全球市場研究機構集邦咨詢針對2020年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展，整理十大科技趨勢，精彩內(nèi)容請見下方：

AI、5G、車用“三駕馬車”帶動半導體產(chǎn)業(yè)逆勢成長

2019年在中美貿(mào)易摩擦影響下，全球半導體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)衰退。展望2020年，盡管市場仍存在不確定性，但在5G、AI、車用等需求支撐下，將帶動半導體產(chǎn)業(yè)逐漸脫離谷底。IC設計業(yè)者將導入新一代知識產(chǎn)權、強化ASIC與芯片客制化能力，并加速在7納米EUV與5納米的應用。

在制造方面，7納米節(jié)點的采用率增加，5納米量產(chǎn)及3納米研發(fā)的時程更加明朗，先進制程制造的占比將進一步提升。

此外，第三代化合物半導體材料如SiC、GaN與GaAs等，具備耐高電壓、低阻抗與切換速度快等特性，適合用于功率半導體、射頻開關元件等領域，在5G、電動車等應用備受重視。

最后，由于芯片線寬微縮及運算效能提升，使先進封裝技術逐漸朝向SiP（系統(tǒng)級封裝）方向發(fā)展；相較于SoC（系統(tǒng)單晶片），SiP的組成結構更靈活且具成本優(yōu)勢，更能符合AI、5G與車用等芯片的發(fā)展需求。

DRAM往EUV與下世代DDR5/LPDDR5邁進，NAND突破100層疊堆技術

現(xiàn)有DRAM面臨摩爾定律已達物理極限的挑戰(zhàn)，制程已來到1X/1Y/1Znm，進一步微縮不僅無法帶來大量的供給位元成長，反而成本降低的難度提升。

DRAM廠目前在1Y與1Znm制程將開始將單顆芯片顆粒的容量由現(xiàn)有主流8Gb提升至16Gb，使得高容量模組的滲透率逐漸升高，并且有機會在1Znm開始導入EUV機臺，逐漸取代現(xiàn)有的double patterning技術。

以DRAM的世代轉(zhuǎn)換來說，DDR5與LPDDR5將在2020年問世，進行導入與樣本驗證，相較于現(xiàn)有的DDR4/LPDDR4X來說，將會更省電、速度更快。

NAND Flash市場將首次挑戰(zhàn)突破100層的疊堆技術，并將單一芯片容量從512Gb提升至1Tb門檻。主要為應對5G、AI、邊緣運算等持續(xù)發(fā)展，除了智能手機、服務器/資料中心需要更大的存儲容量外，更要求單一存儲設備的體積進一步微縮。

除了NAND Flash芯片的進化，智能手機上存儲界面也會從現(xiàn)有UFS 2.1規(guī)格，升級至更快速的UFS 3.X版本。在服務器/資料中心方面，SSD產(chǎn)品也會導入比PCIe G3速度與效能快一倍的PCIe G4界面，兩樣新產(chǎn)品明年將鎖定高端市場。

5G商用服務范圍擴大，更多終端硬件問世

2020年全球通訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點仍為5G，不管是高通、海思、三星與聯(lián)發(fā)科等芯片大廠還是華為、Ericsson與Nokia等設備商都將推出各種5G解決方案搶攻市場。在網(wǎng)絡架構發(fā)展上以獨立(Standalone，SA)5G技術為主，包括5G NR設備和核心網(wǎng)絡需求提升。

SA網(wǎng)絡強調(diào)無線網(wǎng)、核心網(wǎng)和回程鏈路架構，支援網(wǎng)絡切片、邊緣計算等，在上行速率、網(wǎng)絡時延、連接數(shù)量均符合5G規(guī)范性能。另外，隨著2020年上半年R16標準逐步完成，各國電信營運商規(guī)劃5G網(wǎng)絡除在人口密集大城市外，也會擴大服務范圍商用，預計將看到更多5G終端或無線基站等產(chǎn)品問世。

全球5G手機滲透率有望突破15%，中國廠商市占逾半

2020年智能手機的外觀設計重點仍圍繞在極致全面屏，進而拉升屏下指紋辨識搭載比例提高、屏幕兩側(cè)彎曲角度加大，以及屏下鏡頭的開發(fā)。

此外，存儲器容量規(guī)格提高，以及持續(xù)優(yōu)化鏡頭功能，包含多個后鏡頭、高畫素等，也是開發(fā)重點。

至于5G手機的發(fā)展，隨著品牌廠積極研發(fā)，以及中國政府推動5G商轉(zhuǎn)，明年5G手機的滲透率有機會從今年不到1%，一躍至15%以上，而中國品牌的5G手機生產(chǎn)總量預計將取得過半市占。

然而5G通訊基站的布建進度、電信運營商的資費方案以及5G手機終端定價才是決定5G手機是否能吸引消費者購機的關鍵。

高刷新率手機面板需求看增，平板成為Mini LED與OLED新戰(zhàn)場

在手機面板方面，目前OLED或LCD面板的規(guī)格已經(jīng)能滿足各類消費者的需求，然而伴隨著5G布建展開，其高傳輸效率與低延遲的特性，除了改善手機內(nèi)容的動態(tài)表現(xiàn)，也開創(chuàng)手機在AR等其他領域的應用，帶動90Hz甚或是120Hz面板的需求。

