ROHM開發出“1200V 第４代SiC MOSFET”，非常適用于包括主機逆變器在內的車載動力總成系統和工業設備的電源。第4代SiC MOSFET實現了業界先進的低導通電阻，針對下一代電動汽車（xEV）高效且小型輕量化的電動系統、第４代SiC MOSFET起到核心驅動作用的主機逆變器系統的小型化和高效化、充電時間隨著電動汽車（EV）電池容量的增加而縮短、電池電壓提高（800V）等趨勢，該產品被寄予厚望。目前，第４代SiC MOSFET可以以裸芯片的形式提供樣品。

*2020年6月17日羅姆調查

＜1200V 第4世代SiC MOSFET的亮點＞

?進一步改進了ROHM自有的雙溝槽結構，與以往產品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下，成功地將單位面積的導通電阻降低了約40％。

?通過大幅降低寄生電容，使開關損耗比以往產品降低約50％。

?通過實現上述亮點，可減小逆變器和電源等各種功率轉換應用的尺寸并降低功耗。

改進了自有的溝槽結構，實現業界先進的低導通電阻

ROHM于2015年世界上第一家成功地實現了溝槽結構SiC MOSFET的量產，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。一直以來，業界存在降低導通電阻會導致短路耐受時間變短（二者之間存在此消彼長的關系）的問題，但此次開發的第四代SiC MOSFET，通過進一步改進自有的雙溝槽結構，與以往產品相比，無需犧牲短路耐受時間，即可成功地將單位面積的導通電阻降低約40％。

大幅降低寄生電容，使開關損耗降低50％

通常，MOSFET的各種寄生電容具有隨著導通電阻的降低和電流的提高而增加的趨勢，隨著寄生電容的增加，開關損耗也會增加，這限制了SiC本來具備的高速開關優勢。此次推出的第4代SiC MOSFET產品，通過大幅降低柵漏電容（CGD），成功地使SiC MOSFET開關損耗比以往產品降低約50％。

編輯：hfy