2019第三屆中國（國際）Micro-LED顯示高峰論壇在近日舉行，論壇上透露出LED產業發展的新特點。在Micro-LED顯示產業化問題上，專業人士認為首先應發展相比LCD或OLED更具優勢的產業，主要針對TV、可穿戴設備、車載等運用場景，以及適用于柔性透明的運用場景。并且預計明年開始會有更多產品出現。但規模化商用仍有諸多問題需要解決。

發展勢頭良好

Micro-LED是LED微縮化和矩陣化技術，即將LED背光源進行薄膜化、微小化、陣列化，與OLED一樣能夠實現每個圖元單獨定址，單獨驅動發光（自發光）。芯片尺寸方面，Micro-LED一般小于50微米，小間距LED在500微米左右。作為Micro-LED的過渡，Mini-LED介于50微米到200微米之間。

憑借諸多優異顯示性能，Micro-LED被認為是下一代顯示技術的有力競爭者。包括功耗低、亮度高、超高解析度、高色彩飽和度、響應速度快、對比度高、可視角度寬、自發光和使用壽命長。理論上，Micro-LED的功耗約為LCD的10%、OLED的50%。基于這些優異性能，Micro-LED有望在穿戴式終端、智能手機、AR、VR、車載顯示、電視和大型顯示的應用上發揮優勢。

自2012年索尼在CES上推出首個Micro-LED產品（TV）以來，三星、華星光電、康佳、天馬、LG等都相繼秀出自家Micro-LED產品。Micro-LED產業逐漸升溫。據不完全統計，近幾年來，海外初創Micro-LED公司不斷涌現，且幾大互聯網企業如蘋果、Google、Facebook都已介入;同時，京東方、華星光電、熊貓、維信諾、友達光電和群創光電等顯示面板企業，三安、乾照、華燦等LED芯片企業，國星、雷曼、瑞豐和聯電等LED封裝企業紛紛加入。

業界認為Micro-LED將在5G時代發揮更大作用。中國科學院院士、南京大學物理系教授鄭有炓介紹，Micro-LED將支撐5G+8K和5G+VR/AR終端顯示的新要求。隨著量產技術的突破，Micro-LED顯示有望成為5G信息時代終端顯示的主流技術。

友達光電前瞻技術研究中心資深協理林雨潔表示，5G和AIOT時代來臨，對顯示器產業帶來了很大沖擊，但這種沖擊是良性刺激。資訊傳遞速度越來越快，對承載硬件的要求越來越高。新應用不斷出現，為顯示器帶來各種各樣應用的可能。

探討產業化之路

Micro-LED顯示技術被視為顯示技術發展的新風口，但其高成本、關鍵技術等方面的問題仍待突破，Micro-LED技術大規模產業化仍需時間。

工信部電子信息司處長王威偉認為，產業化需要把握好三個原則。首先，技術選擇要盡早服從產業化需求。“從CRT到液晶，當時并不認為液晶技術最優，但20年過去液晶產業發展起來了。因此，產業化未必開始就用最優的技術。”其次，產業化過程中要有技術迭代的能力和資源。“如果技術好，但投入成本巨大，沒有持續的迭代能力，這項技術難以產業化。”第三，找準目前可以產業化的方向。“背顯和大尺寸是目前Micro-LED相對看得清的細分方向。芯片制造、材料、模組、面板等相關企業要在確定的目標上共同探討產業化之路。圍繞目標，盡早推出商品，而不僅僅是產品。”

多位專家和企業代表認為，考慮到Micro-LED不可替代性優勢，大尺寸和小尺寸可能更適合率先產業化。大尺寸Micro-LED顯示器方面，聚焦5G+8K、5G+IOT+CC+AI引發的新需求以及電視機大尺寸、超高清、智能化的發展趨勢;小尺寸Micro-LED顯示器方面，聚焦5G+AR/VR顯示終端需求，發展便攜式終端AR、VR、智能手表以及陽光環境中使用的車載等抬頭顯示應用。

鄭有炓表示，2012年以來，相繼推出了高階高端樣機和產品，并接受訂貨。但消費者負擔得起的高階高端產品才有市場前景。5G+AR/VR作為下一代信息技術發展的風口，作為其生態圈終端微顯示，對Micro-LED微顯示產業發展起著很大的推動作用。Micro-LED微顯示經過10多年的研發，產業化技術路線開始明朗。近年來，眾多研究部門和企業不斷推出樣品樣機，且顯示業界巨頭高調投入，搶占先機。

镎創科技創始人&執行長李允立認為，Micro-LED短時間取代LCD或者OLED不是合理方向，應該考慮從后者很難做到的領域切入。Micro-LED的結構相對簡單，在柔性顯示和透明顯示等方面具備優勢。

此外，可以在性能要求高但成本敏感度相對低的應用領域入手，比如車載顯示。

面臨諸多挑戰

中國證券報從峰會現場了解到，Micro-LED的產業化之路并不容易。有觀點認為還需要2-3年時間，也有人認為需要3-5年時間。這與Micro-LED顯示產業仍要解決的諸多問題密切相關。

巨量轉移（包括傳遞、檢查、測試、修復）是制作Micro-LED顯示屏的關鍵技術。傳統的LED在封裝環節，主要采用真空吸取的方式進行轉移。由于真空管在物理極限下只能做到大約80微米，而Micro-LED的尺寸基本小于50微米，所以真空吸附的方式在Micro-LED時代不再適用。目前，Micro-LED的巨量轉移技術包括精準抬放技術（分為靜電力、凡德瓦力、磁力）、自組裝技術、選擇性釋放技術、轉印技術和COB技術。

巨量轉移存在兩大挑戰：Micro-LED芯片在進行大量、多次轉移時的良率必須達到99.9999%，精準度控制在±0.5微米以內;RGB全彩顯示需要對紅、藍、綠芯片分別轉移，要求精準定位燈珠。比如，量產分辨率為FHD（全高清）的Micro-LED屏幕，需要1920*1080個像素，也就是200萬個像素。而每個像素由R、G、B三個Micro-LED芯片組成，需要600萬顆Mciro-LED。一塊屏幕需要600萬顆微米級別的LED芯片等。

巨量轉移技術不夠成熟會影響產品的良率和轉移效率，進而推高制造成本。這也是目前少數大尺寸Micro-LED產品售價高昂的原因。成本下不來，Micro-LED的量產就會很艱難。同時，由于存在多個巨量轉移技術，企業面臨選擇問題。

其他方面的問題還有類似于效率越高LED芯片要做得越小，且要確保每一顆芯片的光電性能都一樣;三基色Micro-LED的像素光源問題。目前主要采用藍光+熒光粉的解決方案，需要解決紅光問題;三基色Micro-LED的像素組裝尺寸微米化受限，難以實現超高密度封裝等。