儲(chǔ)容量：** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度：** 存取時(shí)間是指從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10823 
磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061411 和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。1.1存儲(chǔ)器ROM介紹rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，
2023-05-19 17:04:36766 
停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。
1.1 存儲(chǔ)器ROM介紹
rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了
2023-05-19 15:59:37
在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤屬于“ 非易失性存儲(chǔ)器”，而內(nèi)存是“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”，屬于“易失性存儲(chǔ)設(shè)備“。
2023-05-17 15:40:191542 單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過關(guān)于存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
等變化影響。獨(dú)有的“微振動(dòng)分析”技術(shù)、“自校準(zhǔn)精度”技術(shù)、“小盲區(qū)”技術(shù)使之能夠可靠應(yīng)對(duì)多種液體工況的液位精確測(cè)量。與其他原理的幾種液位計(jì)相比較，在測(cè)量裝有涉及毒性氣體、液化氣體、劇毒液體的一級(jí)或者二級(jí)重大危
2023-04-19 14:24:28364 本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
和用于讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器是一種存儲(chǔ)器，可以在字節(jié)級(jí)別讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列，在塊中
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
/寫存儲(chǔ)器，在斷電時(shí)無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲(chǔ)器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲(chǔ)器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
其他存儲(chǔ)器 8-TSSOP 1.8V 5.5V
2023-04-06 11:15:39
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲(chǔ)器，一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
存儲(chǔ)器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲(chǔ)器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲(chǔ)器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲(chǔ)器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲(chǔ)器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲(chǔ)器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲(chǔ)器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
FPGA - 配置存儲(chǔ)器 IC - 配置存儲(chǔ)器內(nèi)存閃存 16Mb 40 MHz
2023-03-28 13:18:05
64 K（8 K×8）位I2C存儲(chǔ)器FRAM
2023-03-27 13:39:18
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