EEPROM是“ElectricallyErasable Programmable Read-only”（電可擦寫可編程只讀存儲器）的縮寫，EEPROM在正常情況下和EPROM一樣，可以在掉電的情況下保存數據
2023-07-20 17:41:38
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工規、5G通訊、車載等相關領域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產品基于95nm先進EEPROM工藝，具備低功耗、超寬電壓、高可靠等特性，其中擦寫壽命大于400萬次、數據保
2023-05-04 13:56:111160 
28035 存儲區域里，有EEPROM功能嗎？
變量可以在線擦寫，掉電不丟失？
2018-06-06 01:00:05
EEPROM擦寫頻率EEPROM擦寫頻率怎么理解？怎么根據擦寫頻率選擇EEPROM還是flash？比如如下這個案列每100ms采集一次數據，每秒存20個字節（實際使用清空EEPROM存儲的數據是每周
2022-11-09 18:56:36
如圖1所示，EEPROM（帶電可擦寫可編程讀寫存儲器）的最大優點是能夠利用電信號進行擦除和重編程。與EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）擦除數據時需要使用紫外線照射相比，EEPROM使用電信號即可
2019-07-09 04:20:11
EEPROM寫入完成。（2）現象：保存在EEPROM里的配置信息自動被改變。 原因：在EEPROM讀寫過程中進入了中斷服務程序，而中斷服務程序也調用了EEPROM讀寫函數。 解決方法：a.保證
2011-10-18 14:31:36
AT24C02、ST24C02等。??EEPROM在嵌入式開發中使用廣泛，在此之前，有總結過MCU下24系列EEPROM的驅動接口——“24系列EEPROM/FRAM通用接口”。根據該文章中的接口，作調整，使...
2021-12-24 06:39:28
意法半導體ST25TV芯片系列提供了NFC forum標簽，使消費者能夠體驗數字化生活。嵌入式EEPROM存儲器的存儲密度范圍從512位到64 Kb不等，可覆蓋各種應用，包括品牌保護和門禁控制。
ST25TV系列提供最先進的RF性能以及強大的保護功能，例如block lock機制與加密密碼。
2023-09-14 08:25:12
單元類似，寫EEPROM單元時，有單字節和8字節并行兩種方式，寫入時間一般為5 ms。EEPROM單元可讀寫30萬次。這種EEPROM結構有利于減少周邊器件，降低成本。 （2）上電復位電路 片內可以
2021-05-25 06:07:13
最近公司領導要用ST系列的單片機，好像中文資料不多啊，我很關心寄存器如何操作的資料，誰有這方面資料，可以發到我的郵箱hkxhkm@126.com,謝謝各位大俠了。
2013-05-04 19:09:02
和 EEPROM 最大的不同在于以下兩點：a) EEPROM可以按位（實際應用通常按字節）擦寫，Flash需按頁進行擦除。b) Flash的頁擦除壽命周期大概是10000次，EEPROM的擦除壽命周期更優。針對
2020-08-15 14:23:57
AT32F4系列FLASH擦寫操作的地址偏移說明擦除或者編程flash 時，如果操作地址不在flash 絕對地址范圍內，則操作會失敗？
2023-10-23 08:24:03
方案應用上具有如下優點： ◆ 程序EEPROM 內置32*14 bit程序EEPROM，可重復擦寫100萬次，有利于大數據記憶和存儲。 ◆ ADC 內置最多14路高精度12位ADC，工業級高精度
2020-06-30 16:27:42
DM2016操作，當讀取DM2016里面的eeprom數據的時候，在寫入空間地址時沒有接收到應答，但是寫入芯片地址有收到應答。并且在對eeprom寫入數據的時候，無論什么時候都有應答，就是在
2016-10-31 14:16:43
。STM32F103x8, STM32F103xB1. FLASH擦寫時間和電流2.FLASH擦寫次數和數據保存年限擦寫1萬次，保存20年。STM32F427xx STM32F429xx1. FLASH擦寫電流2. FLASH擦寫時間編程32bit只要16us，速度提高了近4倍。3. 使用VPP擦
2021-08-05 06:46:03
低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。當然用FLASH做數據存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構，現在已基本上停產了。現
2021-12-10 08:23:11
M451中，FMC控制flash讀寫，數據可否做到寫100萬次？要用什么機制？有沒有例程？
2023-06-25 08:02:41
Flash，可用于存儲非易失性數據，但是由于 Flash 與 EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實際應用中，這種應用方式并不能夠滿足所有客戶的需求...那么訣竅來了~~提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命的方法
2019-10-18 09:00:50
穩定性。有了技術和產品質量的雙保險，Atmel920 9G25 , NXP1050ST TI Resane單片機和RK1108 全志 安凱 sonix MTK 等主控并都在支持列表中NXP1050 搭配ATO 的并口的NAND FLASH ECC:1Bit 可擦寫次數達到10萬次穩定性可靠性更高.
