2020年已經(jīng)過去大半，今年半導(dǎo)體行業(yè)可謂是一波三折。2020H1， 全球半導(dǎo)體銷售額2082億美元，同比+6.77%，中國半導(dǎo)體銷售額714億美元，同比+5.47%，全球占比35.52%。受疫情影響，產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇有所放緩。上半年中美爭端持續(xù)，美對華為芯片制裁持續(xù)加碼，亦對華科技其他領(lǐng)域施加制裁。

集成電路進口金額近五年超原油，當(dāng)前中國集成電路制造自給率約16%，自給率尚且不高。預(yù)計國內(nèi)產(chǎn)值未來5年內(nèi)保持17%左右的復(fù)合增速，自給率在2024年有望超過20%。對集成電路重視度進一步提升，升級財稅政策，設(shè)立集成電路一級學(xué)科并開展強基計劃，后續(xù)有望將第三代半導(dǎo)體納入“十四五”規(guī)劃。

產(chǎn)業(yè)大基金方面：大基金一期投向制造、設(shè)計、封測、設(shè)備材料等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)投資比重分別是63%、20%、10%、7%。大基金二期2000億元規(guī)模，自2020年開始投資，上半年已有中芯國際、紫光展銳等重點項目開展。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2020年變化

根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，2020H1，全球半導(dǎo)體銷售額2082億美元，同比+6.77%，中國半導(dǎo)體銷售額714億美元，同比+5.47%，全球占比35.52%。其中一季度（全球同比8.06%、中國同比6.13%）強于二季度（全球同比5.50%、中國同比4.84%）。

產(chǎn)業(yè)自2019年中進入復(fù)蘇周期，2020H1受疫情影響復(fù)蘇暫時放緩，同比增長，環(huán)比回落，銷售額不及2017年下半年~2018年上半年水平。

上半年產(chǎn)業(yè)同比表現(xiàn)尚可：一方面由于疫情下游出現(xiàn)很多短單、急單，產(chǎn)業(yè)鏈普遍上調(diào)安全庫存水平，部分銷售增量來自于庫存抬升；另一方面2019年上半年基數(shù)較低。

▲中國占全球半導(dǎo)體銷售額比重達(dá)到35.5%

▲臺股部分半導(dǎo)體月度營收指引變化 存儲器在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額占比約三分之一，價格周期顯著。以DRAM存儲器為例，2019年12月價格觸底，接近2016年上輪底部，過去兩輪周期底部到頂部價差在100~200%，2020年初相對底部上漲20%左右； 疫情使存儲周期價格周期復(fù)蘇放緩；后續(xù)隨疫情恢復(fù)有望持續(xù)復(fù)蘇。

▲DRAM現(xiàn)貨價格走勢 國內(nèi)產(chǎn)業(yè)上，由于和美國爭端持續(xù)，美對華為芯片制裁持續(xù)加碼。

▲美國政府對華為的制裁

▲美國對華科技其他制裁 2015年后，集成電路超過原油連續(xù)五年占據(jù)我國進口商品第一大品類。根據(jù)海關(guān)總署數(shù)據(jù)，2019年中國集成電路進口金額3055.5億美元，占我國進口總額的14.7%。 在部分核心領(lǐng)域例如CPU、GPU、FPGA芯片、EDA工具、設(shè)備、材料等方面，國產(chǎn)化程度尚且較低。 當(dāng)前中國集成電路制造自給率約16%。預(yù)計國內(nèi)產(chǎn)值未來5年內(nèi)保持17%左右的復(fù)合增速，自給率在2024年有望超過20%。

▲中國集成電路與原油進口金額對比

▲中國集成電路部分環(huán)節(jié)國產(chǎn)占有率估測

▲ 中國集成電路產(chǎn)值增速高于市場規(guī)模增速 重視度進一步提升，財稅政策升級。重視提升：2020年8月4日，國務(wù)院發(fā)布《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》，此前2000年的國務(wù)院“18號文”和2011年的“4號文”表述均為“軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)”，體現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)重視度提升。 財稅政策：8月4日集成電路新政出臺財稅、投融資、研究開發(fā)、進出口、人才、知識產(chǎn)權(quán)、市場應(yīng)用、國際合作等八個方面政策措施，核心增量在于財稅和投融資政策。新增28nm以下集成電路生產(chǎn)企業(yè)“十年免所得稅”，進口設(shè)備、材料、零配件免關(guān)稅；設(shè)備、材料、封測公司明確享受所得稅“兩免三減半”，重點設(shè)計公司升級為五年免稅，上市融資條件放寬，支持研發(fā)支出資本化。

