（集微網(wǎng)報(bào)道）功率半導(dǎo)體是為所有電子產(chǎn)品提供電力，或?qū)崿F(xiàn)電子電力轉(zhuǎn)換的核心器件。在需求爆發(fā)的驅(qū)動(dòng)下，MOSFET等功率器件正在經(jīng)歷高速發(fā)展期。放眼全球，2018 年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模約為 391 億美元，中國(guó)本土市場(chǎng)占138億美元。預(yù)計(jì)至 2021 年市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至 441 億美元，年化增速為 4.1%。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)也是火熱異常，作為全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，2018 年中國(guó)市場(chǎng)需求規(guī)模占全球需求比例高達(dá) 35%。

仔細(xì)分析國(guó)內(nèi)對(duì)MOSFET有高需求的行業(yè)，電動(dòng)工具占據(jù)了重要一席。國(guó)內(nèi)電動(dòng)工具行業(yè)在承接國(guó)際分工轉(zhuǎn)移的過程中不斷發(fā)展壯大，市場(chǎng)份額穩(wěn)步提升，技術(shù)上快速升級(jí)迭代，對(duì)MOSFET的需求正在逐步提高。以往，這個(gè)市場(chǎng)被國(guó)外品牌所把持，但是在國(guó)產(chǎn)替代大潮的引領(lǐng)下，以深圳尚陽(yáng)通為代表的國(guó)內(nèi)企業(yè)正逐步成長(zhǎng)起來，占據(jù)越來越多的市場(chǎng)份額，并不斷向中高端領(lǐng)域進(jìn)軍。

對(duì)標(biāo)世界領(lǐng)先

電動(dòng)工具中主要使用了中低壓MOSFET，電壓范圍是30~120V。這個(gè)市場(chǎng)的規(guī)模和潛力都非常巨大，國(guó)內(nèi)企業(yè)近年來在這個(gè)領(lǐng)域表現(xiàn)不俗。

尚陽(yáng)通的TTMOS? 產(chǎn)品系列專為該領(lǐng)域而生，采用了先進(jìn)的溝槽柵器件結(jié)構(gòu)和制造原理，涵蓋-30V~200V、2A~300A，多種封裝形式，非常易于客戶選擇。

據(jù)介紹，尚陽(yáng)通在TTMOS?開發(fā)上已經(jīng)歷了兩代產(chǎn)品。第一代產(chǎn)品采用電容平緩技術(shù)，優(yōu)化了器件EMI特性，助力降低電路設(shè)計(jì)難度，為系統(tǒng)應(yīng)用提供了更加充分的設(shè)計(jì)裕量，提高了可靠性。最新推出的第二代SGT產(chǎn)品則具有極低的結(jié)電容和充放電電荷，適合于高效率大功率應(yīng)用，目前客戶在使用中，可直接替換海外品牌。

SGT （Shielded Gate Trench MOSFET） MOSFET是在傳統(tǒng)溝槽式 MOSFET（Trench MOSFET）基礎(chǔ)上的改進(jìn)型。相比于傳統(tǒng) Trench MOSFET功率器件，SGT MOSFET內(nèi)阻低，結(jié)電容更小，米勒平臺(tái)窄，導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗低。

具體而言，SGT MOSFET 的溝槽內(nèi)結(jié)構(gòu)有了很大的改變，在柵電極下方增加了一塊多晶硅電極，即屏蔽電極或稱耦合電極。屏蔽電極與源電極相連，即實(shí)現(xiàn)了屏蔽柵極與漂移區(qū)的作用，減小了米勒電容，器件的開關(guān)速度得以加快，同時(shí)又實(shí)現(xiàn)了電荷耦合效應(yīng)，減小了漂移區(qū)臨界電場(chǎng)強(qiáng)度，器件的導(dǎo)通電阻得以減小，開關(guān)損耗能夠更低。與傳統(tǒng)溝槽式MOSFET相比，SGT MOSFET的內(nèi)阻要低2倍以上。

同時(shí)，SGT MOSFET的芯片面積更小，相比統(tǒng)溝槽式MOSFET，面積至少減少4成以上。加之獨(dú)特的工藝流程設(shè)計(jì)減少了工藝步驟和掩膜版的數(shù)目，從而降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，使產(chǎn)品極具性價(jià)比。

