提起技術(shù)領(lǐng)域最著名的信條，摩爾定律當(dāng)然不能不提。50多年以來，摩爾定律一直在說明和預(yù)測晶體管會縮小，就像約每兩年出現(xiàn)一個轉(zhuǎn)折點(diǎn)（稱為技術(shù)節(jié)點(diǎn)）一樣。就像一些基于物理原理的末日時鐘一樣，工程師們一直在設(shè)法使一塊硅片能容納的晶體管數(shù)量定期增加一倍，因此，節(jié)點(diǎn)的數(shù)量在過去幾十年里不斷減少。戈登?摩爾首次提出以他的名字命名的這一規(guī)律時，還沒有節(jié)點(diǎn)這種東西，那時一塊集成電路上只有約50個晶體管。不過，幾十年的努力加上數(shù)千億美元的投資后，我們的技術(shù)取得了巨大的進(jìn)步。如果你正在使用高端智能手機(jī)閱讀本文，那么你手機(jī)的處理器使用的技術(shù)就被稱為7納米節(jié)點(diǎn)。

這意味著1平方毫米的硅中有大約1億個晶體管。5納米節(jié)點(diǎn)制造的處理器現(xiàn)已經(jīng)在生產(chǎn)之中，行業(yè)領(lǐng)軍者可能正在致力于在10年內(nèi)生產(chǎn)出1納米節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。之后呢?

畢竟，1納米還不足5個硅原子的直徑寬。因此，我們有理由認(rèn)為摩爾定律很快便會消失，未來不會再出現(xiàn)半導(dǎo)體制造技術(shù)進(jìn)步帶來的處理能力上的進(jìn)一步飛躍，而固態(tài)硬件工程是一條沒有出路的職業(yè)道路。 不過事實(shí)并非如此。半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)系統(tǒng)描繪的圖景是錯誤的。7納米晶體管的大多數(shù)關(guān)鍵特性實(shí)際上比7納米大得多，而且這種命名法和物理現(xiàn)實(shí)之間脫節(jié)的情況已經(jīng)持續(xù)了約20年。雖然這并不是什么秘密，但確實(shí)會帶來一些不良的后果。 首先，對“節(jié)點(diǎn)”的持續(xù)關(guān)注掩蓋了一個事實(shí)，那就是即使互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）晶體管的幾何形狀無法再壓縮，半導(dǎo)體技術(shù)仍然能夠以切實(shí)可行的方式繼續(xù)推動計(jì)算能力的發(fā)展。

此外，對半導(dǎo)體發(fā)展而言，持續(xù)的以節(jié)點(diǎn)為中心的看法不能像過去那樣以行業(yè)刺激的方式為其指明前進(jìn)方向。最后，讓人難以釋懷的是，大量股票被投入到一個根本毫無意義的數(shù)字上。 我們已經(jīng)開始有更好的替代方式來記錄該行業(yè)的里程碑了。可是在這個眾所周知的競爭行業(yè)里，專家會團(tuán)結(jié)起來選擇其一嗎？希望他們會，這樣我們就能再次以有效的方式來衡量當(dāng)今世界上最大、最重要和最具活力的產(chǎn)業(yè)之一的進(jìn)步。

那么，對于這一項(xiàng)可以說是過去百年來最重要的技術(shù)，我們是怎樣讓它的進(jìn)步仿佛是自然而然走到終點(diǎn)的？自1971年英特爾4004微處理器發(fā)布以來，金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管的體積縮小了大約1/1 000，而單塊芯片上的晶體管數(shù)量增加了約1 500萬倍。衡量這種集成密度上的極大進(jìn)步的指標(biāo)主要是尺寸，即金屬半節(jié)距和柵極長度。在很長一段時間里，它們的數(shù)字都差不多。 金屬半節(jié)距是芯片上從一個金屬互連開始到下一個金屬互連開始的距離的一半。在近十年來仍占主導(dǎo)地位的二維晶體管或“平面”晶體管設(shè)計(jì)中，柵極長度表示晶體管的源極和漏極之間的空間。這個空間里有柵極堆棧，它控制著源極和漏極之間的電子流。從歷史上來看，它是決定晶體管性能最重要的標(biāo)準(zhǔn)，因?yàn)闁艠O較短的設(shè)備開關(guān)速度更快。

