麥瑞半導體公司（Micrel Inc.）（納斯達克股票代碼：MCRL）今天推出了一款帶集成電荷泵的小型高邊MOSFET驅(qū)動器MIC5019，該器件是為在高邊開關應用中開關N溝道增強型MOSFET設計的。
2012-12-13 10:21:14
1496 MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
2023-03-28 22:34:35
，可控制電子電路中電子元件的器件。MOSFET是一種以極其低的特性電阻通過控制門電壓，來調(diào)節(jié)傳輸通道在正反兩端的電壓，從而傳輸電子電路的基本晶體管，是由于采用了金屬-氧化物-半導體工藝而開發(fā)出來的晶體管
2023-03-08 14:13:33
業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布，正式推出全國產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點的4GbSPINANDFlash產(chǎn)品——GD5F4GM5系列。該系列產(chǎn)品實現(xiàn)了從設計研發(fā)、生產(chǎn)制造到
2020-11-26 06:29:11
半導體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。
2011-10-23 22:05:11
半導體器件熱譜分析方法
2016-04-18 16:38:19
半導體器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57:16
半導體器件相關超級群94046358，歡迎加入！涉及半導體器件及其制造工藝及原料，有興趣的兄弟姐妹們加入了，500人的大家庭等著你...
2011-05-01 07:57:09
請問半導體分立器件怎么分類？
2011-10-26 10:29:14
摘要 : 導讀：ASEMI半導體這個品牌自打建立以來，就一直不間斷在研發(fā)半導體各類元器件，在半導體的制程和原理上可謂已經(jīng)是精益求精，今天ASEMI半導體要和大家一起分享的，就是這個半導體的制程導讀
2018-11-08 11:10:34
近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體
2021-07-12 07:49:57
本人小白，最近公司想上半導體器件的塑封生產(chǎn)線，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設備也不需要面面俱到，能進行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設備的信息，以及這些設備的國內(nèi)外生產(chǎn)廠家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
半導體存儲元器件工作原理
2017-02-05 13:25:23
半導體材料半導體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
請教下以前的[半導體技術天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導體氣敏器件相關資料分享
2021-04-01 06:01:54
:DZDN.0.2010-02-044【正文快照】：飛兆半導體(Fairchild Semiconductor)針對現(xiàn)今許多視頻產(chǎn)品平臺逐步淘汰S-video,以及四通道正在成為標準輸出配置之市場趨勢,推出支持機頂盒和DVD
2010-04-23 11:26:55
摘要： 本文介紹了飛兆半導體 mWSaver 技術中的一項功能，即 AX-CAP 放電功能，它實現(xiàn)了無負載和輕負載條件下業(yè)內(nèi)最佳的最低功耗，并符合 2013 能源之星和 ErP 規(guī)范。 這項創(chuàng)新
2012-11-24 15:24:47
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)公布截至2011年6月26日為止的 2011 年第二季業(yè)績報告。飛兆半導體報告第二季的銷售額為 4.332億美元，比上季增長5%，較
2011-07-31 08:51:14
飛兆半導體推業(yè)界領先的高壓柵極驅(qū)動器IC
2016-06-22 18:22:01
，飛兆半導體公司開發(fā)了下一代TinyBuck調(diào)節(jié)器系列產(chǎn)品，由集成式POL調(diào)節(jié)器組成，包含恒定導通時間的PWM控制器，以及帶有高端和低端MOSFET的驅(qū)動器。 FAN23xx系列可極大地提升終端用戶
2018-09-27 10:49:52
為了應對這些挑戰(zhàn)，全球領先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為大、中、小功率范圍LED照明應用提供廣泛的LED照明解決方案。 飛兆半導體
2011-07-13 08:52:45
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:55 編輯
飛兆半導體公司 （Fairchild Semiconductor） 為光伏逆變器、電機驅(qū)動和感應加熱應用的設計人員帶來同級最佳
2012-12-06 16:16:33
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出兩款高集成度模塊產(chǎn)品FDMS9600S和FDMS9620S，能夠顯著減少電路板空間，同時可在同步降壓設計中達到較高的轉換效率
2018-11-22 15:48:58
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出兩款高集成度模塊產(chǎn)品FDMS9600S和FDMS9620S，能夠顯著減少電路板空間，同時可在同步降壓設計中達到較高的轉換效率
2018-11-26 16:06:31
飛思卡爾半導體飛思卡爾半導體公司正在擴展其 8 位微控制器 (MCU) 系列，新推出的器件是要求低功率操作和高級顯示功能的個人診斷和便攜式醫(yī)療產(chǎn)品的理想之選。作為其液晶顯示器 (LCD) S
2019-07-26 06:56:09
為了滿足家電及其他電器產(chǎn)品對于低功耗微控制器不斷增長的需求，飛思卡爾半導體公司又進一步擴大其廣受歡迎的低端8位HCS08微控制器(MCU)系列，推出高性能的MC9S08SV16/8
2019-07-18 08:18:56
為了幫助解決引發(fā)溫室效應及全球變暖的汽車排放問題，飛思卡爾半導體現(xiàn)已在32位汽車微控制器（MCU）系列中引入集成的排放控制技術。與飛思卡爾其它動力總成微控制器類似，這些MCU幫助減少二氧化碳廢氣，為新興市場提供經(jīng)濟高效且精密的引擎控制設計。