▲我國集成電路產(chǎn)業(yè)財稅相關(guān)政策大事記 加碼人才培養(yǎng)，一級學(xué)科設(shè)立和強基計劃。一級學(xué)科：2019年10月8日，工信部公布了答復(fù)政協(xié)《關(guān)于加快支持工業(yè)半導(dǎo)體芯片技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化自主發(fā)展的提案》的函，函中工信部指出要“推進設(shè)立集成電路一級學(xué)科，進一步做實做強示范性微電子學(xué)院。”2020年7月30日，國務(wù)院學(xué)位委員會投票通過設(shè)立“集成電路”一級學(xué)科，集成電路學(xué)科內(nèi)涵與外延擴大，同時有利于人才培養(yǎng)和研究資金撥款。 強基計劃：2020年1月，教育部試點開展“強基計劃”，聚焦高端芯片與軟件、智能科技、新材料、先進制造和國家安全等關(guān)鍵領(lǐng)域以及國家人才緊缺的人文社會科學(xué)領(lǐng)域。

▲傳統(tǒng)電子科學(xué)與技術(shù)各二級學(xué)科分工：微電子/半導(dǎo)體學(xué)科負(fù)責(zé)“工藝”

▲ 現(xiàn)在的學(xué)科分工：集成電路由一種元器件變成了整個電子系統(tǒng)的載體 第三代半導(dǎo)體有望納入“十四五”規(guī)劃。綱領(lǐng)目標(biāo)：2012年、2015年工信部分別制定了集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”、“十三五”規(guī)劃；根據(jù)中國證券報等媒體報道，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望列入“十四五”規(guī)劃，目標(biāo)“換道超車”。

▲我國集成電路產(chǎn)業(yè)相關(guān)綱領(lǐng)性文件及第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策梳理

▲ 正在實施的第三代半導(dǎo)體國家重點研發(fā)計劃重點專項 產(chǎn)業(yè)大基金動向：一期投資完成，撬動萬億資本投入。“產(chǎn)業(yè)+資本”成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展重要手段。“大基金”首批規(guī)模達(dá)1387億元+超過6000億元的地方基金及私募股權(quán)投資基金，中國將撬動萬億資本投入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。制造、設(shè)計、封測、設(shè)備材料等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)投資比重分別是63%、20%、10%、7%。大基金二期2000億元規(guī)模，自2020年開始投資。

▲中國國家及主要地方集成電路產(chǎn)業(yè)基金規(guī)劃

▲大基金一期投向企業(yè)全景梳理 大基金二期設(shè)立，資本杠桿撬動延續(xù)。大基金二期2000億元規(guī)模，自2020年開始投資，我們預(yù)計各領(lǐng)域龍頭企業(yè)仍然會成為其重點投資對象，預(yù)計制造環(huán)節(jié)占比仍然最大，重視材料設(shè)備、設(shè)計，新增應(yīng)用方向，封測領(lǐng)域預(yù)計繼續(xù)支持先進封測領(lǐng)域。 中芯國際獲重點支持：2020年5月，國家大基金二期和上海集成電路基金二期將分別對中芯南方注資15億美元和7.5億美元，注資后國家大基金一期、國家大基金二期、上海集成電路基金一期及上海集成電路基金二期擁有14.56%、23.08%、12.31%及11.54%股權(quán)。

▲大基金一期投向領(lǐng)域占比

▲ 大基金二期目前已投企業(yè)梳理 地方建廠熱潮方面， 二三梯隊建設(shè)較多，部分存在過剩可能。 從2015年起，國內(nèi)宣布或計劃建設(shè)的集成電路8英寸、12英寸生產(chǎn)線合計超過35條。 除中芯國際、長江存儲等第一梯隊廠商外，還有眾多二、三線城市地方政府與企業(yè)合資項目，如合肥晶合、廈門聯(lián)電、福建晉華、淮安德科瑪、淮安時代全芯、重慶萬國半導(dǎo)體（AOS）、大連宇宙半導(dǎo)體等。 當(dāng)前國內(nèi)12英寸晶圓廠產(chǎn)能約67萬片/月，預(yù)計2021年底將超過100萬片/月。

