碳化硅（SiC）JFET是一種晶體管類型，它提供單位面積上最低的導通電阻RDS（on），是一種性能穩(wěn)定的器件。與傳統(tǒng)的MOSFET器件相比，JFET不易發(fā)生故障，適合斷路器和限流應用。例如，如果你用1毫安的電流偏置一個JFET的柵極，并監(jiān)控柵極電壓Vgs，見圖1，你可以監(jiān)控器件的溫度，因為Vgs隨溫度線性降低。此屬性對于需要功率場效應管（Sic JFET）的功率模塊應用程序特別有用，它可以監(jiān)視其自身的運行狀況。

圖1:UnitedSiC的SIC JFET和SIC共源共柵結(jié)構(gòu)的FET

對于需要常閉設備的電力電子應用，我們開發(fā)了一種共源共柵結(jié)構(gòu)的SiC，見圖1。在共源共柵結(jié)構(gòu)中，功率MOSFET堆疊在JFET的頂部，并封裝在一起以獲得非常低的熱阻。MOSFET具有+/-20 V柵極額定值，具有ESD保護，并且具有5 V閾值，使其成為12V柵極驅(qū)動應用的理想選擇。

我們開發(fā)的650伏-1200伏碳化硅器件有許多潛在的應用領域，從汽車到可再生能源。見圖2。

圖2：主要應用領域和SiC場效應晶體管的好處

功率轉(zhuǎn)換、電路保護和電機驅(qū)動都是功率場效應晶體管的常用案例。所提到的許多應用的一個共同特點是，柵極驅(qū)動特性與其他一些器件（如mosfet和igbt）兼容，使得它們易于在現(xiàn)有的開發(fā)中進行設計。sic jfet比sic mosfet在長時間和重復的短路循環(huán)方面更為穩(wěn)定，所使用的燒結(jié)工藝技術(shù)實現(xiàn)了較低的熱阻，這對于某些液冷設計（如汽車）非常有利。

對于可再生能源設備，如太陽能逆變器和儲能設備，我們的碳化硅器件具有極低的RDS（on）特性，可將散熱量保持在最低水平。從電路保護的角度來看，低RDS（on）也使得sic jfet的使用與低接觸電阻繼電器和接觸器具有很強的競爭力。

我們的SiC FET，即使在MOSFET共源共柵結(jié)構(gòu)中，也提供了業(yè)界最低的RDS（on）規(guī)格，如圖3所示。650V的器件只有7MΩ，而1200V的器件只有9MΩ。

圖3:RDS最低的UnitedSiC SiC設備的行業(yè)比較

由于RDS（on）隨溫度穩(wěn)定增加，我們的SiC FET器件很容易并聯(lián)，但是溫度的增加比同類硅器件低得多。例如，在圖4（左圖）中，7 mW 650 V部件RDS（on）在150°C時仍低于10 mΩ。

圖4：接通電阻和溫度的比較

UnitedSiC FET系列可以并聯(lián)在一起，安裝在一個液冷散熱器上，并以更高的頻率驅(qū)動，所有這些對于過去選擇IGBT的各種電力電子應用都是有價值的規(guī)范參數(shù)。此外，我們的碳化硅器件不顯示膝電壓，集成了一個優(yōu)異的體二極管，并足夠穩(wěn)定。在沒有膝電壓的情況下，即使在中等負載下，器件也能以非常高的效率工作。

使用共源共柵技術(shù)安排，我們已經(jīng)能夠?qū)⒋蠖鄶?shù)封裝尺寸中電阻最低的場效應晶體管推向市場。例如，我們的UF3SC06503D8S和xx40D8S SiC FET采用DFN8x8封裝，25°C下的RDS（on）分別為34 mΩ和45 mΩ。即使在高溫下，電阻也不會顯著增加，與其他有競爭力的硅和氮化鎵器件相比，電阻提高了2到3倍。另外，兩種器件的電容值都相對較低，這進一步有助于功率轉(zhuǎn)換電路的設計。

通常使用jfet可以簡化反激變換器的設計。我們的緊湊型、極低導通電阻的650 V至1700 V JFET，可用于啟動反激電路-見圖5。開始時，電流流過一次繞組、JFET Q2、二極管D2和電阻器R1，為電容器C1充電，后者為控制IC提供電源。一旦C1上的電壓超過控制IC的欠壓鎖定，連接到控制IC的MOSFET Q1就開始切換。

圖5:MOSFET、反激變換器IC和JFET的創(chuàng)新封裝，以生產(chǎn)復雜的高性能轉(zhuǎn)換器

通過將控制IC和MOSFET Q1封裝到單個IC中，然后將JFET Q1與之共同封裝，可產(chǎn)生緊湊、高性能、經(jīng)濟高效的反激解決方案。進一步縮小變頻器的體積，使變頻器的物理尺寸進一步減小。這種設計方法可以使用1700伏JFET在額定400v母線電壓下工作，最高可達1000v。從智能手機充電器到工業(yè)電源，各種電源設計都可以用這種方式設計。
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