2018-06-04 15:08:40
page.P24C512B provides the following devices for different application.作為半導體行業的創新者，普冉推出的110nm非易失性存儲器具備業界領先的400萬次
2019-01-05 14:21:14
page.P24C512B provides the following devices for different application.作為半導體行業的創新者，普冉推出的110nm非易失性存儲器具備業界領先的400萬次
2019-01-05 14:06:26
write_eeprom ( void ) { // while ( WR )//等待上一次寫操作結束 // { //asm ("clrwdt"); //喂狗 // } EEPGD = 0 ;//設置
2018-07-03 07:02:36
write_eeprom ( void ) { // while ( WR )//等待上一次寫操作結束 // { //asm ("clrwdt"); //喂狗 // } EEPGD = 0 ;//設置
2018-07-09 06:30:30
num;do{;}while(RD==1);//上一次讀操作是否完成EEADR=addr; //EEPROM地址為00HEEPGD=0; //指向EEPROM數據儲存器RD=1;//開始讀do
2018-07-02 00:16:46
num;do{;}while(RD==1);//上一次讀操作是否完成EEADR=addr; //EEPROM地址為00HEEPGD=0; //指向EEPROM數據儲存器RD=1;//開始讀do
2018-07-06 06:14:02
PSOC4 EEPROM 寫操作需要多長時間，為了增加EEPROM擦寫次數，寫操作是在一開辟的空間內滾動操作嗎，組件需要如何配置
2024-02-21 07:22:29
？詢問客戶了解到，用戶利用上位機發送命令修改設定頻率、多段頻率等參數，頻率比較高，使用一個多月便報EEPROM故障了。因為EEPROM擦寫次數是有限制的，即EEPROM的壽命，一般為10萬次，質量好
2014-08-26 15:52:54
℃和-40℃~125℃。這些EEPROM提供1Kband 1Mb的存儲密度，并在400KHz至10MHz的輸入頻率下工作。推薦產品：BR24T16F-WE2；BR24T16FVT-WE2
2019-11-15 09:16:49
，產品涵蓋通用型和車載應用型，根據接口形式分為I2C總線、SPI總線接口、Microwire總線接口三種。產品可靠性高，擦寫次數可達100萬次，數據保留時長可達40年，ROHM車載應用型EEPROM均符合
2019-07-11 04:20:11
STC15系列單片機內部集成了大容量的EEPROM，與其程序空間是分開的。利用ISP/IAP技術可將內部Data Flash當EEPROM，擦寫次數在10W次以上。EEPROM可分為若干個扇區，每個
2021-12-09 07:18:50
STM32L系列單片機內部提供了EEPROM存儲區域，但實質上，其FLASH也是EEPROM類型，只不過有一塊區域被開放出來專門用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用壽命設計為
2021-12-02 06:51:58
寫了一個上位機程序，對USB虛擬串口設備，連續通訊幾十萬次后會出現一次下圖錯誤。但是在設備管理器里，com口還是正常的。大神們，有遇到過這種情況嗎？
2019-01-17 07:51:21
芯片特點：1. 二進制兼容 HEX替換，不修改軟件替換2. M0內核Coremark 跑分和ST一致，內核不會變慢（真正做到性能替換）3. ADC精度 （國內領先）4. ESD可以到8KV，SRAM帶奇偶校驗可靠性指標（國內領先）5. flash 擦寫保證2萬次，壽命到100年
2023-09-21 06:31:32
最傳統的一種EEPROM，掉電后數據不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。具有較高的可靠性，但是電路復雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節到幾百千字節的，絕少有超過512K
2018-09-26 14:29:06
使用的EEPROM是10萬次壽命的，也就是說最多只能記錄到1萬公里就無法寫入了。我在網上找了一些資料，大部分人的解決方案是用空間換取時間，也就是分別寫入不同的空間內換取更長的時間。我也設想過利用RTC
2013-08-14 22:02:39
，還是可以直接重寫？
2，其規格書上寫的讀寫壽命10萬次，按理解應該是擦寫10萬次，讀的次數應該是沒有次數限制的對嗎？
3，如果我每次只寫一頁中的一個字節，那這個字節的擦寫次數仍能達到10萬次嗎？
4
2023-06-25 10:24:18
1000000次寫入之后，我們不能使用內部EEPROM或任何。過程中會出現故障。 以上來自于百度翻譯 以下為原文 I'm using PIC16F628A controller.In my
