存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。

易失性存儲器的特點：掉電丟失數據，但存取數據速度很快。

而非易性存儲器最大的特性：掉電不丟失數據，可用于長期存儲數據。

易失性存儲器

易失性存儲器的代表就是RAM，即隨機存儲器。RAM通常作為操作系統或者系統正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。按照存儲結構，RAM又分為兩種，一種為DRAM(DynamicRAM)即動態隨機存儲器，另一種為SRAM(StaticRAM)即靜態隨機存儲器。

SRAM

SRAM存儲單元以鎖存器來存儲數據，不用周期性刷新，速率很快，但成本比較高。在正點原子的戰艦開發板中就有一個SRAM芯片(XM8A51216)，容量為8Mb，廬山真面目如下：

DRAM

DRAM存儲單元以電容的電荷來表示數據，電容存在充放電現象，所以需要規律性定時刷新。而DRAM又可以分為SDRAM、DDRSDRAM、DDRIISDRAM、DDRIIISDRAM和DDRIVSRAM。

SDRAM(SynchronousDRAM)同步動態隨機存儲器，即數據的讀寫需要時鐘來同步，這里只用到時鐘的一個邊沿。SDRAM相比SRAM來說，容量更大，但是讀寫速度不如SRAM。在正點原子的阿波羅F429開發板中就有一個SDRAM芯片，容量為32MB，廬山真面目如下：

DDRSRAM相比SDRAM，速度上更快，時鐘的雙邊沿都用來表示數據。而DDRIISRAM、DDRIIISRAM和DDRIVSRAM則在時鐘頻率上進行提升。現在電腦內存條普遍是DDR3或DDR4了。

非易失性存儲器

非易失性存儲器種類比較多，分別是ROM、FLASH以及外部大容量存儲器。

ROM

ROM(ReadOnlyMemory)只讀存儲器，又分為MASKROM(掩模ROM)、OTPROM(一次可編程ROM)、EPROM(電可擦寫ROM)和EEPROM(電可擦寫可編程ROM)。

MASKROM：真正意義上的只讀存儲器，一次性由廠家用特殊工藝固化，用戶無法修改。

OTPROM：由用戶用專門設備來一次性寫入數據，只能寫入一次。

EPROM：可重復擦寫，解決只能一次寫入的問題，但需要用專門的設備去操作，已被EEPROM取代。

EEPROM：可實現重復擦寫，直接用電路控制，不需要專門的設備來進行擦寫。且操作單位為字節，并不需要操作整個芯片。EEPROM現在已是主流。正點原子所有開發板都有使用到EEPROM，用來存儲一些配置信息。

FLASH

FLASH跟ROM相比，容量更大，但是操作的單位為多字節并不是一個字節。FLASH分為NORFLASH和NANDFLASH，這兩者在嵌入式開發中都是很常用的存儲器。

NORFLASH得益于地址線和數據線分開，可以以“字節”讀寫數據，所以允許程序直接在上面運行。在正點原子的北極星板子上，就是用NORFLASH存儲核心代碼。

NANDFLASH對比NORFLASH在成本上有很大的優勢，但是存在壞塊問題(NAND通常是以塊為單位進行擦除，塊內有一位失效整個塊就會失效)。

外部大容量存儲器

外部大容量存儲器就有磁盤存儲器(硬盤和軟盤)、光盤存儲器和SD卡。

磁盤存儲器，容量大，使用壽命長但價格貴，主要是用在個人PC中，較少用在嵌入式開發中。

光盤存儲器：用光學方式讀取/寫入信息的圓盤，一般用于多媒體信息載體，較少出現在嵌入式領域中。

SD卡：體積小，安全性也高。簡單設計一下外圍電路即可支持嵌入式開發，是常見的外部存儲器。