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基于FPS的離線反激式轉(zhuǎn)換器的分步設(shè)計

電子設(shè)計 ? 來源:飛兆半導(dǎo)體 ? 作者:飛兆半導(dǎo)體 ? 2021-05-21 10:17 ? 次閱讀
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本應(yīng)用筆記介紹了使用飛兆半導(dǎo)體電源開關(guān)(FPS)的離線反激式轉(zhuǎn)換器的分步設(shè)計程序和指南。使用包含本文中使用的所有方程式的FPSdesign輔助軟件,可以使設(shè)計過程更加高效。通過構(gòu)建和測試的轉(zhuǎn)換器原型驗證了設(shè)計過程的有效性。

介紹

圖1顯示了使用FPS的基本離線反激轉(zhuǎn)換器的原理圖,該轉(zhuǎn)換器還用作本文描述的設(shè)計過程的參考電路。由于MOSFET和PWM控制器以及各種附加電路都集成在一個封裝中,因此SMPS的設(shè)計比分立MOSFET和PWM控制器解決方案容易得多。本文提供了基于FPS的離線反激式轉(zhuǎn)換器的分步設(shè)計過程,其中包括設(shè)計變壓器和輸出濾波器,選擇組件并閉合反饋環(huán)路。本文描述的設(shè)計過程足夠通用,可以應(yīng)用于各種應(yīng)用。本文介紹的設(shè)計過程也可通過軟件設(shè)計工具(FPS設(shè)計助手)實現(xiàn),以使工程師能夠在短時間內(nèi)完成SMPS設(shè)計。在附錄中,提供了使用軟件工具的分步設(shè)計示例。設(shè)計實例中的實驗反激轉(zhuǎn)換器已經(jīng)構(gòu)建并經(jīng)過測試,以證明設(shè)計過程的有效性。

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使用FPS的基本離線反激轉(zhuǎn)換器

分步設(shè)計程序

在本節(jié)中,將使用圖1的示意圖作為參考來介紹設(shè)計過程。通常,大多數(shù)FPS器件從引腳1到引腳4具有相同的引腳配置,如圖1所示。詳細(xì)的設(shè)計過程如下:

1.步驟1:定義系統(tǒng)規(guī)格。

線電壓范圍(Vline(最小值)和Vline(最大值))。

線路頻率(fL)。

最大輸出功率(Po)。

估計效率(Eff):需要估計功率轉(zhuǎn)換效率以計算最大輸入功率。如果沒有參考數(shù)據(jù),則對于低壓輸出應(yīng)用,將Eff = 0.7?0.75設(shè)置;對于高壓輸出應(yīng)用,將Eff = 0.8?0.85設(shè)置

2.步驟2:確定直流母線電容器(CDC)和直流母線電壓范圍。

對于通用輸入范圍(85-265 Vrms),通常將直流鏈路電容器選擇為每瓦輸入功率2-3uF,對于歐洲輸入范圍(195 V-265 Vrms),選擇每瓦輸入功率1 uF。

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直流母線電壓波形。

3.步驟3:確定最大占空比(Dmax)。
反激轉(zhuǎn)換器具有兩種工作模式:連續(xù)傳導(dǎo)模式(CCM)和不連續(xù)傳導(dǎo)模式(DCM)。CCM和DCM分別具有各自的優(yōu)點和缺點。通常,DCM為整流二極管提供了更好的開關(guān)條件,因為這些二極管正好在變?yōu)榉聪蚱弥熬鸵粤?a href="http://m.xsypw.cn/tags/電流/" target="_blank">電流工作。使用DCM可以減小變壓器的尺寸,因為與CCM相比,其平均能量存儲量較低。但是,DCM會固有地導(dǎo)致高RMS電流,這會增加MOSFET的傳導(dǎo)損耗和輸出電容器上的電流應(yīng)力。因此,通常建議將DCM用于高壓和小電流輸出應(yīng)用。同時,CCM是低壓和大電流輸出應(yīng)用的首選。

pIYBAGCnF6-AaGJoAACD4IMZGME368.png

DCM反激式轉(zhuǎn)換器的電流波形。

對于CCM反激式轉(zhuǎn)換器,設(shè)計過程很簡單,因為輸入至輸出電壓增益僅取決于占空比。同時,DCM反激式轉(zhuǎn)換器的輸入至輸出電壓增益不僅取決于占空比,還取決于負(fù)載條件,這使電路設(shè)計有些復(fù)雜。但是,通常公認(rèn)的是,DCM反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計為以最小輸入電壓和最大負(fù)載在DCM和CCM的邊界工作,如圖3所示。這使MOSFET的導(dǎo)通損耗最小。因此,在這種情況下,我們可以使用與CCM反激式轉(zhuǎn)換器相同的電壓增益公式,以最大的負(fù)載和最小的輸入電壓

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輸出電壓反射到初級。

4.步驟4:確定變壓器的初級側(cè)電感(Lm)。

隨著負(fù)載條件和輸入電壓的變化,操作會在CCM和DCM之間變化。對于這兩種工作模式,設(shè)計變壓器一次側(cè)電感(Lm)的最壞情況是滿負(fù)載和最小輸入電壓條件。

5.步驟5:考慮輸入功率和峰值漏極電流,選擇適當(dāng)?shù)腇PS。

利用由此產(chǎn)生的MOSFET的最大峰值漏極電流(Ids(peak)),選擇適當(dāng)?shù)腇PS,其逐脈沖電流限制水平I(over)高于Ids(peak)。由于FPS的I(over)公差為±12%,因此在選擇合適的FPS器件時應(yīng)留有余地。軟件設(shè)計工具中還包括具有合適額定功率的FPS系列

6.步驟6:確定正確的磁芯和最小的初級匝數(shù)。

實際上,由于變量太多,最初選擇核必定是粗略的。選擇合適的磁芯的一種方法是參考制造商的磁芯選擇指南。如果沒有適當(dāng)?shù)膮⒖迹埵褂帽?作為起點。表1中推薦的內(nèi)核典型用于通用輸入范圍,67 kHz開關(guān)頻率和單輸出應(yīng)用。當(dāng)輸入電壓范圍為195-265 Vac或開關(guān)頻率高于67kHz時,可以使用較小的磁芯。對于具有多個輸出的應(yīng)用,通常應(yīng)使用比表中建議的更大的內(nèi)核。

編輯:hfy

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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