2019-02-25 13:57:24
寫入0或者1。這是最傳統的一種EEPROM，掉電后數據不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。具有較高的可靠性，但是電路復雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節到幾百千字節的，絕少
2018-11-28 10:25:44
內部Flash模擬EEPROM一、原因由于STM32F103系列的單片機內部Flash的擦寫次數僅有10k次，如果遇到想要存儲又多變，又需要掉電保存的數據，就顯得有點捉襟見肘了。我決定利用單片機
2022-01-26 06:59:28
概述有些應用有著嚴格實時需求，需要在操作閃存擦除/編程時保證程序仍然能運行及響應一些關鍵信息來保證整個系統的正常。但是一般存儲執行擦寫操作時CPU會停止運行，并且花費時間較長，這就會導致一些異常情況
2022-02-14 07:39:42
在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據，由于成本原因，某些單片機在芯片內部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在
2019-09-23 08:31:04
嵌入式Flash存儲介質與EEPROM的主要特性對比增加Flash模擬EEPROM擦寫壽命的方法
2021-03-18 06:10:12
用變址尋址原理突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限
2021-03-18 06:00:25
我是第一次使用 ISO15693 芯片 ST25DV64K。V_EH 輸出進入 1.8 V 穩壓器，穩壓器的輸出為微控制器供電。我想知道如何確保微控制器首先通過 I2C 將其數據寫入
2023-01-31 08:05:55
如何調用庫函數對flash進行擦寫編程讀操作,將庫加入工程發現無法正常調用,我使用的是keil4
2020-06-15 09:20:22
概述：ST24C16是意法半導體公司（STMicroelectronics）出品的一款支持I2C總線協議的16kbit EEPROM存儲器，其具備100萬次可擦寫、保存40年數據不丟失等特性，...
2021-04-08 07:55:26
功能，既簡單并且對用戶透明。這經常讓人們誤認為嵌入式閃存不能滿足 EEPROM 耐用性要求。然而，EEPROM 的耐擦寫次數通常可達到 100 萬次。過去，大多數 MCU 和智能卡應用所要求的耐擦寫
2020-08-14 09:31:37
參考，有效地完成模數轉換。6：帶有10個大電流口，灌電流可達80mA。7：芯片帶有內部DATA_FLASH，擦寫次數可達10萬次，可替換外部EEPROM。8：高精度內部時鐘，全溫度-40度~85度實際變化范圍可做到正負1.5%。9：采用1T51核，標準KIEL開發平臺，開發簡單
2018-01-16 10:37:29
EEPROM通常擦寫次數都在百萬次以下，如果每秒寫一次，幾天就廢了，有沒有擦寫次數無限制的類似產品？
2023-11-08 06:15:04
均值和報警次數。5. 使用For 循環、Case 結構及順序結構構建VI。要求分別使用公式節點和LabVIEW 算術函 數實現開普勒方程 y=x-esin x , 0≤e≤1，使用利用順序結構和定時選板下的時間計數 器.vi 比較兩種實現方法計算200 萬次開普勒方程所用時間。
2014-04-02 11:14:33
STM8S105集成了多達1K的EEPROM（掉電數據不會丟失）最高可以支持30萬次的擦寫次數，用戶可以將一些數據保存在EEPROM中
2021-08-03 07:39:18
在3D打印機上使用SLC顆粒的SD NAND代替傳統使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機掉電測試。解決TF卡在3D打印機上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
Grade 1全面改進。除了更高的溫度范圍，使用次數已提高到400萬次寫碼次數（而不是100萬），并且保留到200年（而不是100）。最小電源電壓為1.7 V，溫度可達125°C，整個電壓范圍為2.5伏
2018-10-25 08:59:43
學生時代走來的人們，大概也就知道ATMEL 24C0X系列吧，就好像我畢業的時候以為世界只有51和AVR，開個玩笑！工程師主要考察E2PROM的參數無非就是擦寫次數、功耗、穩定性、價格，其中10萬次擦寫
2014-09-29 13:50:13
雖說Flash這東西能擦寫個上萬次，但是調程序的時候一遍一遍的擦寫還是有點下不去手啊，呵呵。就想用RAM來調程序。代碼量不大的情況下用片內的RAM調試我是會的。但是例如顯示圖片一類的代碼量比較
2019-05-07 23:38:18
請問片內flash一般能擦寫多少次
2024-02-19 08:32:52
一， 問題描述今天遇到一個客戶，問了這個問題，所以在此和大家分享下。關于kinetis K系列的eeprom，大家都知道，是使用flexRAM以及flexNVM分區組合模擬而成，但是在flexNVM
