相較于處理器芯片，存儲性能這些年在智能手機上的重要性也開始逐漸凸顯。據(jù)Android Authority總結，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存儲卡將會成為新一輪旗艦智能機將要占領的技術之制高點。

與中端千元機在閃存上拉開了較大差距，UFS 2.2的出現(xiàn)將有助于改善這一現(xiàn)狀。 相比UFS 2.1，UFS 2.2最大的特點是加入了WriteBooster寫入加速，而寫入速度的提升可以帶來應用更快的啟動

來做宣傳。這些消息足以看出，今年即將迎來UFS 4.0的推進。UFS作為目前智能手機常用的閃存規(guī)范之一，幾乎已經(jīng)是安卓機標配了，那么新的UFS 4.0又有何改動呢？ ? 尺寸變小，速度翻倍 ? 既然是

我們知道，在華為最新旗艦處理器Kirin960上對UFS2.1的支持，能夠讓閃存讀取速度增加很多，那么這種技術究竟是什么來的？說到UFS 2.0，需要提一下另一個概念eMMC，相信大家對eMMC

因為疫情影響，各大手機品牌紛紛開展線上發(fā)布會，5G手機大戰(zhàn)已然開啟，與此同時UFS 3.1閃存也成了熱門，近日vivi發(fā)布了旗下性能最強的SA＆NSA雙模5G旗艦手機iQOO 3 5G版，就首發(fā)

閃存。 ? ? 容量方面，該系列產(chǎn)品能夠提供內存容量由6GB到12GB、閃存容量由128GB到512GB。 ? 性能方面，LPDDR5能夠支持25GB/s的讀寫速度，相較之前的LPDDR4X快1.5

更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式閃存設備已開始送樣(2)。以小封裝尺寸提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于各種下一代移動應用。鎧俠?UFS 產(chǎn)品性能的改進使這些應用程序能夠利用 5G 的連接優(yōu)勢，從而加快下載速度、減少延遲時間并改善用戶體驗。 鎧俠UFS 4.0產(chǎn)品

如何避免套路，幫助大家選擇到適合自己的手機？UFS2.1比UFS2.0快？實際上真是如此嗎？

總的來說，UFS3.0的綜合性能，特別是持續(xù)讀寫速度有著秒殺UFS2.1前輩的表現(xiàn)，只是在隨機讀寫和SQLite性能上，卻依舊和雙通道的UFS2.1持平，有些小遺憾。最后，咱們再來科普一下eMMC

UFS - RECTIFIERS ASSEMBLIES - Microsemi Corporation

UFS 3．0閃存與UFS 2．1閃存相比有哪些提高？

外觀都可以適用一般的 MicroSD Card 插槽 , 雖然訊號傳輸方式不同 , 但是 layout 布局可以並行相容.也就是說, 在現(xiàn)階段 UFS Crad 尚未普及之前 , 客戶可以進行

三部分：前端UFS接口（M-PHY），UFS控制器和閃存介質（圖中的Memory模塊）。VCC給閃存介質供電，VCCQ一般給閃存輸入輸出接口和UFS控制器供電，VCCQ2一般給M-PHY或其它...

eMMC和UFS它們的差別究竟有多大？UFS究竟比eMMC快在哪里？UFS的優(yōu)勢具體體現(xiàn)在哪些方面呢？

ufs3.1和ufs2.1區(qū)別是什么？ufs3.0和ufs3.1區(qū)別是什么？

手機參數(shù)為什么都是8GB+128GB？手機的這些參數(shù)是越大越好嗎？這些數(shù)字代表什么？LPDDR4X是什么？UFS2.1又是什么？LPDDR4X與UFS2.1有什么差別？

3.1閃存+LPDDR5內存，讀取、寫入以及續(xù)航等方面大幅提升將定義2020年高性能旗艦機新標桿，預計有望刺激其他手機品牌廠跟進搭載UFS3.1的步伐。S25FL064LABBHI030S25FL064LABBHI033S25FL064LABBHB020S25FL064LABBHA023S25FL064LABBHA020S25FL064LABBHV020S25FL064LABBHV023S25FL064LABBHV030S25FL064LABBHV033S25FL064LABNFA010S25FL064LABNFA011S25FL064LABNFA013S25FL064LABNFB010S25FL064LABNFB011S25FL064LABNFB013S25FL064LABNFI010S25FL064LABNFI011S25FL064LABNFI013S25FL064LABNFM010S25FL064LABNFM011S25FL064LABNFM013S25FL064LABNFV010S25FL064LABNFV011S25FL064LABNFV013S25FL064LABNFA040S25FL064LABNFA043S25FL064LABNFB040S25FL064LABNFB043S25FL064LABNFI040S25FL064LABNFI041S25FL064LABNFI043S70FL01GSDSMFV013S70FL01GSAGMFA013S70FL01GSAGMFB013S70FL01GSAGMFV011S70FL01GSDPMFV013S70FL01GSDSMFV010S70FL01GSAGMFA010S70FL01GSDPMFV010S70FL01GSAGMFI013S70FL01GSDPMFV011S70FL01GSAGMFV013S70FL01GSDPMFI010S70FL01GSAGMFI011