在柵極長度和金屬半節(jié)距大致相等的年代，它們代表了芯片制造工藝的關(guān)鍵特征，也就是節(jié)點(diǎn)數(shù)。通常每一代芯片上的這些特征會縮小30%。尺寸大大縮小能夠使晶體管密度增加1倍，因?yàn)榫匦蔚膞和y邊減小30%意味著其面積減半。

在20世紀(jì)70和80年代，使用柵極長度和半節(jié)距作為節(jié)點(diǎn)數(shù)一直很有用，但在90年代中期，這兩個特征開始剝離。為了繼續(xù)大幅度提高速度和硬件效率，芯片制造商在縮小柵極長度方面比處理硬件的其他特征更積極。例如，使用130納米節(jié)點(diǎn)制造的晶體管，其柵極實(shí)際上只有70納米。其結(jié)果是摩爾定律中的密度倍增延續(xù)下來，但柵極長度不成比例地縮小了。

不過，業(yè)內(nèi)在很大程度上還是延續(xù)著舊的節(jié)點(diǎn)命名慣例。 21世紀(jì)初的發(fā)展進(jìn)一步拉大了這種差距，因?yàn)樘幚砥饔龅搅撕碾娏康南拗啤９こ處焸冞€是在不斷改進(jìn)硬件。例如，讓晶體管的一部分硅受到應(yīng)力作用，使載流子在較低的電壓下更快地通過，從而提高CMOS設(shè)備的速度和功率效率，且不用大大縮短柵極長度。 當(dāng)電流泄漏問題迫使人們調(diào)整CMOS晶體管結(jié)構(gòu)時，情況更奇怪了。在2011年，英特爾在22納米節(jié)點(diǎn)上改用鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）時，設(shè)備的柵極長度為26納米，半節(jié)距為40納米，鰭片寬度為8納米。 該行業(yè)的節(jié)點(diǎn)數(shù)“那時絕對沒有意義，因?yàn)榕c你的任務(wù)真正有關(guān)的晶粒，其任何尺寸都與節(jié)點(diǎn)數(shù)無關(guān)”，IEEE終身會士、英特爾的老將保羅?加吉尼（Paolo Gargini）說，他正在負(fù)責(zé)提出新的衡量標(biāo)準(zhǔn)。

半導(dǎo)體行業(yè)需要更好的技術(shù)，這是一種廣泛的共識，雖然這種共識并不普遍。有一種解決方案是簡單地根據(jù)晶體管重要實(shí)際特征的尺寸來重新調(diào)整命名。這并非是指依據(jù)柵極長度調(diào)整，因?yàn)樗巡皇亲钪匾奶卣鳌Ｏ喾矗藗兘ㄗh使用另外兩種參數(shù)，它們代表了制造邏輯晶體管所需區(qū)域的實(shí)際限制。一種參數(shù)叫接觸柵距，是指從一個晶體管的柵極到另一個晶體管柵極的最小距離。另一個重要的參數(shù)是金屬間距，是指兩個水平互連之間的最小距離。（沒有理由再將金屬間距分成兩半，因?yàn)闁艠O長度如今也不那么相關(guān)了。） 安謀國際科技股份有限公司（Arm）的首席研究工程師布萊恩?克萊恩（Brian Cline）解釋說，這兩個值是創(chuàng)造新過程節(jié)點(diǎn)中的邏輯的“最小公分母”。

這兩個值的乘積很好地估算了晶體管的最小可能面積。每一個其他設(shè)計(jì)步驟（形成邏輯或SRAM單元、電路模塊）都會增加這一最小可能面積。他說：“良好的邏輯過程加上深思熟慮的物理設(shè)計(jì)特性，將使該值得到最小程度的降低。” 2020年4月，IEEE國際器件與系統(tǒng)路線圖（IRDS）主席保羅?A. 加吉尼（Paolo A. Gargini）提出使用一種包含3個數(shù)字的指標(biāo)讓該行業(yè)“回歸現(xiàn)實(shí)”，該指標(biāo)結(jié)合了接觸柵距（G）、金屬間距（M）和芯片上器件的層數(shù)（T，該數(shù)字對未來的芯片至關(guān)重要）。IRDS的前身是國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖（ITRS），ITRS是一個持續(xù)了幾十年的行業(yè)級組織，目前已不復(fù)存在，它曾預(yù)測了未來節(jié)點(diǎn)的各個方面，使相關(guān)行業(yè)及其供應(yīng)商有了統(tǒng)一的目標(biāo)。

