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中國半導體存儲器開始生產 NAND之后DRAM大規模生產計劃揭曉

漁翁先生 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:Allen Yin ? 2019-11-14 11:07 ? 次閱讀
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中美貿易爭端下的中國半導體趨勢成為一個熱門話題。隨著福建晉華,華為等事件的發生,我國開始更加堅定發展自己的半導體產業,DRAM制造商合肥長鑫,福建晉華,紫光集團旗下長江存儲,江波龍已經開始自行設計生產DRAM。

JHICC在美國禁運下自行開始準備生產DRAM

去年11月,美國司法部對聯電和福建晉華(JHICC)的員工進行了起訴。在此之前,10月29日,又以國家安全為由,美國商務部將JHICC列入了出口限制清單,并禁止美國公司與JHICC公司打交道。這使得美國設備制造商(如Applied Materials,Lam Research,KLA等)無法正常為JHICC提供生產設備,導致后者最后被迫停止運營。

但是,JHICC似乎最近已經開始準備復興。在韓國,它招募了為三星和SK海力士工作的DRAM工程師,在中國和中國***地區,它招募了從電路設計到設備維護的數十人。

由于美國的制造設備提供商無法提供現場工程支持,JHICC將盡力招募盡可能多的工程人員來優化生產線設備設置和參數設置。可以猜測的是,他們的目標是使已進入休眠狀態的DRAM生產線復蘇。據***市場趨勢研究公司TrendForce稱,JHICC將于明年年底開始生產,但最初的生產規模預計不到每月10,000個。

在突然到來的日韓出口爭端中,韓國半導體公司受到日本相關材料禁運的影響,有傳言稱韓國的半導體存儲產品線將會受到沖擊。該事件似乎對中國的DRAM制造商來說是個利好信息。

DDR4 DRAM經過兩輪終于開始生產

另一家DRAM制造商,合肥市長鑫存儲技術有限公司(CXMT)已開始小規模生產DDR4 8G位DRAM,并準備批量生產用于智能手機的LPDDR4 DRAM。據說到2021年以后,月產量將達到100,000或更多。

盡管該公司擔心被美國困住,但并未采用***華亞(現在的美光內存***)開發的技術,更改了技術引進政策,并更換了管理團隊。該公司最終收購了奇夢達的46nm堆棧結構DRAM(已開發但尚未發布)。

公開資料顯示,CXMT與兆易創新達成了合作協議,共同開發19nm工藝的DRAM內存,去年底已經推出了8Gb DDR4內存樣品,今年Q3季度推出8Gb LPDDR4內存樣品,年底正式量產,月產能將達到2萬片晶圓。

長江存儲將于年底啟動DRAM大規模生產工廠建設

紫光集團旗下長江存儲YMTC一直在開發和制造DRAM,除了今年年底開始量產的3D NAND業務外,該公司已經開始行動,重新進入DRAM業務。6月30日,成立了一個新的DRAM事業部,***原DRAM制造商Inotera Memories(現為美光技術***公司)的首席執行官Charles Kao擔任了CEO。8月27日,DRAM事業部的總部在重慶兩江新區成立,并與重慶市人民政府合作設立了DRAM研發中心和DRAM批量生產工廠。

據了解,紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造,該工廠計劃于2019年底開工建設,預計2021年建成投產。在芯片工廠建成前,紫光集團先期在現有芯片工廠內設立產品中試生產線,進行產品生產工藝技術研發,待工藝成熟后在紫光重慶芯片工廠量產。

江波龍(FORESEE)微存儲新品DDR3L正式量產!

11月13日,江波龍電子(FORESEE)宣布面向智能電子終端設備應用的微型嵌入式DRAM存儲新品DDR3L開始投產,讀寫速率滿足主流應用1866Mbps需求,最高可達2133Mbps。同時DDR4產品已開始納入研發進程。

據悉,目前FORESEE微存儲DDR3L產品已在海思、中興微、瑞芯微、全志、Amlogic、國科微、國芯等平臺主控端完善認證,為不同應用場景提供芯片級支持。

預計2020年國產DRAM全球占比不到3%

在中國,韓國SK Hynix正在無錫開始大規模生產DRAM,但明年國產DRAM產品的生產仍然非常有限。根據TrendForce的最新預測,中國存儲器制造商在2020年的DRAM產量僅不到全球產業投入的3%。

但有必要強調一點,繼NAND之后,DRAM大規模生產計劃的輪廓變得清晰起來,中國很可能最終將成為存儲大國。但是,可能需要花更多時間確定國產存儲器制造商何時會對DRAM市場的全球供需平衡產生顯著影響。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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