eMMC是什么意思？UFS是什么意思？eMMC與UFS它們之間到底有什么差異呢？

UFS vs. eMMCUFS 規(guī)格不斷進版, 繼UFS2.1 於2016年制定, 目前已是高階手持式產(chǎn)品主流. 今年 UFS3.0 規(guī)格已被制定, 整體速度可以提升至2400MB/s.結論

。之前emmc幾乎統(tǒng)治了移動市場，這一標準從emmc4.3一路發(fā)展到現(xiàn)在的5.1，傳輸速度也從50MB/S一路狂飆600MB/S的速度。后來更強大的ufs就登場了，同樣都是閃存芯片，讀寫速度確高不少，ufs2.0理論速度達到780MB/S、UFS 2.1更是高達1.5GB/S。UFS協(xié)議雖然是三星主

什么是UFS？什么是NVME？UFS與NVME這兩者分別代表了什么含義？有什么樣的特點？為什么安卓使用的是UFS，而蘋果則是NVME呢？

什么是閃存？eMMC和UFS之間的區(qū)別在哪里？UFS2.0和2.1之間有何不同？

，因此實際接口帶寬為23.2Gbps，可換算為2.9GB/s。并且電壓也比前代UFS2.1更低，對降低設備的功耗和發(fā)熱有著強大效果，實現(xiàn)了性能再翻倍！那么，UFS3.0有什么用呢？最直觀的便是采用

卡到EMMC、再到UFS卡，存儲卡的速度是越來越快，現(xiàn)在一般手機的配置是EMMC，而旗艦手機的配置是UFS，很明顯UFS將會是未來一段時間的手機存儲的主流，快是唯一的原因。　　所謂的UFS即

手頭有些UFS,想利用些做個SSD的移動硬盤，尋找支持UFS的主控芯片以及方案！

相比于UFS3.0，存儲芯片UFS3.1主要有哪些方面的變化？加入了哪些新特性？

為什么還有平板使用eMMC？eMMC和UFS的區(qū)別是什么？

請問一下UFS3.0和LPDDR5是分別從哪兩個方面影響手機的？

請問一下eMMC真能優(yōu)化成UFS？手機閃存到底是指什么？

9月18日訊 – 微電子產(chǎn)業(yè)全球領導標準制定機構JEDEC固態(tài)技術協(xié)會今天發(fā)布通用閃存（UFS）標準2.0版。該標準專為需要高性能低功耗的移動應用和計算系統(tǒng)而設計。相比前一版本，新的UFS 2.0版提供更大的鏈路帶寬以提高性能，延伸安全功能，并進一步降低功耗。

UFS存儲卡在多媒體資料傳輸上具有優(yōu)勢，其連續(xù)讀取速度可達每秒530MB，與SATA固態(tài)硬碟相當，是一般microSD卡的5倍，連續(xù)寫入速度則是高階microSD卡的2倍。以讀取5GB的Full HD電影時，UFS卡只要10秒，而microSD則需50秒。

現(xiàn)在有消息稱，三星的Galaxy S8有可能會采用8GB內存和UFS 2.1閃存芯片，而今年的10月份，他們就曾發(fā)布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。

　　最近手機圈備受關注的一件事，就是華為P10閃存規(guī)格eMMC和UFS混用的問題！小米6發(fā)布會上，雷軍只字不提閃存規(guī)格的事，只在官網(wǎng)標注了UFS閃存，具體是2.0還是2.1成為了一個謎，但早期拿到工程機的大神測試，讀寫速度達到了UFS2.1的標準！

emmc5.1以及ufs2.0閃存是因為ufs2.1的產(chǎn)量問題之外，今日有媒體爆料三星將在國內市場上銷售的所有的S8系列都標配ufs2.1規(guī)格的閃存，根本不給大家抽獎的機會。