▲中國大陸半導(dǎo)體生產(chǎn)線分布圖（2020年4月） 據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2019年中國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模為134.5億美元，約合940億人民幣；中國大陸12英寸晶圓廠2020~2021年兩年間將新增產(chǎn)能34.55萬片/月，相當(dāng)于在現(xiàn)有存量基礎(chǔ)上新增52%。

▲中國大陸12英寸晶圓廠產(chǎn)能預(yù)測

▲中國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模 資本市場方面， 一級市場投融資踴躍，二級市場鼓勵上市。2020上半年集成電路領(lǐng)域一級市 科創(chuàng)板半導(dǎo)體板塊公司IPO募資情況統(tǒng)計場投融資交易67起，交易總金額359.47億元。 2019年7月科創(chuàng)板設(shè)立以來，半導(dǎo)體板塊上市公司19家，合計實際募資801.75億元。其中設(shè)計公司10家、制造2家、設(shè)備3家、材料3家、IP1家。 2020年以來科創(chuàng)板半導(dǎo)體公司上市9家，合計募資681.57億元，其中中芯國際募資金額最高 ， 為532.3億元。 2020年8月4日，集成電路支持政策指出，大力支持符合條件的集成電路企業(yè)和軟件企業(yè)在境內(nèi)外上市融資，加快境內(nèi)上市審核流程，符合企業(yè)會計準(zhǔn)則相關(guān)條件的研發(fā)支出可作資本化處理。鼓勵支持符合條件的企業(yè)在科創(chuàng)板、創(chuàng)業(yè)板上市融資，通暢相關(guān)企業(yè)原始股東的退出渠道。

▲科創(chuàng)板半導(dǎo)體板塊公司IPO募資情況統(tǒng)計 2020年以來，A股市場半導(dǎo)體板塊顯現(xiàn)出兩次高點，分別在2月底和7月初，近兩年總體呈現(xiàn)估值擴張趨勢。 美股半導(dǎo)體指數(shù)在2月份因疫情預(yù)期和流動性緊張而重挫，隨后逐步修復(fù)上漲。

▲A股半導(dǎo)體（中信）板塊指數(shù)走勢

▲美股費城半導(dǎo)體指數(shù)走勢

國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)三個核心問題

1、 中美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對比

A股選取CS半導(dǎo)體板塊，總市值合計為2.1萬億元人民幣，美股選取費城半導(dǎo)體指數(shù)成分股，總市值合計折合13.9萬億人民幣，總市值相差6.6倍。按照營收口徑，中美相差13.8倍，按照凈利潤口徑，中美相差51.9倍。

▲中美半導(dǎo)體上市公司體量對比

▲ 中國集成電路設(shè)計公司數(shù)量變化

▲ 全球前10大IC設(shè)計公司排名：華為海思一家大陸公司躋身top10 在選取的標(biāo)的范圍內(nèi)，A股市場半導(dǎo)體公司過去四年估值平均70倍PE（當(dāng)年P(guān)E），美股半導(dǎo)體公司平均約20倍。 中國一二級資本市場相對于海外市場均存在估值溢價，事實上有利于國內(nèi)成為科技創(chuàng)業(yè)和投資熱土。

▲國內(nèi)A股半導(dǎo)體部分標(biāo)的過去四年P(guān)E平均水平為70倍

▲美股半導(dǎo)體公司歷史PE平均水平在20倍上下 估值水平差異，映射發(fā)展階段

▲中美半導(dǎo)體公司發(fā)展階段對比：高成長vs成熟期

▲ 以中芯國際為例，單從收入體量來看，大致相當(dāng)于2000年前后的臺積電 據(jù)《中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書》（中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院）統(tǒng)計，2018年集成電路行業(yè)人員平均月薪9120元。根據(jù)上市公司年報計算，國內(nèi)芯片設(shè)計上市公司平均薪酬大多在35~40萬元左右，芯片制造上市公司平均薪酬大多在30萬左右。 根據(jù)美國勞工統(tǒng)計局（BLS）的數(shù)據(jù)，美國半導(dǎo)體制造業(yè)的制造崗位平均年薪為15萬美元，折合人民幣105萬元左右。 華為事件后國內(nèi)設(shè)計公司核心人才已十分緊缺，部分需求匹配的工程師待遇可提升50%~100%。