目前，尚陽(yáng)通 TTMOSTM有四個(gè)產(chǎn)品系列：Soft、Low Qg、ESD Enhanced、Schottkey Integrated，適用于電動(dòng)工具、掃地機(jī)器人、園林機(jī)械、電動(dòng)自行車等各種應(yīng)用。

尚陽(yáng)通的TTMOSTM系列

直擊痛點(diǎn)

電動(dòng)工具是個(gè)籠統(tǒng)的概念，一般是指用手握持操作，以小功率電動(dòng)機(jī)或電磁鐵作為動(dòng)力，通過傳動(dòng)機(jī)構(gòu)來驅(qū)動(dòng)作業(yè)工作頭的工具。

按照動(dòng)力類型分類，電動(dòng)工具可以分為傳統(tǒng)電力式（有繩）和充電式(無繩)兩類，2010年之前，有繩電動(dòng)工具由于生產(chǎn)工藝和技術(shù)成熟、成本低廉等特點(diǎn)一直占據(jù)市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，而無繩電動(dòng)工具的市場(chǎng)雖起步相對(duì)較晚，但隨著下游對(duì)小型化、便捷化的需求，并且電池成本逐漸降低，使得無繩電動(dòng)工具的發(fā)展越來越快，從2011年占整個(gè)電動(dòng)工具產(chǎn)量的30%左右到2018年的接近50%，發(fā)展十分迅速。

高速的發(fā)展也帶來更多技術(shù)挑戰(zhàn)。對(duì)于電動(dòng)工具的設(shè)計(jì)工程師而言, 如何確保電動(dòng)工具承受持續(xù)的堵轉(zhuǎn)沖擊? 在緊湊的空間里如何有效解決散熱問題?如何實(shí)現(xiàn)更好的電路板布局性能和低成本設(shè)計(jì)？這些都是設(shè)計(jì)中的痛點(diǎn)。針對(duì)這些設(shè)計(jì)痛點(diǎn)，尚陽(yáng)通 TTMOSTM會(huì)如何應(yīng)對(duì)呢？

該系列產(chǎn)品有兩大整體特性：一是導(dǎo)通電阻Rdson低，可在小封裝中實(shí)現(xiàn)極低Rdson；二是產(chǎn)品設(shè)計(jì)魯棒性, 雪崩能力強(qiáng), 出貨前都經(jīng)過了100%雪崩測(cè)試篩選。根據(jù)這些特性，我們來逐一進(jìn)行分析：

首先，該系列的封裝小型化、功耗低、功率密度大，更利于電動(dòng)工具緊湊型設(shè)計(jì)和大功率電動(dòng)工具應(yīng)用。

其次，該系列的耐沖擊能力強(qiáng), 很好的解決電動(dòng)工具啟動(dòng)、堵轉(zhuǎn)時(shí)過熱甚至損壞的痛點(diǎn)。

最后，該產(chǎn)品一致性好。尚陽(yáng)通質(zhì)量管控嚴(yán)格, 制造供應(yīng)鏈穩(wěn)定可靠, 保證產(chǎn)品一致性，解決了電動(dòng)工具返修率高的痛點(diǎn)。

從分析中可以看出，尚陽(yáng)通 TTMOSTM產(chǎn)品能完美化解電動(dòng)工具設(shè)計(jì)中的痛點(diǎn)。

實(shí)際上，TTMOSTM產(chǎn)品因出色的特性，在其他領(lǐng)域也有優(yōu)異的表現(xiàn)。而作為新一代功率半導(dǎo)體技術(shù)IC設(shè)計(jì)企業(yè)，尚陽(yáng)通依托團(tuán)隊(duì)自身實(shí)力和產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)，一直以產(chǎn)品推陳出新的升級(jí)迭代能力強(qiáng)而著稱于業(yè)界。目前尚陽(yáng)通產(chǎn)品主要涵蓋功率器件和模擬器件產(chǎn)品。具體包括：200V~1200V SnowMOS? （Super Junction MOSFET）系列、-30V~200V TTMOS? (SGT MOS)系列、650V~1200V IGBT系列以及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品 （SiC Diode & SiC MOSFET / GaN MOSFET）。特別是新一代SnowMOS? 、TTMOS? 產(chǎn)品，因兼具高可靠性和穩(wěn)定性，擁有極低的導(dǎo)通電阻及更小體積的封裝，在工業(yè)電源技術(shù)壁壘高，功率器件進(jìn)口替代需求強(qiáng)的大潮下，尚陽(yáng)通已經(jīng)成為電源工程師優(yōu)選的理想品牌。