　　雖然很多人并不知道UFS 2.1/2.0和eMMC 5.1全稱是什么，但是在各大手機廠商的強力轟炸下，大家多多少少知道這是一種閃存標準。目前來看，UFS閃存在速度相較領先，后者就像是上一個時代的產(chǎn)物。

正在華為被P10“閃存門”事件困擾得頭大之時，老對手三星又來補刀了。據(jù)多次曝光三星新品消息的微博博主“i冰宇宙”表示，國行S8/S8+將一律采用UFS2.1，不給你抽獎的機會。

因為華為P10閃存門的問題，最近一段時間網(wǎng)友對一部手機使用什么規(guī)格的閃存格外關注。而現(xiàn)在有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)三星在海外比如說美國地區(qū)悄悄地撤銷了手機閃存描述，也就是刪去了UFS 2.1閃存的描述。

近日閃存門可謂是愈演愈烈，而現(xiàn)在有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)三星在海外比如說美國地區(qū)悄悄地撤銷了手機閃存描述，也就是刪去了UFS 2.1閃存的描述。當然之前三星之前就在閃存描述下面指出，“部分國家規(guī)格可能有差別”。而經(jīng)過網(wǎng)友的驗證，部分美版的Galaxy S8/S8+手機使用的是東芝生產(chǎn)的UFS 2.0閃存。

隨著UFS的普及，多數(shù)人可能更關心UFS2.0/UFS2.1之間的具體區(qū)別，下面小編就帶各位讀者一探究竟。

　華為P10閃存門事件后，手機閃存規(guī)格的使用成為熱門關注對象。索尼官方表示，新旗艦Xperia XZ Premium將標配UFS2.1閃存。 5月17日，5月17日（明天），索尼將在北京正式發(fā)布

這是HTC對新旗艦U11的一個宣傳海報：全部都是UFS2.1閃存存儲，HTC U11玩轉暢快品質保證。

華為P10閃存混用事件絕對是今年手機圈的大事，其影響力不容小噓！小米6發(fā)布會上，雷軍沒有詳細介紹閃存規(guī)格，而且官網(wǎng)參數(shù)也只顯示UFS閃存。另外，三星也在旗艦機S8上混用閃存，并且國行版全部采用UFS 2.1版本！

繼此前被曝光配置參數(shù)和真機外觀之后，近期網(wǎng)絡關注度超高的旗艦手機-努比亞 Z17 又漏出消息，努比亞 Z17 將全線采用UFS 2.1 的閃存，從網(wǎng)友@肥威曝光的截圖來看，努比亞 Z17的測試數(shù)據(jù)三星GALAXY S8更好。

最近華為P10手機混用UFS閃存和eMMC閃存的事情是鬧得沸沸揚揚，雖然華為一再強調更換閃存對用戶在P10手機上的使用體驗不會產(chǎn)生影響，但畢竟UFS閃存與eMMC閃存之間存在著巨大的性能差異，這個

據(jù)媒體Benchlife報道，知名主控廠商群聯(lián)電子已經(jīng)研制出了第二代UFS2.1主控，并且已經(jīng)通過了華為和高通的認證測試，這意味著這款閃存距離上市不遠了，而搭載麒麟處理器和高通處理器的產(chǎn)品，都能夠用上這塊閃存，會為手機帶來更好的系統(tǒng)流暢性，特別是在應用安裝、游戲讀寫等方面。

，可能要比頂級SSD和入門SSD之間的性能差別還要大。偏偏有的廠商會在同一型號的手機中，混用UFS 2.1閃存和eMMC 5.1閃存，你很難確定你買到的手機里面用的是性能頂尖的UFS 2.1，還是千元機級別的eMMC 5.1。

三星512GB UFS閃存開始量產(chǎn)，它具有860MB/s讀取速度和255MB/s寫入速度，它的存在必將滅亡手機存儲卡。

UFS 2.0閃存的亮點正是讀取速快，相對主流動的eMMC 5.0閃存讀取速更快，據(jù)悉UFS 2.0閃存一秒即可寫入20首以上的歌曲，它能行更快的完成讀取操控，從而更早的回到待機狀態(tài)。

近日三星電子發(fā)布量產(chǎn)256GB eUFS 2.1車用內存，為下一代駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）做準備。同時UFS 3.0進軍車用儲存256GB嵌入式通用快閃儲存 2.1解決方案已開始量產(chǎn)。

在內存領域三星是絕對的霸權，最大的內存市場，先進的內存技術，導致全球閃存受制于他。但是市場格局出現(xiàn)了微妙的變化，美光強勢殺入UFS 2.1手機閃存，三星可能不再霸權。