“評估晶體管密度時只需要知道這3個參數(shù)。”加吉尼說，他也曾是ITRS的負(fù)責(zé)人。 IRDS的路線圖顯示，即將推出的5納米芯片有著48納米的接觸柵距、36納米的金屬間距，且為單層，因此其指標(biāo)為G48M36T1。雖然該命名尚未真正落實(shí)，但其傳達(dá)的信息比“5納米節(jié)點(diǎn)”更有用。 與節(jié)點(diǎn)命名法一樣，該GMT度量標(biāo)準(zhǔn)中的接觸柵距和金屬間距值會在10年里繼續(xù)縮小。不過其縮小速度會越來越慢，按照目前的發(fā)展速度，大約會在10年后達(dá)到終點(diǎn)。到那時，金屬間距將接近遠(yuǎn)紫外線光刻能達(dá)到的極限。雖然上一代光刻機(jī)的成本效益遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了193納米波長的限制，但遠(yuǎn)紫外線可能達(dá)不到這種程度。

“光刻工藝大約會在2029年達(dá)到極限。”加吉尼說，在那之后，“進(jìn)步方式就是堆疊……這是提高密度的唯一方法。”

此時層數(shù)（T）開始變得重要。如今先進(jìn)的硅CMOS是單層晶體管，這些晶體管由十多層金屬互連連接成電路。如果能制造出兩層晶體管，我們就能一舉將設(shè)備的密度提高1倍。

對于硅CMOS來說，相關(guān)技術(shù)目前還處于實(shí)驗(yàn)室階段，但其問世的時間應(yīng)該不會太遠(yuǎn)。十年多來，工業(yè)研究人員一直在探索“整體式3D集成電路”芯片，它由一層層搭建的晶體管組成。這并不容易，因?yàn)楣杼幚頊囟韧ǔ：芨撸ㄔ煲粚涌赡軙茐牧硪粚印１M管如此，一些工業(yè)研究機(jī)構(gòu)（尤其是比利時的納米技術(shù)研究公司（Imec）、法國的CEA-Leti和美國的英特爾）正在開發(fā)一種可以在CMOS邏輯上疊加建造通道金屬氧化半導(dǎo)體（NMOS）和P溝道金屬氧化半導(dǎo)體（PMOS）這兩種晶體管的技術(shù)。 即將到來的非硅技術(shù)甚至可以更快地實(shí)現(xiàn)3D構(gòu)建。例如，麻省理工學(xué)院的馬克斯?舒勒克（Max Shulaker）教授和他的同事已經(jīng)在開發(fā)依靠碳納米晶體管層的3D芯片。

由于可以在相對較低的溫度下加工這些器件，所以其多層搭建比硅設(shè)備中的多層搭建更容易。 另一些人則致力于在硅上的金屬互連層內(nèi)構(gòu)建邏輯或存儲單元，包括微型機(jī)械繼電器和薄如原子的半導(dǎo)體（如二硫化鎢）制成的晶體管。

大約1年前，一群著名的學(xué)者相聚在加州大學(xué)伯克利分校，提出了他們自己的度量標(biāo)準(zhǔn)。 這個非正式小組的成員包括半導(dǎo)體研究領(lǐng)域的一些大名鼎鼎的人物。2019年6月會議上的3位加州大學(xué)伯克利分校工程師都參與了FinFET項(xiàng)目，分別是胡正明、金智杰（Tsu-Jae King Liu）、杰弗里?博科（Jeffrey Bokor）。博科是該校電氣工程系的主席，胡正明曾擔(dān)任世界上最大的半導(dǎo)體制造公司臺積電（TSMC）的技術(shù)總監(jiān)，2020年獲得了IEEE榮譽(yù)勛章。金智杰是工程學(xué)院院長，也是英特爾董事會的董事。來自加州大學(xué)伯克利分校的與會者沙耶夫?薩拉赫丁（Sayeef Salahuddin）則是開發(fā)鐵電裝置的先驅(qū)。

