電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示： DRAM控制器藏在您的系統(tǒng)核心芯片系統(tǒng)（SoC）中,可能有兩個(gè)，甚至是四個(gè)。有一些精心制作的邏輯小模塊，用于連接SoC內(nèi)部和外部DRAM，它們并沒有引起系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2012-10-22 09:53:12
3867 `25系列儲(chǔ)存器引腳定義圖 我也是借花獻(xiàn)佛`
2017-06-01 16:03:34
DRAM Customization on i.MX6x
2016-09-24 16:04:30
想了解DRAM 的EFA測(cè)試，以及她的測(cè)試程序如何，學(xué)習(xí)的技巧等
2020-11-13 13:53:41
運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲(chǔ)器，計(jì)算機(jī)才有記憶功能，才能保證正常工作。按用途存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器（內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（外存），也有分為外部存儲(chǔ)器
2012-08-15 17:11:45
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們?cè)诒举|(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
RAM有哪些分類？特點(diǎn)是什么？DRAM和SRAM對(duì)比分析哪個(gè)好？
2022-01-20 07:16:10
DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
小，256Kb-16Mb 5.集成度低，單位容量?jī)r(jià)格高 6.靜態(tài)功耗低，運(yùn)行功耗大 DRAM 1.速度較慢 2.需要刷新來保持?jǐn)?shù)據(jù) 3.需要MCU帶外部存儲(chǔ)控制器 4.容量大，16Mb-4Gb 5.集成度高，單位容量?jī)r(jià)格低 6.運(yùn)行功耗低
2020-12-10 15:49:11
寬帶系統(tǒng)互聯(lián)中的串行怎么選？DRAM總線的其他用途是什么？
2021-05-24 06:33:34
`這幾年以來，國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動(dòng)DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點(diǎn)。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
2018-10-12 14:46:09
)FlashAM29F400BB-55SI/T(SPANSION)FlashAM29F400BB-70EE/T(SPANSION)微控制器5962-8768407MUA(E2VPHILIPS)復(fù)雜可編程邏輯器件
2020-09-18 09:32:23
某16K x 4的存儲(chǔ)體由16個(gè)字長(zhǎng)為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時(shí)擴(kuò)展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲(chǔ)矩陣。分析：由題得，16個(gè)DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45
一種特定的類型：DRAM。DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種基于充電電容器的存儲(chǔ)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)起來非常快且便宜。它還允許高密度。但是DRAM并非沒有缺陷。DRAM中的一位可以存儲(chǔ)為電容器上是否存在電荷
2020-09-25 08:01:20
先準(zhǔn)備在DVSDK的基礎(chǔ)上移植u-boot,由于更換了DDR，因此要修該DDR的參數(shù)，但我找不到dram_init函數(shù)在哪一個(gè)文件里：搜索了一下有下面幾個(gè)文件比較像，但我不知到時(shí)哪一個(gè)，請(qǐng)各位幫忙
2020-08-17 11:19:18
親愛的FPGA專家，美好的一天！有人可以告訴我BRAM，DRAM和DMA之間的區(qū)別嗎？在什么特定情況下，每個(gè)適合使用？我們正在使用xilinx zedboard設(shè)備。非常感謝你。最好的祝福，格倫以上
2019-04-29 10:24:38
C語言編寫程序關(guān)閉電源或者是按下reset鍵后，儲(chǔ)存器沒有清零是為什么？
2022-01-18 07:47:20
通過 ODT 同時(shí)管理所有內(nèi)存顆粒引腳的信號(hào)終結(jié)，并且阻抗值也可以有多種選擇，內(nèi)存控制器可以根據(jù)系統(tǒng)內(nèi)干擾信號(hào)的強(qiáng)度自動(dòng)調(diào)整阻值的大小。”如題，DDR2和DDR3的ODT功能只存在DQ，DQS和DM中，而這三個(gè)信號(hào)不存在多顆粒共用情況，都是每片DRAM顆粒獨(dú)立工作，怎么能起到抑制反射的作用呢？
