在2019年，國內(nèi)的內(nèi)存以及閃存領(lǐng)域分別有一個重大的突破，長江存儲量產(chǎn)64層3D閃存，合肥長鑫則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存，而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。

在DRAM內(nèi)存芯片市場上，三星、SK海力士和美光三大公司占據(jù)了95%以上的市場份額，其中三星占據(jù)44%左右、SK海力士占比約30%、美光則占比21%左右。

目前，排在全球第四的內(nèi)存芯片廠商是南亞科技，但是，只有3%的份額，其產(chǎn)能不過7萬片晶圓/月。

據(jù)悉，合肥長鑫將會在今年年底產(chǎn)能達到7萬片晶圓/月，這樣意味著他們將有希望超越南亞成為全球第四大DRAM芯片廠。

但是，即便可以達到7萬片/月，合肥長鑫還是與前三名有不小的差距。

據(jù)了解，長鑫預計在2021年完成17nm工藝內(nèi)存芯片，可以繼續(xù)提升內(nèi)存的存儲密度。

根據(jù)官方信息顯示，以長鑫為代表的安徽半導體行業(yè)，在未來的2-3年內(nèi)將會推進低功耗高速率LPDDR5?DRAM產(chǎn)品開發(fā)，主要會面向中高端移動、平板機消費類產(chǎn)品DRAM存儲芯片自主可控需求，并且繼續(xù)研發(fā)先進低功耗高速率LPDDR5產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
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