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對于美國的指控,晉華和聯電均予以否認

5qYo_ameya360 ? 來源:lq ? 2019-01-11 14:23 ? 次閱讀

彭博社最新消息,中國芯片制造商福建晉華周四表示,對美國提起的竊取商業機密指控不認罪,會努力將自己從美國出口管制實體名單中移除。

據了解,晉華今日在其官網上發表了一份聲明稱,針對其2018年9月在美國加州北部地區法院受到的指控,向法院做出無罪抗辯。晉華將向法庭陳述案情,證明其業務的開展始終秉承著最高誠信標準。

晉華表示:“已聘請專業代理機構協助其在美國進行法律事務、游說、公共關系方面的工作,共同致力于爭取將晉華從美國商務部出口管制實體清單中移除?!?/p>

該公司還表示,“在未來的幾個月里,幾家代理機構將協作提供關于晉華的基本事實,闡明晉華對保護知識產權所做出的承諾與努力,并說明重建晉華與其美國商業伙伴之間正常貿易與合作的重要性。“

對于美國的指控,晉華和聯電均予以否認。

關于三名中國***公民被指控與公司密謀竊取商業機密的部分,預計將在下個月開庭。

聯電律師Leslie Caldwell在一封電子郵件中表示,聯電已經收到刑事與民事兩起訴訟的傳票,并將出庭。

從刑事訴訟來看,美國檢察官可望贏得一項命令,要求晉華和聯電放棄因涉嫌盜竊技術而獲得的收入,以及禁止使用相關美光的技術5年。

不過加州知識產權律師Ashok Ramani指出,只有晉華和聯電被定罪后才有可能放棄相關技術和收入,而這個可能需要經過漫長的訴訟過程。他表示,民事訴訟允許檢察官迅速采取針對性的命令,阻止被告在刑事案件審理之前出口芯片。

華盛頓和李法學院教授Christopher Seaman表示,刑事起訴書的部分內容是為了表明美國在這方面的業務。如果美光想要獲得補償,那就是民事案件。

晉華事件回顧:

2018年10月29日,美國商務部在官網發布公告稱,將對中國的福建晉華集成電路有限公司實施禁售令,禁止美國企業向后者出售技術和產品,理由是福建晉華涉及違反美國國家安全利益的行為,給美國帶來了嚴重風險(Significant risk)。

美國商務部認為,晉華公司即將獲得大規模生產DRAM的能力,而這可能源于美國技術,而且量產也會威脅到美國軍用系統的供應商的長期經營能力。

11月,美國司法部正式對福建晉華和***聯電提起公訴,稱這兩家公司合謀竊取美國半導體公司美光科技與存儲設備研發相關的商業機密。

據悉,美光科技在美國加州聯邦法庭指控聯電通過美光***地區員工竊取其知識產權,包括存儲芯片的關鍵技術,并交由福建晉華。按照美光科技訴訟文件,單是一名工程師就竊取了美光科技超過900多份技術文件。

在此之前,福建晉華和聯電曾在中國福建起訴美光科技侵犯其知識產權,導致美光科技26種芯片產品在中國遭到臨時禁售。數據顯示,中國是美光科技的最大市場,貢獻了超過半數的銷售額。

美光科技對此提出上訴,認為訴訟所涉每項專利都已經獲得授權,福建晉華和聯電提出的訴訟完全不實。

中國存儲產業受挫

和中興一樣,被處罰的福建晉華同樣屬于“中國制造2025計劃”。該案不僅使晉華發展半導體的宏遠計劃受挫,甚至給整個中國存儲產業都蒙上了一層陰影。

晉華是福建省電子信息集團、泉州和晉江市政府在2016年共同出資設立的存儲芯片制造商,是我國“十三五”集成電路重大產能布局規劃中的企業。福建晉華與中國***的聯電達成技術合作,主要生產DRAM芯片(隨機存取存儲芯片)。

在DRAM存儲芯片領域,三星、海力士和美光三大巨頭占據了超過90%的市場份額,美光份額為23%。中國是全球最大的DRAM芯片進口國,DRAM芯片價格在2017年上漲了40%。2018年年6月,中國反壟斷機構啟動了對三大巨頭的反壟斷調查,認為三大巨頭涉嫌進行價格壟斷。

而晉華正是希望在DRAM芯片領域實現國產芯片的突圍。晉華的一期芯片工程總投資人民幣370億元,已在2018年9月正式投產。按照此前規劃,投產后月產能將達到6萬片12英寸晶圓。

中國在2015年提出“中國制造2025”計劃,計劃到2020年實現芯片自給率40%,到2025年達到50%?!爸袊圃?025”成為美國集中打擊目標,2018年4月和5月的兩次加征關稅都與這一計劃中的相關技術與產品有關。

美國發布禁售令后,應用材料、科磊、科林研發和荷蘭廠商ASML等一批半導體設備供應商都傳出過從晉華撤離的消息。

聯電撤出百人研發團隊?

近期,有臺媒報道稱,聯電為晉華研發DRAM的團隊中,已有逾百名內存人才回流***,轉往華邦電等大廠任職。

聯電方面坦承,原本編制為福建晉華研發DRAM的團隊約300多人,礙于美光控告福建晉華侵權及竊取營業秘密,美國也限禁相關半導體設備和零組件出口給晉華,導致福建晉華生產線停擺。

不過,聯電目前只是停止為福建晉華開發DRAM技術,雙方并未中止合作關系。

聯電強調,為福建晉華開發DRAM技術,原計劃分二期,第一期發展3x奈米制程技術進入尾聲,但因晉華裝機中止,已無進行。至于第二期開發2x奈米制程,將視未來事件發展而定。

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原文標題:晉華在美提“無罪抗辯” 力爭擺脫禁運清單

文章出處:【微信號:ameya360,微信公眾號:皇華電子元器件IC供應商】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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