2016-06-06 11:51:30
STM32L系列單片機內部提供了EEPROM存儲區域，但實質上，其FLASH也是EEPROM類型，只不過有一塊區域被開放出來專門用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROMSTM32L
2016-06-30 14:21:32
I2C串行EEPROM系列中文資料,數據手冊:美國微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）生產的電擦寫式只讀存儲器系列24CXX、 24LCXX、24AAXX 和24FCXX （24XX*）容量范圍為128 位到512 千位。該系列
2009-07-12 19:36:28
10 HT48 MCU讀寫HT24系列EEPROM的應用
HT24 系列的EEPROM 總共8 個管腳，三個為芯片地址腳A0、A1、A2，在單片機對它進行操作時，從SDA 輸入A0、A1、A2 數據和芯片外部A0、A1
2010-03-25 09:52:0226 msp430系列的單片機讀寫全操作EEPROM的程序，經過試驗，完全可行
2015-12-14 17:23:3745 STM8S 內部eeprom操作，寄存器版
2016-08-31 15:24:1610 100，000次。 當應用所需計數超過這一數字時，有必要將計數器更新值分散載入至多個字節，以實現可能的最大計數，而不管是否會因EEPROM的可靠性出問題而引發錯誤。在單元可擦寫次數為1 0萬次的EEPROM上，理論上能將可實現的最大計數增至10萬次，方法是與計數器使用的字節數相乘。
2018-03-27 18:02:460 “耐擦寫能力 （Endurance）”（指 EEPROM）的定義中包含一些需要明確定義和理解的詞語和短語。從以下段落可以看出，不同廠商使用不同的標準。“耐擦寫循環（Endurance Cycling
2018-06-20 09:26:006 在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸為NOR器件的八分之一，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
2018-10-07 15:37:0012471 我們板子上使用的這個器件是 24C02，是一個容量大小是 2Kbits，也就是 256 個字節的 EEPROM。一般情況下，EEPROM 擁有 30 萬到 100 萬次的壽命，也就是它可以反復寫入 30-100 萬次，而讀取次數是無限的。
2018-10-17 16:46:385234 
IP供應商力旺電子極力布局車用電子市場，提出可編寫次數超過50萬次的嵌入式EEPROM（電子抹除式可復寫唯讀存儲器）矽智財（Silicon IP），來因應車用市場的需求，且不需要額外加光罩即可應用于現有平臺上，不單是車用電子，也可用于指紋識別、電源管理IC、NFC、RFIC等。
2018-12-19 16:56:49672 按塊擦除。 EEPROM不能用來存程序，通常單片機的指令尋址不能到這個區域。EEPROM的擦寫次數應有百萬次，而且可以按字節擦寫。 EEPROM在一個PAGE內是可以任意寫的，FLSAH則必須先擦除成BLANK，然后再寫入，而一般沒有單字節擦除的功能，至少一個扇區擦除。
2019-09-26 17:16:001 （1）首先STC既指的是宏晶半導體公司，也指的是單片機芯片的一種編程方式，關于flash和EEPROM區別，簡單來說就是flash擦寫次數小于1萬次，每次擦除只能按塊擦除，但是EEPROM的擦寫次數是百萬次的，而且擦除可以以字節為單位
2019-08-07 17:33:007 STM32L系列單片機內部提供了EEPROM存儲區域，但實質上，其FLASH也是EEPROM類型，只不過有一塊區域被開放出來專門用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用壽命
2019-08-05 17:34:0011 Flash屬于廣義的EEPROM，因為它也是電擦除的ROM。但是為了區別于一般的按字節為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它Flash。
既然兩者差不多，為什么單片機中還要既有Flash又有EEPROM呢？
2019-05-03 09:45:004601 FLASH是用于存儲程序代碼的，有些場合也可能用它來保存數據，當然前提是該單片機的FLASH工藝是可以自寫的（運行中可擦寫），但要注意FLASH的擦寫次數通常小于一萬次，而且通常FLASH只能按塊擦除。
2020-01-25 16:16:0029822 電子發燒友網為你提供(ti)ST-EEPROM-FINDER相關產品參數、數據手冊，更有ST-EEPROM-FINDER的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，ST-EEPROM-FINDER真值表，ST-EEPROM-FINDER管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2020-05-20 17:05:18