2018-01-19 09:43:18
使用NI的 FPGA，開辟了一個(gè)1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個(gè)MCK一個(gè)地址的刷新DRAM中的數(shù)據(jù)，也就是每個(gè)地址刷新時(shí)間不到17微秒，一開始出現(xiàn)一個(gè)數(shù)據(jù)都寫不進(jìn)去，我
2018-11-07 23:57:30
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
LPDDR5 DRAM芯片有什么性能？LPDDR5 DRAM芯片有哪些新功能？
2021-06-26 07:37:30
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
2021-02-05 06:11:16
程序儲(chǔ)存器——ROM程序儲(chǔ)存器用與存放用戶程序、數(shù)據(jù)、以及表格等信息。程序代碼存放的地方。下載后掉電不擦除。STC8A8K64S4A12 集成了64k的Flash 程序儲(chǔ)存器。 這個(gè)Flash 是指
2022-01-26 07:24:59
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
STM8微控制器有哪些類型
2020-11-11 08:02:46
DRAM控制器方向的時(shí)鐘及由控制器向DRAM方向的時(shí)鐘兩個(gè)系統(tǒng)，通過改變讀操作與寫操作時(shí)所利用的時(shí)鐘，實(shí)施時(shí)鐘相位偏移的處理對(duì)策，基本上采用了接近理想的處理方式。 圖的右上
2008-12-04 10:16:36
我有一個(gè)crio9023，它支持USB儲(chǔ)存器，我知道有一個(gè)可以掃描儲(chǔ)存器大小的一個(gè)VI，但是就是想不起來了。那位同學(xué)可以幫幫我
2012-06-20 12:57:01
操作都要刷新DRAM內(nèi)的電荷，因此DRAM設(shè)計(jì)為有規(guī)律的讀取其內(nèi)的內(nèi)容。刷新技術(shù)有以下幾個(gè)好處：1.只要使用/RAS激活每一行便可做到全部刷新。2.用DRAM控制器來控制刷新，防止刷新操作干擾有規(guī)律
2010-07-15 11:40:15
較高的聲望。據(jù)了解，有技術(shù)人員指出DRAM的微細(xì)化極限是20nm，DRAM在單元中的電容器里儲(chǔ)存電荷，對(duì)有電荷狀態(tài)分配1、無電荷狀態(tài)分配0，以此記錄信息。但是，隨著微細(xì)化發(fā)展，電容器的表面積越來越小
2015-12-14 13:45:01
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
分析閃存控制器的架構(gòu)，首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲(chǔ)介質(zhì)分為兩種，一種是采用閃存（Flash芯片）作為存儲(chǔ)介質(zhì)，另外一種是采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)。我們通常所說的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2019-09-27 07:12:52
映像時(shí)報(bào)告以下錯(cuò)誤：
“無法將 ELF 轉(zhuǎn)換為 S-Record。確保 ELF 包含符號(hào)表并重建映像”
我正在使用配置工具版本 6
如果我使用調(diào)試器將程序加載到 DRAM 中，我的程序確實(shí)會(huì)運(yùn)行，所以我不明白為什么配置工具會(huì)出現(xiàn)此錯(cuò)誤。
2023-04-28 07:02:14
來源：電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報(bào)告，2006年第二季全球DRAM銷售額較第一季成長(zhǎng)15.5%。主要原因來自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43:30
80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場(chǎng)的上導(dǎo)產(chǎn)品之一，已廣泛應(yīng)用于電腦終端、程控交換和工控等領(lǐng)域。在該嵌入式微處理器片內(nèi)，集成有DRAM RCU單元，即DRAM刷新
2019-11-07 06:01:59
80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場(chǎng)的上導(dǎo)產(chǎn)品之一，已廣泛應(yīng)用于電腦終端、程控交換和工控等領(lǐng)域。在該嵌入式微處理器片內(nèi)，集成有DRAMRCU單元，即DRAM刷新控制單元。RCU單元可以自動(dòng)產(chǎn)生DRAM刷新總線周期，它工作于微處理器的增益模式下。
2019-09-25 07:38:04
如何對(duì)E2PROM進(jìn)行通訊呢？如何去實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器通訊的設(shè)計(jì)呢？
2022-01-21 06:13:07
