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武漢國家存儲器基地復工 總投資達1600億元

半導體動態 ? 來源:全球半導體觀察 ? 作者:全球半導體觀察 ? 2020-04-16 10:06 ? 次閱讀

隨著武漢重啟,新興建設承建的國家級高科技重點項目武漢國家存儲器基地,經過前期科學有序的疫情防控和復工復產準備,日前,項目施工生產加速推進,現場300余名工人已經投入到各項工作。

據中國新興建設指出,該項目于4月2日獲得復工批復,目前正在進行二次施工及部分高層主體結構施工。

武漢國家存儲器項目位于武漢東湖高新區武漢未來科技城,總投資1600億元,工程建筑面積32.9萬平方米,是我國芯片國產化的重要支撐,規劃建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND閃存制造廠房,預計2020年,整個項目完成,總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元。目前,長江存儲器基地一期已實現量產。

長江存儲科技有限責任公司副董事長楊道虹此前在湖北省兩會期間召開的首場新聞發布會上表示,當前及今后一段時間,他們的核心任務是推動產能爬坡提升,如期達成月產能10萬片,并盡快啟動二期建設,建成30萬片/月產能,提升國家存儲器基地的規模效應,帶動全省產業發展。

湖北省2020年政府工作報告也指出,湖北將加快培育壯大以“芯屏端網”為重點的世界級產業集群,加快國家存儲器基地二期項目的建設。

中國新興建設表示,新興建設武漢國家存儲器基地項目將結合當前實際情況,按照目標不變、標準不降、信心不減、干勁不松的原則,科學調整施工工序,加快施工進度,加強重點區域工作的指導和協調力度,努力克服疫情影響,確保完成全年施工目標。
責任編輯:wv

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