10月20日，深科技發布投資者調研相關信息，該公司已有深圳、蘇州、惠州、東莞、成都、馬來西亞、菲律賓等產業基地，公司產能持續擴張，東莞三期、重慶產業項目、桂林制造基地、馬來西亞二期均在建設中。

深科技作為目前國內唯一具有從集成電路高端DRAM / Flash晶圓封裝測試到模組成品生產完整產業鏈的企業，近年來持續發展先進封裝測試技術，深入推進國家級存儲項目，并與國內龍頭存儲芯片企業開展了全面的戰略合作。

據悉，深科技專注存儲封測16年，在存儲器DRAM方面具備世界最新一代的產品封測技術，封測技術水平與國際一流企業同步；在WBGA、FBGA、FCBGA存儲封裝形式的工藝水平始終保持緊跟世界先進水平，目前主力產品包括3D NAND，DDR4， LPDDR4等；封裝能力覆蓋存儲類全產品線，擁有精湛的多層堆疊封裝工藝技術；擁有強大的系統級SiP封測能力可支持5G技術，積極支持國內自主可控的芯片封測產業鏈。可基于現有系統級封裝技術，將不同功能不同種類的晶片整合到一個芯片內，實現設計特種功能。廣泛應用于多產品線與應用行業，比如5G芯片，射頻相關通訊類芯片，以及消費電子主芯片等應用。面對國內外存儲芯片向高速、低功耗、大容量發展的趨勢，公司繼續推動DDR5、GDDR5等新產品的技術開發。

值得關注的是，近期，深科技發布2020年度非公開發行A股股票預案，公司擬非公開發行不超89，328，225股股票，募資不超171，000萬元，扣除發行費用后將全部用于存儲先進封測與模組制造項目。

據了解，本項目技術來源于深科技全資子公司沛頓科技自主研發與長期積累，沛頓科技存儲芯片封裝制程采用的是當前高端產品的主流技術，如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系統級SiP封裝技術等，現有產品已實現多達16層的多晶堆疊技術，最大單顆芯片容量可達到256G。

目前，沛頓科技主要從事動態隨機存儲（DRAM）、閃存（Flash）芯片、嵌入式存儲產品、SSD和指紋邏輯芯片的封裝和測試業務，目前主要為wBGA、DDR3、DDR4，eMCP、USB、SSD閃存芯片以及指紋邏輯芯片等提供封測服務，是國內唯一具有從高端DRAM/Flash/SSD存儲芯片封測到模組、成品生產完整產業鏈的企業。

談及此項目的預期回報，深科技表示，據公司測算，該項目全面達產后，預計可實現年產值28.63億元，項目稅后內部收益率為15.22%，投資稅后靜態投資回收期為7.59年。

本項目實施后，可滿足客戶較大需求的DRAM、Flash存儲芯片封測以及DRAM內存模組制造業務，有助于國內存儲器芯片封測的深度國產化。隨著本次募投項目的實施，有利于打破國內存儲器領域對進口產品的依賴和技術壁壘，加速存儲器國產化替代進程，提升國產存儲器芯片的產業規模，促進我國存儲器產業鏈發展。
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