本文探討了幾個(gè)設(shè)計(jì)考量和方法用以緩解GDDR6 DRAM實(shí)施所帶來的挑戰(zhàn)。特別指出了在整個(gè)接口通道保持信號(hào)完整性的重要性。必須特別重視GDDR6存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)的每個(gè)階段，才能夠成功解決信號(hào)完整性
2021-01-01 06:29:34
嗨，我已經(jīng)搜索了很多關(guān)于配置PS DRAM控制器（DDRC）板參數(shù)的信息，鏈接如下，http：//www.xilinx.com/support/answers/46778.htm， 我想知道如何獲得包裝長(zhǎng)度？謝謝！
2019-11-07 08:43:39
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
狀態(tài)信號(hào)S2、S1和S0的解碼來檢測(cè)總線的開始、類型和結(jié)束。這些狀態(tài)線是在CLKOUT的上升沿開始有效，在CLKOUT的下降沿失效的。DRAM控制器發(fā)出的RAS和CAS信號(hào)應(yīng)該在CLKOUT的下降沿
2011-02-24 09:33:15
存儲(chǔ)器有哪些分類？由哪些部分組成？常見的儲(chǔ)存器有哪些？如何選擇儲(chǔ)存器？
2021-11-04 06:44:30
閃存卡SFCA064GH1AD4TO-I-GS-236-STD嵌入式系統(tǒng)開發(fā)板和套件YSTBS5D3E10DRAM芯片MT53D1024M32D4DT-046微控制器R5F100FCAFP#50閃存卡
2020-09-18 09:13:47
`就液晶顯示器中的儲(chǔ)存器，有些是用來存儲(chǔ)顯示器生產(chǎn)年月，有些是用來存儲(chǔ)使用時(shí)間~那么儲(chǔ)存生產(chǎn)年月的，這個(gè)通過軟件能到是那一年的，但是儲(chǔ)存器芯片不知道是那個(gè)，具體修改是怎么弄，有誰知道~`
2017-10-28 23:34:30
有沒有辦法重置和重新初始化 DDR 控制器？DRAM 類型是 LPDDR4。
我們的目標(biāo)：我們嘗試為組裝有不同大小 RAM 的電路板系列實(shí)施解決方案。
為了獲得可重現(xiàn)的結(jié)果，我們尋求在嘗試下一個(gè)配置
2023-05-16 09:03:04
本文介紹了怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎(chǔ)上，利用CPLD技術(shù)和80C196XL的時(shí)序特征設(shè)計(jì)一個(gè)低價(jià)格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實(shí)現(xiàn)。
2021-04-28 07:10:38
安路哪些器件自帶大容量?jī)?nèi)部儲(chǔ)存器？
2023-08-11 08:19:50
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
問題嗎？第一是在學(xué)習(xí)運(yùn)放是，我知道運(yùn)放的輸入電阻很大，那為什么電流不直接從反饋電阻流過了？第2程序是以什么形式在儲(chǔ)存器中的（如硬盤、SD卡、光盤等），為什么程序可以控制硬件的動(dòng)作了？ 這2個(gè)問題困擾
2013-04-19 09:00:15
C6748 上電時(shí)默認(rèn)L1DRAM全部為cache，1、那么如果我在程序中沒有對(duì) L1DRAM進(jìn)行操作或配置，程序運(yùn)行時(shí)L1DRAM中的數(shù)據(jù)是否會(huì)有變化？2、L1DRAM作為 cache是如何工作的？
2018-07-25 07:46:25
比如L4+我知道SRAM和寄存器是能正常供電的，但是DRAM stop模式下是正常供電的嗎？？
2019-01-15 08:19:38
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
什么是DRAM DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很
2010-01-07 10:00:451224 什么是EDO DRAM/All-in-One
EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出DRAM。對(duì)DRAM的訪問模式進(jìn)行一些改進(jìn)，縮短內(nèi)存有效訪問
2010-02-05 09:34:05631 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機(jī)存貯器)是指通過指令可以隨機(jī)地、個(gè)別地對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問、訪問所需時(shí)間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3313084 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器"。。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，
2010-03-24 16:17:211587 利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類產(chǎn)品線，各產(chǎn)品線主要終端應(yīng)用產(chǎn)品各自不同。加總Mobile DRAM、Specialty DRAM與Graphics DRAM等3大產(chǎn)品總市場(chǎng)需求，DIGITIMES預(yù)估
