10月底，湖北武漢發改委發布2020年市級重大項目計劃表，包括162個重大在建項目計劃、90個重大新開工項目計劃、以及49個重大前期項目計劃，涵蓋多個集成電路產業項目。

其中，重大在建項目計劃中包括：總投資815億元的國家存儲器基地 （一期）項目和總投資135.7億元的武漢新芯12英寸集成電路生產線項目二期工程項目等。

國家存儲器基地（一期）項目，落地于武漢東湖高新區的武漢未來科技城，一期項目計劃總投資815億元，2020年計劃投資50億元，在2016年12月30日正式開工建設，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產廠房，預計2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片／月，年產值將超過100億美元。

武漢新芯12英寸集成電路生產線項目二期工程，武漢新芯集成電路制造有限公司于2018年8月28日啟動二期集成電路生產線擴產項目，預計總投資135.7億元，2020年計劃投資3億元。該項目將建設自主代碼型閃存、微控制器和三維特種工藝三大業務平臺，進軍物聯網市場。
責任編輯:tzh