電子發(fā)燒友網報道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊,而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產超1000層的3D NAND存儲器。
發(fā)表于 06-29 00:03
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近日,據(jù)韓媒報道,三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進技術升級與產能擴張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-
發(fā)表于 02-14 13:43
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工廠和華城S3工廠。盡管投資規(guī)模有所縮減,但三星在這兩大工廠的項目推進上并未止步。 平澤P2
發(fā)表于 01-23 11:32
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近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當前,全球
發(fā)表于 01-14 14:21
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近日,三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實施減產措施,以應對全球NAND市場供過于求的現(xiàn)狀及預期的價格下滑趨勢。據(jù)《朝鮮日報》報
發(fā)表于 01-14 10:08
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三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導體封裝工廠,以擴大HBM內存等產品的后端產能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設施,進一步提升
發(fā)表于 11-14 16:44
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三星電子即將啟動一項重大舉措,計劃出售位于中國西安的NAND閃存工廠的舊設備及產線。這一決定標志著三星在半導體業(yè)務上的一次重大調整,預計將對
發(fā)表于 11-12 14:36
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三星電子即將啟動一項計劃,將其位于中國西安的NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產線的舊設備進行銷售。這些設備原本因美國政府的壓力而積壓,現(xiàn)預計將通過中國本土企業(yè)或第
發(fā)表于 11-06 14:00
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三星集團進一步深化其在越南的戰(zhàn)略布局,計劃向該國追加投資18億美元,以推動其業(yè)務版圖的持續(xù)擴張。三星越南集團總經理崔裕浩在與越南總理范明政的匯報中透露,自進入越南市場以來,
發(fā)表于 09-25 14:25
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在全球化日益加深的今天,各國對于吸引外資的競爭愈發(fā)激烈。然而,越南近期卻在一場關鍵的國際投資爭奪戰(zhàn)中遭遇了重大挫折。據(jù)越南計劃投資部最新發(fā)布的報告揭示,由于缺乏足夠的投資獎勵措施,越南遺憾地錯失了包括英特爾、LG化學在內的多家跨
發(fā)表于 07-09 15:30
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近日,據(jù)韓國媒體報道,全球領先的半導體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內存(HBM)的3D封裝服務。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的,同時也得到了業(yè)內消息人士的證
發(fā)表于 06-19 14:35
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在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發(fā)出16層3D DRAM技術。同時,他透露,競爭對手美光也已將其
發(fā)表于 05-29 14:44
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電子發(fā)燒友網報道(文/黃晶晶)早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND,并從TLC到QLC得以廣泛應用于消費電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領域。來到2024年5月目前三星第9代
發(fā)表于 05-25 00:55
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在今年的IEEE IMW 2024活動中,三星DRAM業(yè)務的資深副總裁Lee指出,已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM,其中美光更是發(fā)展至8層水平。
發(fā)表于 05-22 15:02
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三星電子近日宣布將顯著加強其在越南的投資布局,計劃將年度投資規(guī)模增加至高達10億美元。這一決策是在三星電子首席財務官樸韓洙與越南總理范明政上
發(fā)表于 05-15 09:45
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