2011-10-28 09:39:003382 本文提出一種新穎的解決方案：利用80C186XL的時(shí)序特征，采用CPLD技術(shù)，并使用VHDL語言設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)DRAM控制器。
2012-02-02 11:29:581185 
80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場(chǎng)的上導(dǎo)產(chǎn)品之一，已廣泛應(yīng)用于電腦終端、程控交換和工控等領(lǐng)域。在該嵌入式微處理器片內(nèi)，集成有DRAM RCU單元，即DRAM刷新
2012-05-21 11:21:381380 
在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個(gè) Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
2017-03-17 16:12:144417 
隨著系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會(huì)接入多個(gè) DRAM Devices。而多個(gè) DRAM Devices 不同的組織方式，會(huì)帶來不同的效果。本文將對(duì)不同的組織方式及其效果進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。
2017-03-28 11:43:371300 
DDR 控制器部產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān) 概述 DDR DRAM內(nèi)存控制器要滿足眾多市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的需求。一款出色的內(nèi)存控制器必須能夠增加存儲(chǔ)器接口的帶寬，滿足CPU、圖形處理、系統(tǒng)實(shí)時(shí)DRAM的延遲需求，同時(shí)符合
2017-11-18 18:23:122522 DRAM控制器由80C186XL狀態(tài)信號(hào)S2、S1和S0的解碼來檢測(cè)總線的開始、類型和結(jié)束。這些狀態(tài)線是在CLKOUT的上升沿開始有效，在CLKOUT的下降沿失效的。DRAM控制器發(fā)出的RAS和CAS信號(hào)應(yīng)該在CLKOUT的下降沿同時(shí)有效，行列地址應(yīng)該在CLKOUT上升沿附近提供。
2018-08-12 09:03:05796 
紫光集團(tuán)日前宣布，組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，委任刁石京為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群的董事長(zhǎng)，委任高啟全為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群的CEO，這表明紫光集團(tuán)的DRAM戰(zhàn)略正式起航。
2019-07-04 17:53:063697 外儲(chǔ)存器是指除計(jì)算機(jī)內(nèi)存及CPU緩存以外的儲(chǔ)存器，此類儲(chǔ)存器一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)。
2019-12-12 09:11:409934 DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
美光本周二公布其用于DRAM的1α新工藝，該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%，功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存，未來或?qū)⒌采w美光所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442202 DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DRAM、FPM DRAM、Mobile DRAM等等。
2023-01-12 09:12:485428 
DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非常快，如HBM，但也很昂貴。其他類型速度較慢，但價(jià)格便宜，如基本的DDR DIMM。然而，變化的是，在異構(gòu)架構(gòu)中，兩者都可以發(fā)揮重要作用，以及多種其他DRAM類型和更狹義的存儲(chǔ)器，如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13244 
。Objective Analysis總經(jīng)理吉姆漢迪（Jim Handy）表示，根據(jù)原始數(shù)據(jù)，同樣容量的SRAM成本可能是DRAM的2500倍以上，具體取決于DRAM的類型。
2023-11-22 16:36:08477 
dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921
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