單純從名字上看，臺(tái)積電在工藝制成方面明顯領(lǐng)先于英特爾，不過(guò)情況似乎并不是這樣，此前英特爾也表示，臺(tái)積電的命名方式有爭(zhēng)議，并非按照實(shí)際物理數(shù)值。臺(tái)積電也表示，很早就不按照物理數(shù)值命名了。那么英特爾和臺(tái)積電的制程工藝差多少呢？ 一位加拿大博主拿來(lái)電子顯微鏡，專(zhuān)門(mén)對(duì)比了英特爾的14nm+++和臺(tái)積電的7nm，對(duì)應(yīng)產(chǎn)品為i9-10900K和銳龍9 3950X。結(jié)果比較有意思，雖然兩者命名差距很大，但從電子顯微鏡中看，兩者差別很小。

英特爾14nm+++和臺(tái)積電的7nm

英特爾14nm+++和臺(tái)積電的7nm 實(shí)際上英特爾14nm+++的晶體管柵格寬度為24nm，而臺(tái)積電7nm的晶體管柵格寬度為22nm，而且柵格高度也很相似。從數(shù)據(jù)上看臺(tái)積電7nm確實(shí)領(lǐng)先英特爾14nm+++，但領(lǐng)先幅度非常有限。如此看來(lái)，英特爾的10nm超越臺(tái)積電7nm是沒(méi)有問(wèn)題的，看來(lái)在營(yíng)銷(xiāo)方面，臺(tái)積電還是有一手啊。

原文標(biāo)題：電子顯微鏡下看英特爾14nm+++和臺(tái)積電7nm

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