據(jù)消息稱，東芝公司已計劃發(fā)布能應用于手機、電腦與AR/VR設備中的首項采用UFS 3.0版技術的嵌入式閃存芯片。

本篇主要介紹UFS的架構、系統(tǒng)模型、信號定義（包括eUFS和UFS Card）等，以對UFS接口有個粗略的了解。

今日晚間（5月5日），一加CEO劉作虎對外確認，一加7系列將全部采用UFS 3.0閃存。

由于三星Galaxy Fold延期發(fā)售，一加7 Pro有望成為首款配備UFS 3.0閃存芯片并上市銷售的旗艦機。

近日旗艦新機一加7的參數(shù)已經(jīng)曝光了不少，其中一項就是一加7全系將會采用UFS 3.0。

6月17日消息，高通驍龍855旗艦平臺已經(jīng)商用，有關下一代旗艦平臺驍龍865的信息開始被曝光，消息人士稱高通驍龍865旗艦平臺將會支持LPDDR5X內存和UFS 3.0閃存。

驍龍855 Plus還支持UFS 3.0高速閃存。與UFS?2.1相比，UFS 3.0讀取速度提升67%，寫入速度提升31%，是目前行業(yè)最高存儲標準，經(jīng)過實際測試，UFS 3.0順序讀取達到

8月31日消息，博主@數(shù)碼閑聊站爆料稱小米將在9月中上旬公布第一款驍龍855 Plus+UFS 3.0閃存的5G手機。

努比亞最新發(fā)布的這款電競游戲旗艦手機紅魔3S，在延續(xù)全球首創(chuàng)內置風扇散熱技術的同時，標配高通驍龍855 Plus移動處理器、UFS3.0閃存、配備4800萬像素索尼IMX 586 CMOS攝像頭

采用UFS 3.0閃存的iQOO Neo 855版順序讀取速度可以達到1479MB/s，比UFS 2.1快90%，順序寫入速度更是提升160%.

2019進入第四季度手機圈突然活躍起來，一眾新品紛紛登場，其中不少是高性能代表作。而在主打性能表現(xiàn)的新旗艦中，除了搭載規(guī)格更高處理器之外，UFS 3.0閃存也逐漸成為標配，甚至可以說無UFS 3.0不旗艦。

性能是否夠用與能否滿足用戶心理一直是兩個事情，畢竟任何人都會追求極致的性能體驗。首先，我們要弄清楚UFS2.1規(guī)格的讀寫速度是否能夠滿足5G網(wǎng)絡使用需求。

要說起今年旗艦機最火的“標準配置”，UFS 3.0一定占得一席。那么，UFS 3.0是什么？它能給智能機體驗帶來質的提升嗎？

10月21日消息，iQOO為新品iQOO Neo 855版預熱。它最高配備256GB UFS 3.0閃存，這是iQOO旗下第二款配備UFS 3.0閃存的旗艦（首款是iQOO Pro）。

由于小米9 Pro沒有用上UFS3.0閃存，成為了數(shù)碼發(fā)燒友們口誅筆伐的對象。都2019年下半年了，頭部廠商的旗艦機依然用UFS2.1閃存的，小米可以說是為數(shù)不多的幾個。

5G時代，隨著手機網(wǎng)速的暴漲，手機的配置要求也隨之發(fā)生了改變。其中，UFS 3.0最先被消費者所關注，大部分的用戶都認為5G手機必須標配UFS 3.0閃存。除了UFS 3.0閃存之外，5G手機還有哪些配置需要注意的呢？

通常來說，以前在智能手機和平板電腦上會使用eMMC 5.1存儲，因為這種存儲較為便宜。到了現(xiàn)在的旗艦手機eMMC存儲已經(jīng)滿足不了需求了，所以出現(xiàn)了UFS 2.1 和UFS 3.0存儲。

在手機選擇上，或許很多人只看重處理器和運行內存，這是沒錯的，強悍硬件是手機擁有好體驗的基礎。不過，對于當下5G手機而言，不僅要看處理器，產(chǎn)品配備UFS閃存的規(guī)格也是非常關鍵的，其直接影響到手機是否擁有流暢體驗。

從今年開始一加7使用了UFS 3.0高速閃存之后，手機的閃充就火了起來。之前對于手機的閃存，關注的都是大小，很少有人知道還有規(guī)格之分。

如今多數(shù)消費者選購手機時，往往比較在意手機的處理器性能和充電拍照等方面，但是手機閃存的規(guī)格常常被多數(shù)消費者所忽視。

自從一加7Pro推出之后，除了90Hz的屏幕，另一個亮點就是UFS3.0閃存顆粒，其傳輸速度達到了1.5GB/S，可以說是UFS2.1標準的兩倍，而這并不是UFS 3.0的理論速度，其理論速度可以達到3GB/S，也就是一部高清電影可以輕松一秒傳輸。