EEPROM是電可擦可編程只讀存儲器的意思，eeprom故障可能是輸入輸出存儲器錯誤，也可能是輸入輸出存儲器芯片斷路、短路或者內部擊穿。按照相關協議來看，EEPROM錯誤的情況多數為A0區間的值由于誤操作或者I2C沖突而被改寫。通常的解決辦法是RMA回原生產廠家維修。
2020-08-04 10:14:5038093 
EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）是一類通用型非易失性存儲芯片，在斷電情況下仍能保留所存儲的數據信息。長期以來，EEPROM憑借高可靠性、百萬次擦寫、低成本等優勢，在消費電子、計算機及周邊、工業控制、白色家電、通信等傳統應用領域有著優秀表現。
2020-11-20 10:41:533178 得益于容量大、價格低的優勢，如今越來越多的SSD硬盤轉向QLC閃存，大家擔心的主要是QLC閃存的壽命，具體來說就是P/E擦寫次數，通常在1000次左右，而IBM現在解決了QLC壽命問題，做到了史無前例的16000次擦寫壽命，壽命比SLC還強。
2020-12-08 09:40:034096 本應用筆記旨在提供有關如何防止閃存意外擦寫操作（可能導致輕微到災難性現場故障）的指南和最佳實踐。在固件中添加閃存編程保護功能有助于降低發生問題的風險，確保穩健的現場更新。以下內容通過了解潛在問題來提高固件的穩健性，并提供了避免這些問題的方法。
2021-03-30 14:19:078 向EEPROM 存儲計數器值時的一個常見問題是，可實現的最大計數會受到計數器中的最低有效字節（LeastSignificant Byte，LSB）可擦寫次數的限制。典型 EEPROM的可擦寫次數約為100，000次。 ?
2021-04-02 10:05:551 “耐擦寫能力 （Endurance）”（指 EEPROM）的定義中包含一些需要明確定義和理解的詞語和短語。從以下段落可以看出，不同廠商使用不同的標準。“耐擦寫循環（Endurance Cycling
2021-05-11 09:41:488 以帶標識頁的M95M01-DF EEPROM為例 介紹M95xxx系列EEPROM 包括內存組織 S(嵌入式開發需要考什么證書)-BLE通信中，常見的操作有請求、響應、命令、指示、通知、確認，可根據不同的操作完成不同的應用功能設計。
2021-07-30 10:56:4215 EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用壽命設計為100000次擦寫以上，容量為2K-4K，這對于一般設備的參數存儲來說是非常理想的。但從EEPROM使用方式看，其不適用...
2021-11-23 17:21:3716 STC15系列單片機內部集成了大容量的EEPROM，與其程序空間是分開的。利用ISP/IAP技術可將內部Data Flash當EEPROM，擦寫次數在10W次以上。EEPROM可分為若干個扇區，每個
2021-11-26 14:51:0833 STM32f0301. FLASH擦寫時間2. FLASH擦寫次數和數據保存年限只能擦寫1000次，有點少。非必要，不要擦寫。比如記憶流水號之類，經常變動的數據，最好使用EEPROM
2021-12-01 20:36:1314 內部Flash模擬EEPROM一、原因由于STM32F103系列的單片機內部Flash的擦寫次數僅有10k次，如果遇到想要存儲又多變，又需要掉電保存的數據，就顯得有點捉襟見肘了。我決定利用單片機
2021-12-02 11:36:2131 STM8S105集成了多達1K的EEPROM（掉電數據不會丟失）最高可以支持30萬次的擦寫次數，用戶可以將一些數據保存在EEPROM中
2021-12-23 19:36:321 AN394_微型EEPROM通用I_O操作
2022-11-21 08:11:200 flash屬于廣義的EEPROM，因為它也是電擦除的rom。但是為了區別于一般的按字節為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它flash。
2023-01-29 11:11:07774 NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術，其中NANDFlash存儲器具有容量較大，擦寫速度快等優點。它們的廣泛應用就不用小編敲黑板了吧？然而，市場上流行的NANDFlash產品，尤其是
2023-03-31 10:34:54383 
FLASH擦寫操作非法操作解決方案-HK32F030M應用筆記（二十四）
2023-09-18 10:56:46324 
近日，普冉半導體推出創新的 P24C系列高可靠 EEPROM 產品，應下游客戶及市場需求，公司該新款系列產品可達到 1000萬次擦寫壽命，是公司為電表市場開發的超群產品，達到目前行業領先的擦寫次數。
2023-12-01 11:12:50563
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