斯坦福大學(xué)的小組成員包括黃漢森，他是教授，也是臺積電的企業(yè)研究副總裁；蘇哈西什?米特拉（Subhasish Mitra），發(fā)明了一項(xiàng)重要的自測技術(shù)，并與黃漢森合作開發(fā)了第一臺基于碳納米管的計(jì)算機(jī)；詹姆斯?D. 普盧默（James D. Plummer），英特爾的前董事會成員，也是斯坦福大學(xué)任職時間最長的工程系院長。此外，臺積電的研究員凱雷姆?阿卡爾瓦達(dá)爾（Kerem Akarvardar）和麻省理工學(xué)院的迪米特里?安東尼迪斯（Dimitri Antonidis）隨后也加入了該小組。 金智杰說，他們都感到自己所在的領(lǐng)域?qū)?yōu)秀學(xué)生，尤其是美國學(xué)生的吸引力正在下降。這種現(xiàn)狀背后的邏輯似乎很簡單：如果一個領(lǐng)域從現(xiàn)在起的10年內(nèi)都不可能取得進(jìn)步，那么為什么還要花4～6年的時間來進(jìn)行相關(guān)學(xué)習(xí)？

她表示，當(dāng)“我們需要越來越多的創(chuàng)新解決方案來繼續(xù)推動計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展”時，這種對優(yōu)秀學(xué)生缺乏吸引力的現(xiàn)象就出現(xiàn)了。 專家們希望能找到一種可以打破節(jié)點(diǎn)“末日時鐘氛圍”的度量標(biāo)準(zhǔn)。他們認(rèn)為，最重要的是這個度量應(yīng)該沒有自然終點(diǎn)。換句話說，數(shù)量應(yīng)該隨著技術(shù)進(jìn)步上升，而不是下降。它還必須簡單、準(zhǔn)確，而且要與提高半導(dǎo)體技術(shù)的主要目的（即擁有更強(qiáng)大的計(jì)算系統(tǒng)）相關(guān)。 要實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)，他們希望不僅僅是像IRDS的GMT度量標(biāo)準(zhǔn)那樣只描述制造處理器所使用的技術(shù)。他們想要的指標(biāo)不僅要能考慮處理器，還能考慮影響整個計(jì)算機(jī)系統(tǒng)性能的其他關(guān)鍵因素。這可能看起來過于雄心勃勃，但它卻與計(jì)算機(jī)正在發(fā)展的方向吻合。

打開英特爾Stratix 10現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的封裝，你會發(fā)現(xiàn)它不僅僅是一個FPGA處理器。在封裝內(nèi)，處理器晶粒被一系列“小芯片”包圍，值得注意的是，其中有兩個高帶寬動態(tài)隨即存取存儲器（DRAM）芯片。其中，一小片硅蝕刻了密集的互連線陣列，將處理器連接到存儲器。 計(jì)算機(jī)最基本的就是邏輯、存儲以及它們之間的連接。為了形成新的度量方法，黃漢森和他的同事選擇將每個組件的密度作為參數(shù)，稱為DL、DM和DC，把腳注連在一起，稱其為LMC度量。 LMC度量的提出者表示，DL、DM和DC的改進(jìn)共同對計(jì)算系統(tǒng)的總體速度和能源效率起主要作用，特別是在當(dāng)今以數(shù)據(jù)為中心的計(jì)算時代。他們繪制了歷史數(shù)據(jù)，揭示了邏輯、存儲和連通性的增長之間的關(guān)聯(lián)，這種關(guān)聯(lián)表明DL、DM和DC的平衡增長已經(jīng)持續(xù)了幾十年。他們認(rèn)為，這種平衡隱含在計(jì)算機(jī)架構(gòu)中，而且令人驚訝的是，它適用于復(fù)雜程度不同的各類計(jì)算系統(tǒng)（從移動和桌面處理器到世界上運(yùn)行速度最快的超級計(jì)算機(jī)）。黃漢森說，這種均衡的增長表明，未來也需要類似的改善。

在LMC度量中，DL是邏輯晶體管的密度，即每平方毫米的元件數(shù)量。DM是一個系統(tǒng)的主要存儲單元的密度，即每平方毫米的存儲單元，DC是邏輯與主存儲器之間的連接密度，即每平方毫米的互連數(shù)量。如果有多層器件或3D芯片堆棧，那么該平方毫米上的整個體積就顯得很重要。 DL也許這三者中我們最熟悉的，因?yàn)樽詮牡谝粋€集成電路問世以來，人們就一直在計(jì)算芯片上的晶體管數(shù)量。這聽起來很簡單，其實(shí)不然。處理器上不同類型的電路密度不同，很大程度上是因?yàn)檫B接設(shè)備的互連。邏輯芯片最密集的部分通常是構(gòu)成處理器緩存的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM），它會存儲數(shù)據(jù)以便快速重復(fù)訪問。