其實realme真我X50 Pro采用了UFS 3.0+Turbo Write+HPB的先進閃存技術，在技術上跟JEDEC標準的UFS 3.1（UFS3.0+Write Booster）是一致的，都是最大程度提升了順序寫入的性能速度，只是在命名上有所區(qū)別。

昨日，iQOO 3 5G首發(fā)UFS 3.1閃存，調試信息顯示芯片顆粒來自三星。

現(xiàn)在消費者對手機閃存越來越關注，其實還要追溯到去年華為鬧出的“閃存門”事件。在這件事沸沸揚揚好一陣之后，連普通消費者也開始知道手機閃存有eMMc 5.0、eMMc 5.1、UFS 2.0和UFS 2.1等規(guī)格。

此前有數(shù)碼博主測試，華為 Mate 40 Pro 閃存讀寫性能可達普通 UFS 3.1 約兩倍的速度。而近日艾奧科技在拆解華為 Mate 40 保時捷設計時中發(fā)現(xiàn)，其搭載的閃存帶有海思 Logo

最近，網(wǎng)上傳言某手機混用閃存，將UFS 3.0和UFS 3.1的閃存混用在了同一型號的機器上，買不同容量的手機，閃存協(xié)議不一樣。光從這個描述來看，這做法相當不厚道，消費者買手機等于抽獎。

，盡管沒有 UFS 3.0、UFS 3.1 規(guī)格高，但是寫入速度的巨大提升也非常可觀。根據(jù)微博用戶 @數(shù)碼閑聊站 的實測，Redmi Note 9 Pro 順序讀取速度為 996.11MB/s，順序寫入速度

為1200MB/s±，隨機讀寫則為280MB/s±，相比之前的UFS 3.1速度更快。 爆料稱vivo X60搭載滿血版UFS3.1閃存 綜合目前已知信息，vivo X60系列將共推出至少兩款機型

三部分：前端UFS接口（M-PHY），UFS控制器和閃存介質（圖中的Memory模塊）。VCC給閃存介質供電，VCCQ一般給閃存輸入輸出接口和UFS控制器供電，VCCQ2一般給M-PHY或其它...

三星的UFS4.0閃存芯片采用全新第7代V-NAND技術，傳輸帶寬每通道達到23.2Gbps，相較UFS3.1提升一倍，順序讀取速度可以達到4200MB/s，同時順序寫入速度也提升到2800MB

閃存是智能手機最重要的組件之一，每個新版本都會帶來更高的內存容量和性能。近年來采用最快的閃存技術是通用閃存（UFS），UFS v2.1提供~11Gbps的最大數(shù)據(jù)速率。 JEDEC提出了更快的下一代

在當今智能設備的互聯(lián)世界中，我們希望更快地訪問我們的數(shù)據(jù)，同時我們希望它得到保護并免受入侵者的侵害。閃存不僅速度更快，而且安全可靠，其化身為UFS - 通用閃存。此博客深入了解 UFS 設備的各種安全模式以及如何訪問它們。它還指出了如何使用加密來進一步保護數(shù)據(jù)。

1.0 相較于 eMMC 并沒有實質上的優(yōu)勢，所以并 沒有得到大規(guī)模的使用。 UFS2.0、2.1 2013年9月，JEDEC發(fā)布了UFS 2.0，2.0版本提供了更高的鏈路帶寬以提高性能，擴展

UFS（Universal Flash Storage）是一種用于移動設備存儲的閃存存儲標準。UFS 3.1和UFS 4.0是UFS標準的不同版本，它們之間有一些顯著的差異。

UFS（Universal Flash Storage）是一種用于存儲的閃存標準，而不是內存標準。它是一種閃存存儲技術，用于移動設備和其他便攜式電子設備中的非易失性存儲。

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達到最高

3.1和UFS 4.0之間的區(qū)別以及它們在實際使用中的差異。 1. 性能提升: - UFS 3.1： UFS 3.1是一種高速的存儲解決方案，支持二級存儲架構（DSC 2.0），最大傳輸速度達到

隨著端側人工智能的崛起，智能手機市場對UFS技術也提出更高要求。考慮到大語言模型在未來的應用前景，提升UFS接口速度迫在眉睫。