總之，無論是“陽春白雪”，還是“下里巴人”，官微君都希望一路有“你”共享，并希望更多的“你”關注并加入我們，攜手前行2016。?

華虹宏力：新推工藝平臺，應對物聯網低功耗和綠色節能趨勢

華虹宏力執行副總裁孔蔚然博士表示，智能化與低功耗是物聯網的核心，綠色節能是電源管理IC的核心。作為嵌入式非易失性存儲器領域的領導企業，華虹宏力已在智能卡和物聯網方面耕耘多年。我們成功推出了0.11微米ULL嵌入式閃存，該平臺支持RF-CMOS設計，是物聯網應用的最佳選擇。此外，0.18微米數模混合及嵌入式OTP/MTP工藝平臺增強版（0.18 CE工藝平臺增強版），采用業界最具競爭力的光罩層數，是目前市場上極具價格優勢的MCU解決方案。這些解決方案均可為物聯網的智能化與低功耗提供助力。0.5微米700V BCD平臺在LED照明驅動的快速上量，證明是適合綠色節能的工藝平臺技術。

OTP/MTP工藝平臺增強版，兼顧MCU成本和功耗

MCU因為成本和低功耗在傳感層和邊緣網關設備中發揮重要作用。MCU生產廠商需要全方位為提供客戶所需產品，其中具備數模混合電路，嵌入閃存的MCU受到特別重視。

技術論壇上，結合這個市場需求，華虹宏力介紹了該公司最新推出的低本高效0.18微米數模混合及嵌入式OTP/MTP工藝平臺增強版。

“它是在0.18微米低本高效OTP工藝平臺的基礎上研發升級而來，最大優勢是通過利用第三方授權的OTP Cell，并依托自身經驗豐富的嵌入式存儲器IP設計、制造工藝和IP測試三方面的整合能力，可為客戶提供優化的OTP IP，并實現更小的OTP面積、更高的速度、更低的功耗。在MTP解決方案中，客戶通過MTPIP可以方便地在系統上反復修改設計程序，從而提升客戶產品的功能及有效改善生產存貨管理。作為OTP MCU的升級版，MTP可提供的容量由1Kx8位到8Kx16位，其IP面積極具競爭力，可應對客戶多元化和高性價比的需求。” 孔蔚然說。

孔蔚然博士表示，通過這些改進，該工藝平臺在成本、性能和功耗等諸多方面可以滿足物聯網應用的需求。

超低漏電嵌入式閃存工藝平臺，滿足超低功耗需求

除兼顧成本和功耗的MCU制造解決方案外，更令人感興趣的是華虹宏力的0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺。物聯網市場,對于先進工藝的需求并不是那么高，但對于低功耗卻有甚高的需求。

“新推出的0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺支持低至1.08伏的操作電壓，小于0.2pA/μm的超低漏電。動態功耗達25uA/MHz，靜態功耗達50nA，可大幅提升電池壽命，延長物聯網及可穿戴式設備的待機時間。該平臺還具有邏輯單元集成度高，包含電源管理單元等特點，門密度達到300K gate/mm2以上，能夠幫助客戶進一步縮小芯片面積。”孔蔚然說。

該工藝平臺的最大特點是可在同一工藝中集成射頻、eFlash和EEPROM，24層光罩即可生成高性能、低功耗的0.11微米SoC芯片，具備更小的面積、更低的功耗和更強的可靠性等顯著優勢，并降低設計、制造和測試成本。該工藝平臺擁有豐富多樣的嵌入式存儲器IP，同時也提供高密度存儲器編輯器和標準單元庫，可為客戶量身定制性價比優越、全面靈活的解決方案，加速客戶產品上市時間。

基于該工藝平臺生產的低功耗MCU適用于各種智慧節能型產品，例如物聯網、可穿戴式設備、智能電網、嵌入式智能互聯設備、醫療電子、照明，以及工業和汽車電子等方面的應用。

超高壓BCD工藝，迎合節能環保熱點

隨著客戶對綠色、節能和效率需求的日益增加，出色的電源管理IC技術顯得尤為重要。華虹宏力超高壓700V BCD技術迎合了節能環保熱點，具有業內領先的低導通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點，可為客戶提供極具競爭力的單芯片解決方案。

新一代0.5微米700V BCD工藝是基于2013年第一代1微米700V BCD工藝升級開發而成，在保持原有1P1M（1層Poly，1層Metal）最少版次12塊的低成本優勢基礎上，進一步集成7.5V CMOS和20V/40V的中壓LDMOS以及高壓200V/300V/400V/500V/600V/650V/700V的功率LDMOS，豐富了超高壓電壓系列選擇，以滿足不同電壓應用需求。

“此工藝平臺其所支持的高壓小電流LED照明驅動應用市場發展前景十分廣闊。我們將繼續拓展先進的電源管理平臺，增強應用于LED照明的先進差異化工藝技術組合，制造高性能、低成本的LED驅動IC，為客戶提供一整套具成本效益的解決方案。” 孔蔚然表示。

該工藝平臺適用于各種LED照明節能型產品以及電源適配器，后續在馬達驅動應用等方面也會拓展開發系列工藝平臺。

華虹宏力0.11微米嵌入式閃存工藝兼具低成本高可靠性

華虹宏力的0.11微米嵌入式閃存工藝采用24層光罩，極大地降低了晶圓的加工成本和生產時間；閃存單元面積僅為0.197平方微米，邏輯單元密度達300K/m2，在一片200mm晶圓上實現了約3.5萬顆132K容量的SIM卡芯片；擦寫次數達300K，具有非常高的可靠性；采用先進設計，支持單線測試，大大提高同測數。此外，該工藝技術支持銅線封裝，可大大降低卡片成本，使其成為各種智能卡和MCU IC應用領域的低本高效解決方案之一。

編輯點評：華虹宏力在嵌入式非易失性存儲器領域一直保持著業界領先地位。隨著金融IC卡、移動支付和物聯網的蓬勃發展，嵌入式閃存技術工藝擁有越來越大的需求空間。華虹宏力的0.11微米嵌入式閃存工藝作為華虹宏力0.18微米和0.13微米嵌入式閃存技術的延續，可提供一個兼具高性能、低功耗、低成本優勢于一身的差異化智能卡和MCUIC解決方案。