▲部分半導(dǎo)體行業(yè)上市公司人均薪酬水平（2019）

▲ 2019年中國半導(dǎo)體行業(yè)普通員工平均年薪水平（元） 2、華為制裁事件分析 美國對華為制裁分三步：1）2019.5.16，納入實體清單，美技術(shù)含量超25%產(chǎn)品需申請許可證；2）2020.5.15，含美國技術(shù)產(chǎn)品均需申請許可證，制裁指向華為海思定制芯片；3）2020.8.17，只要華為是最終客戶，相關(guān)產(chǎn)品均需申請許可證，封堵主芯片等標(biāo)準(zhǔn)品采購。 華為應(yīng)對措施：1）前期大量存貨。在2018年中興通訊被美國列入拒絕清單之后，華為就已經(jīng)開始做相應(yīng)的準(zhǔn)備。2018年華為的存貨大幅增加，其中主要增加的是原材料，占存貨的比例達(dá)到近年的峰值37.5%。2）供應(yīng)鏈切換，華為從十幾年前就開始儲備BCM（Business Continuity Management）計劃，考慮在上游不能保證供貨的極端情況下依然能夠?qū)崿F(xiàn)業(yè)務(wù)的持續(xù)性，就具體落實而言包括非美國廠商切換和自主研發(fā)。

▲華為原材料和存貨數(shù)據(jù)及比例（億元）

▲ 華為榮耀V30 pro 5G實現(xiàn)完全去A化，全部34顆芯片，自研20顆 基站中整個去A環(huán)節(jié)中難度最大的ADC/DAC已實現(xiàn)由海思完全替代。高速高精度的ADC/DAC是整個模擬芯片皇冠上的明珠。 美國科技企業(yè)的應(yīng)對：通過證明產(chǎn)品無關(guān)國家安全、申請臨時許可等方式。非美國本土供應(yīng)商：2020年5月制裁升級前供貨實質(zhì)未受美國實體清單影響，2020年5月后也需申請臨時許可。

▲2019年第一波制裁期間美國重要美國科技企業(yè)對華為供貨情況 短期悲觀情況：美國嚴(yán)格按照實體清單封鎖且不發(fā)放許可證，高通、聯(lián)發(fā)科等美國或非美海外供應(yīng)商無法給華為供貨，海思短期基本無法尋求代工，主要依靠存貨支撐1~2年現(xiàn)有產(chǎn)品生產(chǎn)。短期內(nèi)華為產(chǎn)業(yè)鏈公司可能經(jīng)歷客戶切換過程。 短期樂觀情況：美國大選前對華政策強硬，若后續(xù)適度放松，發(fā)放許可證，允許美國或非美海外供應(yīng)商發(fā)貨（符合美國廠商利益），則華為現(xiàn)有產(chǎn)品生產(chǎn)可以延續(xù)，對供應(yīng)鏈沖擊影響小。 長期可能方案：轉(zhuǎn)向易于去除美國技術(shù)的產(chǎn)品領(lǐng)域，如家電、IoT等。牽頭推進去美技術(shù)芯片制造能力。海思轉(zhuǎn)型為學(xué)術(shù)型研發(fā)機構(gòu)或者IP授權(quán)模式。哈勃投資加大產(chǎn)業(yè)鏈投資力度。“散是滿天星”，長期利于國內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

▲華為參與投資的科技公司梳理

▲ 5G 標(biāo)準(zhǔn)必要專利數(shù)目統(tǒng)計 3、制造內(nèi)循環(huán)可能性和必要性 臺灣及大陸晶圓制造龍頭廠商對比： 先進制程大致占晶圓代工市場700億美元的30%，客戶產(chǎn)品隨技術(shù)進步整體前移，掌握最先進制程者掌握最先進客戶獲得高毛利。 臺積電：臺積電產(chǎn)能約為250萬片/月（折合8英寸），為中芯國際產(chǎn)能5倍，營收10倍。臺積電占全球約40%的產(chǎn)能，50%的份額，12吋收入貢獻88%，16nm及以下先進制程貢獻56%收入，7nm貢獻35%收入，先進制程在全球處于80%份額的壟斷地位。 中芯國際：中芯國際產(chǎn)能為47.6萬片/月（折合8英寸），12吋收入貢獻57%，40nm及以上更落后節(jié)點的成熟制程貢獻92%收入，且盈利穩(wěn)定；28nm及以下收入貢獻7.8%。

