德克薩斯州奧斯汀 - 國際Sematech公司的研究經(jīng)理表示，他們對將光刻技術(shù)擴展到生產(chǎn)的可能性更加樂觀一組專家回顧了下一代157納米曝光工具關(guān)鍵材料的最新發(fā)展后，低于0.10微米技術(shù)節(jié)點的集成電路。

該聯(lián)盟首次在加利福尼亞州達納角舉行的157納米光刻國際研討會期間上周，有六家公司報告了為下一代光學(xué)工具開發(fā)新型光刻膠和掩模版保護薄膜材料的進展。 “基于所提供的信息，157-nm技術(shù)的置信水平顯著上升，”Sematech 157納米項目經(jīng)理Rich Harbison表示。

Sematech本周未發(fā)布有關(guān)這些演示的詳細(xì)信息去年，該公司開始努力將光學(xué)光刻技術(shù)的應(yīng)用擴展到157納米波長系統(tǒng)，以便在電路中生產(chǎn)90納米及以下的特征尺寸。雖然許多研究小組正致力于光刻技術(shù)的后光學(xué)技術(shù)，但Sematech和許多業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為，在未來三年內(nèi)，157納米系統(tǒng)可用于即將推出的0.10微米(100納米)工藝節(jié)點。

“157納米光刻技術(shù)的時機仍然是一個關(guān)鍵問題，”Sematech光刻技術(shù)總監(jiān)Gerhard Gross說。 “為了在100納米節(jié)點上推出，生產(chǎn)工具必須在2003年初準(zhǔn)備好。時間是我們現(xiàn)在最關(guān)心的問題。如果我們不能在2003年之前準(zhǔn)備好工具，那么使用157-就太晚了nm技術(shù)。“

但Sematech官員表示，他們看到上周在為期三天的157納米研討會上提供的信息取得了實質(zhì)性進展。會議上發(fā)表了超過65場演講，來自全球設(shè)備和材料供應(yīng)商，半導(dǎo)體制造商，實驗室和大學(xué)的約300名專家參加了演講。

抗蝕劑材料開發(fā)工作的成果和總部位于奧斯汀的財團表示，薄膜被認(rèn)為是重大突破。

“這是我們能夠克服157納米大多數(shù)有機材料和現(xiàn)有抗蝕劑的高吸光度的第一個證據(jù)，”Gene Feit說。 ，Sematech抗拒開發(fā)經(jīng)理。該聯(lián)盟計劃在最近安裝在Sematech的Exitech Ltd.微型測試儀上設(shè)計用于157nm曝光的抗蝕劑(參見1999年12月22日的故事)。

用于薄膜 - 薄膜材料這可以保護光罩或光掩模免受缺陷 - 幾家公司的介紹表明，聚合物材料和“硬膜”已經(jīng)取得了進展。據(jù)Sematech稱，麻省理工學(xué)院林肯實驗室現(xiàn)在希望在5月底之前測試這些聚合物材料的樣品，以評估它們的透射率和耐久性。

“去年，在157納米上獲得動力的重大進展是鑒于光罩的材料，“哈比森說。 “抗沖擊和薄膜的發(fā)展同樣重要，同樣重要的是推動這項技術(shù)的發(fā)展。”