以最熱門的電競應用來看，除了既有的高刷新頻率面板，透過Mini LED背光增強對比表現(xiàn)的更高端產(chǎn)品，量產(chǎn)的條件也越來越充裕。而在采用LCD多年后，市場也傳出2020年的iPad可能同步推出采用Mini LED背光與OLED這類增強畫質(zhì)表現(xiàn)的面板技術，讓平板成為OLED與Mini LED另一個發(fā)展契機。

顯示器產(chǎn)業(yè)供過于求，Micro LED開創(chuàng)新藍海

從Micro LED自發(fā)光顯示器進展來看，越來越多面板廠商推出玻璃背板的Micro LED方案，但由于良率問題，目前模組最大做到12寸，更大尺寸的顯示器則是通過玻璃拼接的方式實現(xiàn)。

盡管短期內(nèi)Micro LED的成本仍居高不下，但由于Micro LED搭配巨量轉(zhuǎn)移技術可以結合不同的顯示背板，創(chuàng)造出透明、投影、彎曲、柔性等顯示效果，未來將有機會在供過于求的顯示器產(chǎn)業(yè)當中，創(chuàng)造出全新的藍海市場。

例如，若結合可折疊顯示屏幕方案，Micro LED因為材料結構強健，不需要很多保護層，也不需要偏光處理，或許是一個適合切入的領域。

TOF方案的3D感測模組搭載率提升，有利未來AR應用發(fā)展

相較于結構光，TOF(Time of Flight)技術門檻較低，且供應商較多元，因此TOF模組成為手機后置多鏡頭的選項之一。雖然2020年3D感測并沒有明顯的新應用出現(xiàn)，但預計會有更多品牌廠商愿意增加搭載TOF模組的機種，帶動TOF的3D感測模組在智能手機的普及度逐步提高。

而隨著iPhone在內(nèi)的智能手機開始搭載TOF模組，透過提供更精準的3D感測和影像定位，強化AR效果，提高消費者使用AR應用的動機，并吸引更多開發(fā)商推出更多AR應用程序，進一步提升對3D感測模組的需求。

感測能力與算法成為物聯(lián)網(wǎng)加值關鍵

隨著技術與基礎建設日漸完備，2019年物聯(lián)網(wǎng)在各層面多已邁入商業(yè)驗證階段，帶來投資效益。2020年物聯(lián)網(wǎng)在各垂直應用領域?qū)⑾蛳略汛虻字圃臁⒘闶蹣I(yè)等持續(xù)透過技術以優(yōu)化流程與加值服務，農(nóng)業(yè)、醫(yī)療等也將有更廣泛的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。

在技術方面，將著重于提升感測能力，使其能進行五感偵測并對周遭環(huán)境做出更多反應，以及AI算法的突破以進行更多深度學習。此外，物聯(lián)網(wǎng)裝置連結數(shù)的上升造就海量數(shù)據(jù)，邊緣運算與AI于終端設備之整合將是可期未來，進而帶動軟硬件升級商機。

自動駕駛將落實終端應用，探索更多商業(yè)模式

2020年自動駕駛技術的商業(yè)化，以商用車、特定行駛路線和區(qū)域性特殊應用為三個主要的特色，并且多數(shù)鎖定在SAE Level 4自駕級別。

能在2020年看到更多量、更多類型的自動駕駛商用案例，其中一項驅(qū)動因素來自各類平臺化產(chǎn)品，如NVIDIA Drive運用AI人工智能技術的自駕車開發(fā)平臺，以及百度Apollo開放平臺提供不同自駕場景的解決方案等，都協(xié)助車廠及各級開發(fā)商加速將自駕技術落實于產(chǎn)品中。

然而，自駕技術的開發(fā)成本高，車廠或技術開發(fā)商需要找出更多自駕技術的可能性，并且必須可獲利、優(yōu)化成本和改善問題，因此找到能滿足該可能性的商業(yè)模式也是2020年的重點。

光伏組件產(chǎn)品標準化已成歷史，終端產(chǎn)品選擇將優(yōu)先考量發(fā)電性價比

光伏技術發(fā)展不斷更新，2018年及之前的組件皆為標準60片或者72片版型排列，電池片也都以完整尺寸呈現(xiàn)。

而2019年電池片的版型改變與組件端的微型技術發(fā)展多樣化，包含半片、拼片、疊片（瓦）、多柵線、雙玻、雙面（電池）組件等多樣技術疊加運用，使得最終組件產(chǎn)品的輸出功率相較于2018年增加一到兩個檔次(bin)。

然而，組件產(chǎn)品的核心競爭力取決于度電成本。要降低度電成本，就要提升電池效率與組件功率，以創(chuàng)造更大發(fā)電量并確保產(chǎn)品長期的可靠性。未來市場產(chǎn)品定價的話語權將不再由制造端掌握，而是以市場需求及買方接受度為依歸。

本文來自全球半導體觀察微信號，本文作為轉(zhuǎn)載分享。