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了解了三極管的特性對(duì)你使用單片機(jī)就順手很多

GReq_mcu168 ? 來源:玩轉(zhuǎn)單片機(jī) ? 2019-11-26 14:36 ? 次閱讀

實(shí)際上,只要你了解了三極管的特性對(duì)你使用單片機(jī)就順手很多了。大家其實(shí)也都知道三極管具有放大作用,但如何去真正理解它卻是你以后會(huì)不會(huì)使用大部分電子電路和IC的關(guān)鍵。

我們一般所說的普通三極管是具有電流放大作用的器件。其它的三極管也都是在這個(gè)原理基礎(chǔ)上功能延伸。三極管的符號(hào)如下圖左邊,我們就以NPN型三極管為例來說說它的工作原理。由于三極管是由二極管演化而來的,所以大家記住PN結(jié)永遠(yuǎn)都是P指向N的,這樣PNP還是NPN—下就很清楚了。

它就是一個(gè)以b(基極)電流lb來驅(qū)動(dòng)流過CE的電流Ic的器件,它的工作原理很像一個(gè)可控制的閥門。

左邊細(xì)管子里藍(lán)色的小水流沖動(dòng)杠桿使大水管的閥門開大,就可允許較大紅色的水流通過這個(gè)閥門。當(dāng)藍(lán)色水流越大,也就使大管中紅色的水流更大。如果放大倍數(shù)是100,那么當(dāng)藍(lán)色小水流為1千克/小時(shí),那么就允許大管子流過100千克/小時(shí)的水。三極管的原理也跟這個(gè)一樣,放大倍數(shù)為100時(shí),當(dāng)lb(基極電流)為1M時(shí),就允許100mA的電流通過Ice。我這么說大家能理解嗎?

這個(gè)原理大家可能也都知道,但是把它用在電路里的狀況能理解,那單片機(jī)的運(yùn)用就少了一大障礙了。最常用的連接如下圖。

我們來分析一下這個(gè)電路,如果它的放大倍數(shù)是100,基極電壓我們不計(jì)。基極電流就是10V+10K=lmA,集電極電流就應(yīng)該是100mA。根據(jù)歐姆定律,這樣Rc上的電壓就是0.1AX50〇=5V。那么剩下的5V就吃在了三極管的C、E極上了。好!現(xiàn)在我們假如讓Rb為1K,那么基極電流就是10V+lK=10mA,這樣按照放大倍數(shù)100算,Ic就是不是就為1000mA也就是1A了呢?假如真的為1安,那么Rc上的電壓為1AX50Q=50V。啊?50V!都超過電源電壓了,三極管都成發(fā)電機(jī)了嗎?其實(shí)不是這樣的。見下圖:

我們還是用水管內(nèi)流水來比喻電流,當(dāng)這個(gè)控制電流為10mA時(shí)使主水管上的閥開大到能流過1A的電流,但是不是就能有1A的電流流過呢?不是的,因?yàn)樯厦孢€有個(gè)電阻,它就相當(dāng)于是個(gè)固定開度的閥門,它串在這個(gè)主水管的上面,當(dāng)下面那個(gè)可控制的閥開度到大于上面那個(gè)固定電阻的開度時(shí),水流就不會(huì)再增大而是等于通過上面那個(gè)固定閥開度的水流了,因此,下面的三極管再開大開度也沒有用了。因此我們可以計(jì)算出那個(gè)固定電阻的最大電流10V+50Q=0.2A也就是200mA。就是說在電路中三極管基極電流增大集電極的電流也增大,當(dāng)基極電流lb增大到2mA時(shí),集電極電流就增大到了200mA。當(dāng)基極電流再增大時(shí),集電極電流己不會(huì)再增大,就在200mA不動(dòng)了。此時(shí)上面那個(gè)電阻也就是起限流作用了。

共發(fā)射極電路NPN管,ib變大時(shí),實(shí)質(zhì)上是給基區(qū)注入空穴,如果是這樣的話,注入的空穴將會(huì)中和更多發(fā)射極過來的電子,理論上ic便會(huì)變得更小才對(duì)啊,為什么ic還會(huì)以相應(yīng)倍數(shù)P放大呢?

圖中所畫的是三極管內(nèi)部電流流向【NPN型管,箭頭指向代表電流方向】,現(xiàn)在基極電流增大到2,說明在基區(qū)有更多的電子被基區(qū)空穴所復(fù)合,按理來說,集電極電流應(yīng)該減少啊【因?yàn)橛懈嗟碾娮釉诨鶇^(qū)被復(fù)合,流到集電區(qū)的電子就少了】,但是現(xiàn)實(shí)情況卻是集電極電流被放大到了6。顯而易見,我在增大基極電流的同時(shí),發(fā)射極電流也在增大,并且基極電流增大一倍,發(fā)射極電流也增大一倍,這是為什么?

換句話說,我增大基極電流一倍,則從發(fā)射區(qū)到達(dá)基區(qū)的電子將會(huì)被多出一倍的空穴所復(fù)合,但是,又是什么原因使得此時(shí)此刻發(fā)射極發(fā)射出了比原來多出一倍的電子,比如右圖比原來【左圖】多出了1個(gè)單位的電子被基區(qū)空穴復(fù)合,但同時(shí),發(fā)射區(qū)卻多射出了4個(gè)單位的電子。我人為的增加了1個(gè)單位的基極電流,而發(fā)射極卻多射出了4個(gè)單位的電子,增加了4單位的電流,why?

不要用公式ie=ib-ic=(1+3)ib說明,請從三極管內(nèi)部載流子的微觀運(yùn)動(dòng)情況加以分析說明,

答案

1 發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子

由于發(fā)射結(jié)處于正向偏置,多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加強(qiáng),發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(電子)向基區(qū)擴(kuò)散(稱為發(fā)射),同樣基區(qū)的多數(shù)載流子(空穴)也向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散,但由于發(fā)射區(qū)的電子濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于基區(qū)的空穴濃度,兩者比較可忽略基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散。由于兩個(gè)電源Eb和Ec的負(fù)極接在發(fā)射極,所以發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射區(qū)向基區(qū)的電子都可以從電源得到補(bǔ)充,這樣就形成了發(fā)射極電流le.

2 電子在基區(qū)的擴(kuò)散與復(fù)合

從發(fā)射區(qū)發(fā)射到基區(qū)的電子到達(dá)基區(qū)后,由于靠近發(fā)射結(jié)附近的電子濃度高于靠近集電結(jié)附近的電子濃度,所以這些電子會(huì)向集電結(jié)附近繼續(xù)擴(kuò)散。在擴(kuò)散的過程中,有小部分電子會(huì)與基區(qū)的空穴復(fù)合,由于電源Eb的正極與基極相連,這些復(fù)合掉的空穴均可由Eb補(bǔ)充,因而形成了基極電流lb。因基區(qū)做的很薄,電子在擴(kuò)散過程中通過基區(qū)的時(shí)間很短,加上基區(qū)的空穴濃度很低,所以從發(fā)射區(qū)發(fā)射到基區(qū)的電子在基區(qū)繼續(xù)向集電結(jié)附近擴(kuò)散的過程中,與基區(qū)空穴復(fù)合的機(jī)會(huì)很少,因而基電極的電流很小,大部分電子都能通過基區(qū)而到達(dá)集電結(jié)附近,所以集電極電流很大。

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原文標(biāo)題:想要單片機(jī)順手?就得搞懂這些三極管知識(shí)

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