TH8061的電壓調(diào)節(jié)器是具有p-FET傳輸晶體管的低壓降調(diào)節(jié)器（LDO）。這種調(diào)節(jié)器具有一個(gè)基本極點(diǎn)，該極點(diǎn)是由內(nèi)部頻率補(bǔ)償引起的。附加極點(diǎn)取決于負(fù)載電阻器和負(fù)載容量。這個(gè)額外的極點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致調(diào)節(jié)器的性能不穩(wěn)定。

為了補(bǔ)償該極點(diǎn)，必須將其插入零位。這必須通過與負(fù)載容量串聯(lián)的外部電阻器來完成。為了進(jìn)行這種補(bǔ)償，使用了負(fù)載容量的等效串聯(lián)電阻（ESR）。該ESR電阻值是每個(gè)實(shí)際電容的特性，并在環(huán)路放大內(nèi)產(chǎn)生零，因此可以補(bǔ)償負(fù)移的影響。

結(jié)論是，調(diào)節(jié)器僅在包括有效ESR范圍的負(fù)載電阻RL和負(fù)載容量CL的定義限制內(nèi)顯示穩(wěn)定的行為。負(fù)載電阻的范圍由應(yīng)用定義，因此只能通過調(diào)整CL和ESR來進(jìn)行補(bǔ)償。

負(fù)載電容選擇

穩(wěn)壓器由輸出電容器CL穩(wěn)定。TH8061在5 V輸出上至少需要2.2 μF的電容。為了確保穩(wěn)定性，該電容器應(yīng)在整個(gè)應(yīng)用溫度范圍內(nèi)將其ESR保持在ESR曲線的穩(wěn)定區(qū)域（圖1）。輸出電容器應(yīng)在溫度，電壓和頻率范圍內(nèi)具有良好的容差。這意味著，隨著工作溫度的降低，這些電容器類型會(huì)降低容量并增加ESR。

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