華燦光電此發明采用N型摻雜的A1xGa1-x作為生長材料的第一子層、N型摻雜的GaN作為生長材料的第二子層，它倆交替形成N型擴展層，使電子在進入多量子阱層之前速度降低，同時防止了部分空穴直接躍遷進入N型層，從而使電子和空穴在多量子阱層充分復合發光，提高了發光二極管的發光效率。

集微網消息，第三代半導體包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料，可廣泛應用于發光、通訊、電能變換等領域。而近日，華燦光電就獲批浙江省第三代半導體材料與器件重點實驗室，將致力于第三代半導體材料和器件等領域的研究。

發光二極管芯片是一種可以直接把電轉化為光的固態半導體器件，是發光二極管的核心組件。發光二極管芯片包括GaN基的外延片、以及在外延片上制作的電極。

現有的外延片通常包括襯底層、以及依次覆蓋在襯底層上的緩沖層、非摻雜的GaN層、N型接觸層、多量子阱層和P型層。其中，襯底層為藍寶石襯底。多量子阱層是若干量子阱層和若干量子壘層交替形成的。但是，由于電子質量小，易遷移，在電場的驅動下可能速度過快而越過多量子阱層，遷移到P型層，導致發光二極管漏電，降低了發光二極管的發光效率。

另外，GaN和藍寶石襯底之間的晶格常數較大，熱膨脹系數失配，界面處會產生較強的應力作用和大量的位錯和缺陷，這些位錯和缺陷將延伸至外延片表面，影響了發光二極管的內量子效率。

為此，華燦光電申請了一項名為“一種發光二極管外延片及其制備方法”（申請號：201210540920.3）的發明專利，申請人為華燦光電股份有限公司。

圖1 發光二極管外延片的結構示意圖

上圖是該專利提出的一種發光二極管外延片的結構示意圖，從底到上依次是：襯底層1、緩沖層2、非摻雜的GaN層3、N型接觸層4、N型擴散層5、多量子阱層6以及P型層7。

圖2 發光二極管外延片的制備方法

那么這種發光二極管外延片的制備方法流程如上圖所示。首先，將襯底層1在高溫的氫氣環境中進行熱處理10分鐘，清潔表面，然后再進行低溫處理，可以得到生長緩沖層2。繼續進行高溫處理，即可生長出非摻雜的GaN層3，此時再用硅摻雜 GaN層，就可以得到生長N型4。

在N型接觸層4上交替生長十層第一子層a和十層第二子層b，形成超晶格結構，生長溫度為1220℃。針對第一子層a，采用N型摻雜的A1xGa1-x(0＜x＜1)作為生長材料；而第二子層b，采用N型摻雜的GaN作為生長材料。并且均勻改變Al 的濃度，在一定時間之后，就會形成生長N型擴展層5。

然后，為了制備生長多量子阱層6，我們可以在N型擴展層5上交替生長八層量子阱層和八層量子壘層。其中，量子阱層采用lnGa作為生長材料，生長溫度為850℃。量子壘層采用GaN作為生長材料，生長溫度為950℃。

最后，采用高純H2或者N2作為載氣，TMGa、TMAl、TMln和NH3分別作為Ga源、Al源、In源和N源。通過金屬有機化學氣相沉積設備或者其他設備完成外延片生長片，進而得到生長P型層7。

華燦光電此發明采用N型摻雜的A1xGa1-x作為生長材料的第一子層、N型摻雜的GaN作為生長材料的第二子層，它倆交替形成N型擴展層，使電子在進入多量子阱層之前速度降低，同時防止了部分空穴直接躍遷進入N型層，從而使電子和空穴在多量子阱層充分復合發光，提高了發光二極管的發光效率。另外，N型擴展層的超品格結構可以有效降低外延片中的應力和缺陷，提升發光二極管的內量子效率。

華燦光電的LED芯片在其公司總營收中的占比較高，而在第三代半導體興起的時代，華燦光電還需要更加積極地拓寬產品方向。