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臺積電成為高級集成電路封裝解決方案供應(yīng)商

lhl545545 ? 來源:傳感器技術(shù) ? 作者:傳感器技術(shù) ? 2020-06-11 10:59 ? 次閱讀
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臺積電在30年前開始了晶圓代工業(yè)務(wù)。有遠(yuǎn)見的管理和創(chuàng)新工程團(tuán)隊開發(fā)了先進(jìn)的工藝技術(shù),并以其可信賴的量產(chǎn)聲譽(yù)而聞名。臺積電也很早就意識到建立生態(tài)系統(tǒng)的重要性,以補(bǔ)充公司自身的優(yōu)勢。他們的開放式創(chuàng)新平臺(OIP)吸引了許多EDA和IP合作伙伴,他們?yōu)榕_積電(TSMC)的成功做出了貢獻(xiàn)。這一切都遵循了摩爾定律(Moore‘s Law),目前已進(jìn)行到了3nm階段。

市場需要先進(jìn)的IC封裝技術(shù)

對于許多其他應(yīng)用,摩爾定律不再具有成本效益,尤其是對于異構(gòu)功能而言。超越摩爾定律的技術(shù),如多芯片模塊(MCMs)和封裝系統(tǒng)(SiP),已經(jīng)成為集成大量的邏輯和內(nèi)存,模擬,MEMS等集成到(子系統(tǒng))解決方案中的替代方案。但是,這些方法仍是針對特定客戶而言的,并且會花費(fèi)大量的開發(fā)時間和成本。

為了滿足市場對新型多芯片IC封裝解決方案的需求,臺積電與OIP合作伙伴合作開發(fā)了先進(jìn)的IC封裝技術(shù),以實現(xiàn)摩爾定律以外的集成。

臺積電成為高級集成電路封裝解決方案供應(yīng)商

在2012年,TSMC與Xilinx一起推出了當(dāng)時最大的FPGA,它由四個相同的28nm FPGA芯片并排安裝在硅中介層上。他們還開發(fā)了硅通孔(TSV),通過微凸點(diǎn)和再分布層(RDL)將這些構(gòu)件相互連接。臺積電基于其構(gòu)造,將該集成電路封裝解決方案命名為“基片上晶圓封裝”(CoWoS)。這種基于block和EDA支持的封裝技術(shù)已成為高性能和高功率設(shè)計的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)今最常見的應(yīng)用是將CPU / GPU / TPU與一個或多個高帶寬內(nèi)存(HBM)組合在一起。

臺積電于2017年宣布了集成式FanOut技術(shù)(InFO)。它使用聚酰胺薄膜代替CoWoS中的硅中介層,從而降低了單位成本和封裝高度,這兩項都是移動應(yīng)用的重要標(biāo)準(zhǔn)。臺積電已經(jīng)出貨了數(shù)千萬個用于智能手機(jī)的InFO設(shè)計。

臺積電于2019年推出了集成芯片系統(tǒng)(SoIC)技術(shù)。使用前端(晶圓廠)設(shè)備,TSMC可以非常精確地對準(zhǔn),然后使用許多間距狹窄的銅焊盤進(jìn)行壓焊設(shè)計,以進(jìn)一步減小形狀系數(shù),互連電容和功率。

圖1顯示CoWoS技術(shù)針對的是云,人工智能,網(wǎng)絡(luò),數(shù)據(jù)中心以及其他高性能和大功率計算應(yīng)用程序。

InFO通常被用于對成本更加敏感且功耗較低的市場,除此之外,還有一些其他領(lǐng)域也可以用到InFO。

SoIC技術(shù)提供了用于集成到CoWoS和/或InFO設(shè)計中的多管芯模塊?!獏⒁妶D2。

SoIC技術(shù)受益于

臺積電的最新創(chuàng)新,SoIC技術(shù)是將多個 dice堆疊到“ 3D構(gòu)件”(又稱為“ 3D小芯片”)中的一種非常強(qiáng)大的方法。如今,在垂直堆疊的芯片中,利用SoIC技術(shù)每mm2能夠?qū)崿F(xiàn)約10,000個互連。每平方毫米100萬個互連的開發(fā)工作正在進(jìn)行中。3D-IC愛好者(包括我自己)一直在尋找一種封裝方法,這種方法能夠?qū)崿F(xiàn)這種細(xì)粒度的互連,進(jìn)一步減少形狀因素,消除帶寬限制,簡化模具堆的熱管理,并將大型、高度并行的系統(tǒng)集成到集成電路封裝中。顧名思義,即“ System on IC”,該技術(shù)可以滿足這些挑戰(zhàn)性的要求。SoIC和SoIC +令人印象深刻的功能將在此處進(jìn)一步說明。臺積電的EDA合作伙伴正在努力通過用戶友好的設(shè)計方法來補(bǔ)充該技術(shù)。我希望IP合作伙伴能夠盡快提供SoIC就緒的小芯片和仿真模型,以方便用戶地集成到CoWoS和InFO設(shè)計中。

個人評論:20多年前,我在新思科技(Synopsys)擔(dān)任聯(lián)盟管理職務(wù)時,有機(jī)會為侯克夫(Cliff Hou)博士在臺積電(TSMC)初始工藝設(shè)計套件(PDK)和參考設(shè)計流程方面的開拓性開發(fā)工作做出了貢獻(xiàn),促進(jìn)從傳統(tǒng)IDM過渡到更具有經(jīng)濟(jì)效益的商業(yè)模式。

借助上述封裝技術(shù),臺積電(TSMC)正在率先對半導(dǎo)體業(yè)務(wù)進(jìn)行另一項變革。CoWoS,InFO尤其是SoIC使半導(dǎo)體和系統(tǒng)供應(yīng)商能夠從當(dāng)今較低復(fù)雜度(和較低價值)的組件級IC遷移到IC封裝中非常高復(fù)雜度和高價值的系統(tǒng)級解決方案。這三種先進(jìn)的IC封裝解決方案正在加速一個重要的行業(yè)趨勢:IC和系統(tǒng)價值創(chuàng)造的很大一部分正從芯片轉(zhuǎn)移到封裝。
責(zé)任編輯:pj

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