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臺積電、英特爾領(lǐng)軍 今年晶圓廠設(shè)備支出上修至566億美元

jf_1689824270.4192 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:jf_1689824270.4192 ? 2019-12-23 18:47 ? 次閱讀

在臺積電與英特爾Intel)引領(lǐng)下,先進(jìn)邏輯晶片制造與晶圓代工業(yè)者的投資預(yù)計(jì)在今(2019)年下半年攀升26%,帶動今年整體晶圓廠設(shè)備支出將上修至566億美元,大幅優(yōu)于市場預(yù)期。

國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)近日(17日)公布最新全球晶圓廠預(yù)測報告。經(jīng)歷上半年衰退態(tài)勢后,在下半年因存儲器投資激增所挾帶的優(yōu)勢,預(yù)估今(2019)年全球晶圓廠設(shè)備支出將上修至566億美元,年減7%,但較先前預(yù)測的年減18%顯著提升11個百分點(diǎn)。

存儲器方面,同一時期3D NAND支出則將大幅成長逾70%。盡管今年上半年對于DRAM的投資仍持續(xù)下降,但自7月份以來的下降幅度已較緩和。

SEMI全球行銷長暨***區(qū)總裁曹世綸表示,晶圓廠設(shè)備支出成長主要來自于先進(jìn)的邏輯晶片制造與晶圓代工業(yè)者對于存儲器,尤其是3D NAND的投資維持持續(xù)成長。

由上圖黃色趨勢線可見,存儲器設(shè)備支出力道是扭轉(zhuǎn)全球晶圓廠設(shè)備支出放緩趨勢的關(guān)鍵。在今上半年存儲器設(shè)備投資下滑幅度達(dá)38%、降至100億美元水平之下;其中又以3D NAND的設(shè)備投資下滑幅度最為慘烈,衰退57%;DRAM的設(shè)備投資也在2018下半年及2019上半年分別下滑各12%。

SEMI同時修正明(2020)年晶圓設(shè)備投資預(yù)測,總金額上修至580億美元,整體市場轉(zhuǎn)趨樂觀。

報告指出,明年上半年,受到索尼(Sony)建廠計(jì)劃的帶動,影像感測器(CIS)投資預(yù)期將成長20%,下半年增幅更將超過90%,達(dá)16億美元高峰;另外,在英飛凌(Infineon)、意法半導(dǎo)體(ST Microelectronics)和博世Bosch)的投資計(jì)劃,電源管理元件的投資預(yù)計(jì)大幅增長40%以上,下半年將維持成長態(tài)勢,再度上升29%,金額上看近17億美元。

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