福建晉華目前只專注于DRAM 的制造，雖然相對(duì)于國(guó)外半導(dǎo)體存儲(chǔ)三巨頭而言，技術(shù)在某些方面會(huì)有不足，但是從16年成立至今，短短三年內(nèi)，就已經(jīng)達(dá)到DRAM技術(shù)的較高水平，其實(shí)力仍不容小覷。

集微網(wǎng)消息，現(xiàn)如今全球范圍內(nèi)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)已經(jīng)形成了三星、SK海力士和鎂光三足鼎立之勢(shì)，而放眼國(guó)內(nèi)，福建晉華、兆易創(chuàng)新、紫光集團(tuán)等企業(yè)也逐漸開(kāi)始抗起我國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)的大旗。

隨著各種電子產(chǎn)品朝小型化發(fā)展的趨勢(shì)，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic randomaccess memory ,DRAM)單元的設(shè)計(jì)也必須符合高集成度及高密度的要求。對(duì)于具備凹入式柵極結(jié)構(gòu)的DRAM單元而言，由于它可以在相同的半導(dǎo)體基底內(nèi)獲得更長(zhǎng)的載流子通道長(zhǎng)度，進(jìn)而減少電容結(jié)構(gòu)的漏電情形產(chǎn)生，因此在目前主流發(fā)展趨勢(shì)下，具備凹入式柵極結(jié)構(gòu)的DRAM單元已逐漸取代僅具備平面柵極結(jié)構(gòu)的DRAM單元。

然而，受限于制作工藝技術(shù)之故，現(xiàn)有具備凹入式柵極結(jié)構(gòu)的DRAM單元仍存在有許多缺陷，還待進(jìn)一步改良并有效提升相關(guān)存儲(chǔ)器元件的效能及可靠度。

為了解決這一問(wèn)題，早在2016年福建晉華就申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件的形成方法”的發(fā)明專利（申請(qǐng)?zhí)枺?01611198384 .8），申請(qǐng)人為福建省晉華集成電路有限公司。

該專利提供了一種隨機(jī)動(dòng)態(tài)處理存儲(chǔ)器元件的形成方法，主要是利用單一制作工藝在其位線內(nèi)形成密度高且厚度較小的阻障層，所以，該方法可以在制作工藝簡(jiǎn)化的前提下降低阻障層的阻值。

圖1

圖2

上圖1是該專利中提出的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件10，圖2是圖1中沿著切線B-B’的剖面示意圖。由上面兩圖我們可以看到，該專利提出的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件10主要包括：基底100、存儲(chǔ)區(qū)(記憶體區(qū)) 102、周邊區(qū)104、字線(字符線)110以及位線160。

一般來(lái)說(shuō)，基底100由硅基底、含硅基底(如SiC、SiGe)或硅覆絕緣(silicon-on-insulator ,SOI)基底等構(gòu)成。除了存儲(chǔ)區(qū)102和周邊區(qū)104均置在了基底100上面之外，基底100上還形成有多個(gè)主動(dòng)區(qū)(active area ,AA)101，相互平行地沿著第一方向延伸。另外其內(nèi)部還形成有多個(gè)埋藏式柵極114，埋藏式柵極114是相互平行地沿著第二方向延伸，并橫跨第一方向。

此外，基底100上還有多個(gè)位線160，其主要在埋藏式柵極114上產(chǎn)生，且它們相互平行地沿著第三方向延伸，并同時(shí)橫跨主動(dòng)區(qū)101與字線110，如圖1所示。位線160與字線110之間通過(guò)位線接觸插塞(bit line contact ,BLC)160a來(lái)電連接至各該晶體管元件的源極/漏極區(qū)，并且位線接觸插塞160a位于兩字線110之間。

在該專利提出的方法是利用射頻物理氣相沉積制作工藝來(lái)形成位線160的阻障層163，使其具有雙層結(jié)構(gòu)，這樣就降低了阻礙層的厚度，使位線160具有較低的阻值與較小的整體厚度。另一方面，阻障層163雖然具有雙層結(jié)構(gòu)，但其整體厚度僅介于40埃至50埃之間，因而可以很好地改善位線160的高度并且簡(jiǎn)化了制作工藝。

福建晉華目前只專注于DRAM 的制造，雖然相對(duì)于國(guó)外半導(dǎo)體存儲(chǔ)三巨頭而言，技術(shù)在某些方面會(huì)有不足，但是從16年成立至今，短短三年內(nèi)，就已經(jīng)達(dá)到DRAM技術(shù)的較高水平，其實(shí)力仍不容小覷。