（文章來源：任哥論道）

據(jù)中國(guó)科學(xué)院報(bào)道，金屬所制備出硅-石墨烯-鍺高速晶體管。

中國(guó)科學(xué)院金屬研究所沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家研究中心先進(jìn)炭材料研究部科研人員在《自然-通訊》上在線發(fā)表了題為《垂直結(jié)構(gòu)的硅-石墨烯-鍺晶體管》的研究論文。科研人員首次制備出以肖特基結(jié)作為發(fā)射結(jié)的垂直結(jié)構(gòu)的硅-石墨烯-鍺晶體管，成功將石墨烯基區(qū)晶體管的延遲時(shí)間縮短了1000倍以上，可將其截止頻率由兆赫茲（MHz）提升至吉赫茲（GHz）領(lǐng)域，并在未來有望實(shí)現(xiàn)工作于太赫茲（THz）領(lǐng)域的高速器件。

據(jù)報(bào)道，目前，金屬所科研人員提出半導(dǎo)體薄膜和石墨烯轉(zhuǎn)移工藝，首次制備出以肖特基結(jié)作為發(fā)射結(jié)的垂直結(jié)構(gòu)的硅-石墨烯-鍺晶體管（圖1）。與已報(bào)道的隧穿發(fā)射結(jié)相比，硅-石墨烯肖特基結(jié)表現(xiàn)出目前最大的開態(tài)電流和最小的發(fā)射結(jié)電容，從而得到最短的發(fā)射結(jié)充電時(shí)間，使器件總延遲時(shí)間縮短了1000倍以上，可將器件的截止頻率由約1.0 MHz提升至1.2 GHz。通過使用摻雜較重的鍺襯底，可實(shí)現(xiàn)共基極增益接近于1且功率增益大于1的晶體管。科研人員同時(shí)對(duì)器件的各種物理現(xiàn)象進(jìn)行了分析。通過基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的建模，科研人員發(fā)現(xiàn)該器件具備了工作于太赫茲領(lǐng)域的潛力。

簡(jiǎn)單地說，這種復(fù)合材料已經(jīng)研制成功。據(jù)報(bào)道，這種材料的晶體結(jié)構(gòu)非常穩(wěn)定，由于有石墨烯和鍺的參與，目前保守估計(jì)，在1納米級(jí)乃至皮米級(jí)斗毆沒有問題。并且，這種材料的導(dǎo)電性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過單晶硅，是它的1000倍。目前，我國(guó)的芯片制造業(yè)正在以前所未有的速度趕超國(guó)際最先進(jìn)的技術(shù)。硅-石墨烯-鍺的研制成功將打破芯片制造的壟斷局面。

這回美國(guó)自以為豪的芯片產(chǎn)業(yè)開始松動(dòng)，英特爾也不像以前那樣耀武揚(yáng)威了。因?yàn)樗麄冎溃坏┱l(shuí)先掌握了芯片高端制造材料，誰(shuí)就有話語(yǔ)權(quán)。
（責(zé)任編輯：fqj）