這些緩存是很大的六晶體管單元列陣，這些單元緊密地封裝在一起的一部分原因是它們很規(guī)則。按照這種衡量方法，目前最高的DL是一個135兆比特的SRAM陣列，它使用的是臺積電的5納米工藝，其封裝相當(dāng)于每平方毫米2.86億個晶體管。按照擬議命名法，它稱為“286M”。 不過邏輯塊比嵌入其中的SRAM更復(fù)雜、更不統(tǒng)一，也更不密集。因此僅憑SRAM判斷一項(xiàng)技術(shù)可能不公平。2017年，時任英特爾高級研究員的馬克?波爾（Mark Bohr）提出了一個使用一些普通邏輯單元加權(quán)密度的公式。該公式考慮了一種簡單且普遍存在的雙輸入四晶體管NAND柵極和一種叫做掃描觸發(fā)器的常見但較復(fù)雜電路的單位面積晶體管計(jì)數(shù)。該公式根據(jù)典型設(shè)計(jì)中這種小柵極和大單元的比例來計(jì)算其重量，得出一個每平方毫米晶體管的結(jié)果。波爾當(dāng)時說，SRAM的密度不同，所以應(yīng)該分開測量。 根據(jù)超微半導(dǎo)體公司（AMD）高級研究員凱文?吉萊斯皮（Kevin Gillespie）的說法，AMD內(nèi)部也使用了類似的方式。

他說，如果一種衡量方式不考慮設(shè)備是如何連接的，那它就不準(zhǔn)確。 幾位專家則單獨(dú)提出了另一種可能性，即測量一些互相認(rèn)可的、大塊半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的平均密度，如安謀的一種廣泛可用的處理器設(shè)計(jì)。 事實(shí)上，安謀的克萊因稱，安謀放棄了嘗試使用單一度量，轉(zhuǎn)而從完整的處理器設(shè)計(jì)中提取功能電路塊的密度。他說：“我認(rèn)為不存在能夠適用于所有硬件應(yīng)用的、一刀切的邏輯密度度量方法。”因?yàn)樾酒拖到y(tǒng)的類型多種多樣。他指出，不同類型的處理器（CPU、GPU、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器、數(shù)字信號處理器）具有不同的邏輯和靜態(tài)存儲器比率。 最后，LMC的發(fā)起者選擇不指定某種特定的度量方法測量DL，將其留給業(yè)內(nèi)討論。

測量DM比較簡單。目前，主存儲通常指的是DRAM，因?yàn)樗鼉r格便宜、耐用、讀寫速度相對較快。 一個DRAM單元包括控制著電容器訪問的單個晶體管，而電容器將比特存儲為電荷。電荷會隨著時間的推移而泄漏，因此必須定期刷新單元。如今，電容器建立在硅上方的互連層，因此密度不僅受晶體管尺寸的影響，還受互連的幾何形狀的影響。LMC小組在已出版文獻(xiàn)中能找到的最高DM值來自三星。2018年，該公司詳細(xì)介紹了DRAM技術(shù)，其密度為每平方毫米2億個單元（200M）。 DRAM可能也無法一直維持在主存儲器中的地位。可替代的存儲器技術(shù)（如磁阻RAM、鐵電RAM、電阻RAM和相變RAM）現(xiàn)在已經(jīng)投入商業(yè)生產(chǎn)，有些是嵌入處理器的存儲器，有些是獨(dú)立芯片。

當(dāng)今的計(jì)算系統(tǒng)中，在主存儲器和邏輯之間提供充足的連接是主要瓶頸。從歷史上來看，人們一直采用封裝級技術(shù)來制造處理器和存儲之間的互連（DC所衡量的內(nèi)容），而不是采用芯片制造技術(shù)。與邏輯密度和存儲密度相比，幾十年來DC的改善并不穩(wěn)定。相反，隨著新封裝技術(shù)的引入和精進(jìn)，DC的提高呈現(xiàn)出非連續(xù)的特點(diǎn)。近十年來的變化尤其大，片上系統(tǒng)（SoC）已經(jīng)開始給緊密結(jié)合在硅中介層（稱為2.5D系統(tǒng)）上或堆疊在3D結(jié)構(gòu)上的小芯片讓路。目前已知的最高DC來自采用臺積電集成芯片系統(tǒng)3D芯片堆疊技術(shù)制造的系統(tǒng)，該系統(tǒng)每平方毫米有1.2萬個互連（12K）。 不過，DC不一定要將邏輯連接到一個單獨(dú)的存儲芯片上。在某些系統(tǒng)中，主存儲器是完全嵌入的。例如，Cerebras系統(tǒng)的機(jī)器學(xué)習(xí)大型芯片完全依賴嵌入在一塊巨大硅片上的邏輯磁芯附近的SRAM。 LMC的提出者建議，將結(jié)合DL、DM和DC這3個最佳參數(shù)的系統(tǒng)命名為260M、200M、12K。