2019-06-26 06:01:27
飛思卡爾半導體三款新MCU服務電表和流量計量飛思卡爾半導體日前推出針對電表和流量計量的三個高級微控制器 (MCU) 解決方案，同時還推出了綜合智能表參考設計解決方案。飛思卡爾微控制器讓智能表的設計具有篡改檢測機制和實時使用情況監(jiān)控功能，為客戶提供安全性更高的智能表產(chǎn)品。
2019-07-18 07:03:35
DCT1401半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)西安天光測控DCT1401半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs
2022-02-17 07:44:04
員所需要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
材料。與目前絕大多數(shù)的半導體材料相比，GaN 具有獨特的優(yōu)勢：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導率更高，使其成為最令人矚目的新型半導體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
RD-400，參考設計支持將FAN3111C器件納入用于工業(yè)照明應用的離線100W CCCV LED電源的設計中。 RD-400參考設計利用多種先進的飛兆半導體技術，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-27 08:47:28
RD-400，參考設計支持將FAN7346器件納入用于工業(yè)照明應用的離線100W CCCV LED電源的設計中。 RD-400參考設計利用多種先進的飛兆半導體技術，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-29 10:05:34
RD-400，參考設計支持將FAN7382器件納入用于工業(yè)照明應用的離線100W CCCV LED電源的設計中。 RD-400參考設計利用多種先進的飛兆半導體技術，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-29 06:34:48
RD-400，參考設計支持將FSL138MRT器件納入用于工業(yè)照明應用的離線100W CCCV LED電源的設計中。 RD-400參考設計利用多種先進的飛兆半導體技術，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-27 08:41:49
，該公司還將其大功率GaAs PHEMT器件的工作頻率擴展到6GHz，可用于WiMAX放大器。最近，飛思卡爾半導體宣布推出第一款具有100W輸出功率的兩級射頻集成電路(RF IC)。當由該公司高性價比
2019-07-09 08:17:05
經(jīng)歷了：全盛于六七十年代的傳統(tǒng)晶閘管、近二十年發(fā)展起來的功率MOSFET及其相關器件，以及由前兩類器件發(fā)展起來的特大功率半導體器件，它們分別代表了不同時期功率半導體器件的技術發(fā)展進程。概括來說，功率
2019-02-26 17:04:37
和模型 產(chǎn)品應用 先進半導體工藝開發(fā) PDK/SPICE模型庫開發(fā) SPICE模型驗證和定制 技術指標 支持器件類型：MOSFET， SOI， FinFET， BJT/HBT， TFT
2020-07-01 09:36:55
、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關
2021-05-25 08:01:53
1，半導體基礎2，PN節(jié)二極管3，BJT和其他結型器件4，場效應器件
2020-11-27 10:09:56
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
所在各類半導體功率器件中，未來增長強勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導體市場仍由歐美日企業(yè)主導，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對領先地位。全球功率半導體前十名供應商
2022-11-11 11:50:23
功率半導體器件應用手冊功率半導體器件應用手冊——彎腳及焊接應注意的問題本文將向您介紹大家最關心的有關TSE功率半導體器件封裝的兩個問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
根據(jù)不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發(fā)生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
快速增長的電動汽車市場，安森美半導體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數(shù)字隔離柵極驅(qū)動器以及一個用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源
2018-10-25 08:53:48
1.常用半導體器件型號命名的國家標準常用半導體器件的型號命名由五個部分組成，第一部分用數(shù)字表示電極的數(shù)目；第二部分用漢語拼音字母表示器件的材料和極性；第三部分表示器件的類別；第四部分表示器件的序號
2017-11-06 14:03:02
半導體元器件是用半導體材料制成的電子元器件，隨著電子技術的飛速發(fā)展，各種新型半導體元器件層出不窮。半導體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學習電子技術必須首先了解半導體元器件的基本結構和工作原理
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
電路板空間、降低功耗，以及實現(xiàn)出色的溫度特性和提高終端系統(tǒng)的可靠性。 除了 FAN7710外，飛兆半導體還針對線性熒光燈 (LFL) 設計和CFL應用推出FAN7711 器件。除了兩個高功率MOSFET外
2018-08-28 15:28:41
“通過創(chuàng)新，電子系統(tǒng)將使汽車可以自動操作，使其更加安全、舒適和高效”。飛思卡爾半導體汽車及標準產(chǎn)品部亞太地區(qū)市場總監(jiān)Allen Kwang高度評價汽車電子的創(chuàng)新意義。而汽車電子創(chuàng)新顯然與動力、底盤、安全、車身、信息娛樂系統(tǒng)發(fā)展趨勢息息相關。
2019-07-24 07:26:11
