寄生電容是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，一個(gè)電阻的串聯(lián)，低頻情況下表現(xiàn)不明顯，而高頻情況下，等效值會(huì)增大。在計(jì)算中我們要考慮進(jìn)去。

ESL就是等效電感，ESR就是等效電阻。不管是電阻，電容，電感，還是二極管，三極管，MOS管，還有IC，在高頻情況下要考慮到等效電容值，電感值。

我們可看做是我們的各個(gè)管腳之間都是串接了一個(gè)電容在其旁邊，如圖所示，由于MOS管背部存在寄生電容，這會(huì)影響到我們的MOS管的開關(guān)斷的時(shí)間。

故此，如果MOS的開關(guān)速度很快的情況下，建議選型優(yōu)先考慮到本身MOS管器件的內(nèi)部的寄生電容的影響。

如圖所示電容隨著VDS電壓的增加而減小，尤其是輸出電容和反向傳輸電容。當(dāng)電壓增加時(shí)，和VDS相關(guān)電容的減小來(lái)源于耗盡層電容減小，耗盡層區(qū)域擴(kuò)大。然而相對(duì)于CGD，CGS受電壓的影響非常小，CGD受電壓影響程度是CGS的100倍以上。