英特爾的首席技術(shù)官邁克爾?梅伯里（Michael Mayberry）認(rèn)為，用一個數(shù)字來描述半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)先進(jìn)程度的時代已經(jīng)一去不復(fù)返了。不過，原則上他還是贊成我們要有一個全面的系統(tǒng)級度量方式。他說：“選擇即使不完美但已經(jīng)達(dá)成一致的方式，也比當(dāng)前的節(jié)點(diǎn)命名法更有用。” 他希望LMC能夠得到進(jìn)一步的擴(kuò)展，明確需要測量什么以及如何測量。例如，關(guān)于DM值，梅伯里說它可能需要與具體存儲器相關(guān)，該存儲器應(yīng)與其服務(wù)的處理器位于相同的芯片封裝。他補(bǔ)充說，“主存儲器”的內(nèi)容可能也需要微調(diào)。將來，處理器和數(shù)據(jù)存儲設(shè)備之間可能會存在多層存儲器。例如，英特爾和美光制造了3D XPoint存儲器，這是一種介于DRAM和存儲器之間的非易失系統(tǒng)。

進(jìn)一步的批評之聲則提出，像LMC這種基于密度的度量標(biāo)準(zhǔn)和GMT這種基于光刻技術(shù)的度量標(biāo)準(zhǔn)都偏離了晶圓用戶和內(nèi)存芯片制造商的需求。AMD的吉萊斯皮說：“除了面積（密度），還有性能、功率和成本。”每一個芯片設(shè)計(jì)都圍繞著這4個因素進(jìn)行權(quán)衡，“沒有哪個單獨(dú)的數(shù)字能夠說明節(jié)點(diǎn)的好壞。”梅伯里補(bǔ)充道。 全球第三大DRAM制造商美光科技的高級研究員兼副總裁古特伊?辛格?桑杜（Gurtej Singh Sandhu）說：“內(nèi)存和存儲最重要的衡量標(biāo)準(zhǔn)還是每比特的成本。其他幾個因素（包括基于特定市場應(yīng)用的各種性能指標(biāo)）也在密切考慮之內(nèi)。” 還有人甚至認(rèn)為目前無需新的度量標(biāo)準(zhǔn)。格羅方德公司負(fù)責(zé)工程和質(zhì)量的高級副總裁格雷格?巴特利特（Gregg Bartlett）表示，這些措施“只對以規(guī)模化為主導(dǎo)的應(yīng)用有用”，該公司于2018年放棄了對7納米工藝的追求。

“只有少數(shù)幾家公司從事這方面的生產(chǎn)，客戶和應(yīng)用的數(shù)量也有限，因此它與絕大多數(shù)半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)聯(lián)度較低。”只有英特爾、三星和臺積電在追求最后幾個CMOS邏輯節(jié)點(diǎn)，這幾家公司都不是小角色，它們在全球半導(dǎo)體生產(chǎn)中占有重要地位。 巴特利特的公司并不屬于這一行列，他認(rèn)為，CMOS邏輯與專業(yè)技術(shù)（例如嵌入式非易失存儲器和毫米波無線電等）結(jié)合對該行業(yè)的未來比規(guī)模化更重要。

毫無疑問，持續(xù)的規(guī)模化對許多半導(dǎo)體消費(fèi)者都很重要。LMC度量和GMT度量的提出者都有一種緊迫感，不過原因不同。對于黃漢森和LMC的支持者來說，在一個晶體管規(guī)模化不再那么重要的時代，該行業(yè)需要明確自己的長期未來，這樣他們才能招募到技術(shù)人才來實(shí)現(xiàn)這一領(lǐng)域的未來。 對于加吉尼和GMT的支持者來說，此舉是為了讓該行業(yè)步入正軌。在他看來，度量不同步，行業(yè)的效率就較低。“這會提高失敗的可能性。”他說。“再過10年”，硅CMOS的縮小就會完全止步，我們?nèi)〉帽匾黄埔岳^續(xù)提高計(jì)算能力的時間“并不充裕”。

原文標(biāo)題：我們有比摩爾定律更好的方法來衡量技術(shù)進(jìn)步

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