的應用提供了堅實的基礎。目前，隨著ALD(原子層淀積)技術的逐漸成熟，化合物半導體HMET結構以及MOSFET結構的器件質(zhì)量以及可靠性得到了極大的提升，進一步提高了化合物半導體材料在高頻高壓應用領域
2019-06-13 04:20:24
Fairchild超快二極管回收Fairchild可控硅回收FairchildMOSFET回收FairchildMOS管回收Fairchild功率MOSFET回收飛兆電力半導體收購飛兆功率晶體管收購飛兆功率
2020-11-02 16:58:26
電力半導體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
電子器件兩個名詞幾乎是同義詞，功率MOSFET的出現(xiàn)逐步改變了對功率半導體的傳統(tǒng)理解。原有的電力電子器件，基本上是一種服務于電力、大電機傳動和工業(yè)應用的器件。用電力來稱謂功率以后，使從事電力電子技術的人
2009-12-11 15:47:08
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
的一種最具有優(yōu)勢的半導體材料.并且具有遠大于Si材料的功率器件品質(zhì)因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀90年代.目前已成為新型功率半導體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22
Fairchild功率MOSFET、回收飛兆電力半導體收購飛兆功率晶體管 收購飛兆功率模塊 、收購飛兆IGBT模塊、飛收購兆IGBT單管收購飛兆二極管 收購飛兆快恢復二極管 收購 飛兆超快二極管、收購
2020-10-16 16:18:12
服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊。檢測標準l AEC-Q101分立器件認證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
功率半導體器件鳥瞰
當代功率半導體器件大致可以分成三類：一是傳統(tǒng)的各類晶閘管；二是近二十年來發(fā)展起來的功率MOSFET
2009-07-09 11:37:211672 
FDZ197PZ 飛兆半導體推出單一P溝道MOSFET器件
飛兆半導體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應用的設計人員帶來
2009-08-04 08:15:47604 安森美半導體推出12款新N溝道功率MOSFET系列
經(jīng)過100%雪崩測試的MOSFET提供業(yè)界領先的雪崩額定值，能承受電源和電機控制應用中的大電壓尖峰
2010年2月2日 – 應用
2010-02-03 10:13:151095 安森美半導體推出高壓MOSFET系列
應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能
2010-02-23 10:06:56831 半導體器件,半導體器件的種類
半導體器件從肯有2個管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究，且被廣泛地運用于手機、數(shù)碼家電產(chǎn)品
2010-03-01 17:25:025985 飛兆半導體高效率緊湊電源解決方案MOSFET器件
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方
2010-03-03 10:50:39633 飛兆半導體推出N溝道MOSFET器件可延長電池壽命
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)因應手機、便攜醫(yī)療設備和媒體播放器等便攜應用設備的設計和元件工
2010-03-20 08:51:551143 茂鈿半導體新一代MOSFET介紹
茂鈿半導體新一代MOSFET應用于直接式和邊緣式 LED背光驅(qū)動模塊,已被多家大型LED TV背光模塊企業(yè)采用，推出這些瞄準 LED 背光電視市場的新產(chǎn)
2010-04-09 09:18:411263 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出N溝道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，該器件經(jīng)專門設計以最大限度地減小傳導損耗和開關節(jié)點振鈴，并提升DC-DC轉換器的整體效率
2011-05-18 09:09:07704 深圳市拓鋒半導體科技有限公司專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售半導體分立器件，產(chǎn)品包括BJT、MOSFET、LDO、二極管、三端穩(wěn)壓器等。拓鋒半導體沒有自己的生產(chǎn)設備，依靠自己的技術和產(chǎn)業(yè)
2012-04-13 11:26:05882 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體（ON Semiconductor）推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），它們經(jīng)過設計及優(yōu)化，提供領先業(yè)界能效，優(yōu)于市場現(xiàn)有器件。
2014-05-21 11:36:44909 除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。
2021-05-24 06:07:0013964 
著名的電源半導體技術公司深圳市銳駿半導體有限公司最新推出一款MOS封裝新工藝。這款TO220-S封裝廣泛的適用于MOSFET、高壓整流器及肖特基等功率器件。
2022-03-12 17:57:131195 基礎半導體元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。
2022-09-21 00:08:34704 顯然特斯拉用的是意法半導體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導體要到2025年才開始推出。
2023-03-14 11:22:391450 功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035068 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 ，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177
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