▲中芯國際與臺積電各節(jié)點對比 存儲器制造中外龍頭廠商對比：存儲器市場規(guī)模約占半導(dǎo)體市場三分之一左右，全球近1500億美元，主要包括NAND Flash和DRAM。 NAND Flash大容量存儲器目前國內(nèi)核心廠商為長江存儲，技術(shù)路線主要看層數(shù)，目前國際主流廠商如三 星 、 美光等已實現(xiàn) 128 層 3D NAND Flash量產(chǎn)，長江存儲于2019年量產(chǎn)64層產(chǎn)品后，跳過96層產(chǎn)品，直接追趕128層產(chǎn)品。 長存128層產(chǎn)品于2020年4月已研發(fā)成功并通過主流控制器廠商驗證，預(yù)計最晚2021年上半年量產(chǎn)。與行業(yè)主流時間差距縮小到1~2年。

▲NAND Flash主要廠商技術(shù)路線圖（疊層） DRAM內(nèi)存顆粒的國內(nèi)核心廠商為長鑫存儲（合肥長鑫），技術(shù)路線主要看工藝納米數(shù)和內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，目前國際主流廠商如三星等已實現(xiàn)1z nm（12-14nm）量產(chǎn)，長鑫存儲位于1x nm（17~19nm）節(jié)點。 長鑫存儲于2019年底量產(chǎn)19nm產(chǎn)品，17nm產(chǎn)品有望在2020年底前量產(chǎn)。與行業(yè)主流廠商時間差距約2~3年。

▲DRAM主要廠商技術(shù)路線圖（制程） 設(shè)備全球前15名均為美日歐廠商，中國大陸廠商在全球市場占比僅約2%左右。 晶圓廠制造設(shè)備中約50%來自于美國廠商，20~30%左右來自于日本廠商。國內(nèi)晶圓廠國產(chǎn)化設(shè)備率現(xiàn)可達(dá)10%左右。

▲半導(dǎo)體制造流程及相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備示意圖

▲半導(dǎo)體設(shè)備類型占比

▲ 全球半導(dǎo)體設(shè)備廠商排名 國產(chǎn)替代能力從高到低大致排序：化學(xué)機械拋光、爐管、清洗、離子注入、薄膜(PVD/CVD)、刻蝕、量測、光刻。

▲國內(nèi)核心集成電路設(shè)備廠商技術(shù)能力對比 集成電路制造材料包括硅晶圓、掩模、電子氣體、工藝化學(xué)品、光刻膠、拋光材料、靶材、封裝材料等。高端材料方面我國綜合實力不足。 國內(nèi)晶圓廠半導(dǎo)體材料供應(yīng)商：日本廠商占30%，美國廠商占20%。國產(chǎn)化率在20%~30%。

▲半導(dǎo)體原材料占比

▲全球硅片市場份額

▲全球掩膜版市場份額

▲全球電子氣體市場份額 國產(chǎn)替代能力從高到低大致排序：高純化學(xué)品，靶材，特種氣體，拋光液，研磨墊，大硅片，光刻膠。

▲半導(dǎo)體材料國產(chǎn)供應(yīng)商技術(shù)能力現(xiàn)狀

▲設(shè)計端重點關(guān)注公司

▲設(shè)備端重點關(guān)注公司

▲材料端重點關(guān)注公司

▲制造端重點關(guān)注公司

▲封測端重點關(guān)注公司 這份報告對于國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展給出了很理性的分析，未來國內(nèi)集成電路的發(fā)展應(yīng)該遵循以下五個方針：“開門迎客”：完全內(nèi)循環(huán)短期沒有可能性也不符合商業(yè)邏輯，應(yīng)團結(jié)一切可以團結(jié)的力量；“務(wù)實求是”：產(chǎn)業(yè)投資效績評估應(yīng)針對不同子行業(yè)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展階段，增加技術(shù)節(jié)點考核；“上帝的歸上帝，凱撒的歸凱撒”：產(chǎn)業(yè)內(nèi)部尊重商業(yè)競爭，避免過度扶持，鼓勵“野蠻生長” ；“避免大煉芯片”：地方重資產(chǎn)制造類項目建設(shè)警惕“大水漫灌”和產(chǎn)能過剩風(fēng)險；“教育為本、尊重從業(yè)、鼓勵國產(chǎn)”：繼續(xù)加大教育投入，對從業(yè)人員和積極使用國產(chǎn)芯片的下游廠商給予稅收等實質(zhì)性鼓勵措施。

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來源 | 智東西

原文標(biāo)題：揭秘2020年半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況：七個變化，三大核心問題

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