DRAM（Dynamic Random Access Memory）

即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM。但是DRAM和 SRAM 兩者之間有著很大的區(qū)別。其中最大的區(qū)別就是DRAM的地址總線接口與 SRAM 的不同。DRAM使用了dram 地址復(fù)用技術(shù)。也就是行地址與列地址分時(shí)復(fù)用技術(shù)，這就是dram 的關(guān)鍵技術(shù)所在。主要原因是由它的硬件電路決定的。

DRAM與 CPU 的接口（尋址方式）

舉個(gè)栗子，EM63A165TS 是 EtronTech 公式的一款 DRAM 芯片，容量為 16M*16Bit，分成四個(gè) Bank，每一個(gè) Bank 為 4M*16Bit。但是，觀察它的芯片管腳圖，你就會(huì)發(fā)現(xiàn)它的地址線只有 13 根（A0-A12）和兩根 Bank 控制線。13 根的控制線按照 SRAM 的尋址方法，每個(gè) Bank 只有 2^13=8K，遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有達(dá)到 4M。這是為什么呢？

原因在于，DRAM 普遍采用的是行與列地址分時(shí)復(fù)用技術(shù)進(jìn)行尋址。在 DRAM 的矩陣存儲(chǔ)單元中，地址可以分成行地址和列地址。在尋址時(shí)，必須先進(jìn)行行尋址然后在進(jìn)行列尋址，這是由 DRAM 的硬件電路所決定的。所以，對(duì)行地址線和列地址線進(jìn)行共用，既節(jié)省了地址線，也不會(huì)降低 DRAM 原有的工作速率（因?yàn)?DRAM 的行地址和列地址就是要分時(shí)傳送的）。而，如果是 SRAM 采用這種尋址方式的話，則會(huì)大大降低其工作速度。

那么，EM63A165TS 只有 13 根地址線也就可以理解了，在其數(shù)據(jù)手冊(cè)上可以知道，A0-A12 是行地址線，同時(shí) A0-A8 復(fù)用為列地址線，那么就有了 22 根地址線，2^22=4M。

DRAM硬件電路

下圖所示是 DRAM 一個(gè)位的存儲(chǔ)單元電路，信息存儲(chǔ)在電容之中，電容有電荷則為 1，沒電則為 0。當(dāng)字線為高時(shí)，該 MOS 管導(dǎo)通，若電容有電荷，則會(huì)在位線上產(chǎn)生電流，反之則無。因?yàn)槭怯秒娙荽鎯?chǔ)信息，而電容會(huì)存在漏電流，所以必須要配合周期刷新電路來維持電容的電荷。

下圖所示則是一個(gè) DRAM 的矩陣存儲(chǔ)電路。

在讀寫操作前必須先選擇行，相應(yīng) MOS 管導(dǎo)通。

選定行后，再選擇列。然后就可以對(duì)某一位進(jìn)行讀寫操作。

讀過程中可以通過下圖的感應(yīng)放大器電路來保持電容的電荷不變。該電路由兩個(gè)反相器組成。

當(dāng)預(yù)充電線為高時(shí)，刷新電路導(dǎo)通，然后維持電容中的電荷量不變。由兩個(gè)反相器和一個(gè) MOS 管組成。

編輯：hfy