2018年,中電化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶(hù)在杭州灣新區(qū)。目前,該項(xiàng)目的6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片已進(jìn)入客戶(hù)認(rèn)證階段。預(yù)計(jì)最快明年便能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 按照計(jì)劃,這個(gè)全浙江省首個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)能將達(dá)8萬(wàn)片,達(dá)產(chǎn)后的年銷(xiāo)售額可達(dá)6億元。 杭州灣新區(qū)開(kāi)發(fā)區(qū)投資合作局副局長(zhǎng)林直表示,目前,寧波正全力打造10條國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、具有國(guó)際影響力的標(biāo)志性產(chǎn)業(yè)鏈,其中,集成電路便是其中重要的一條。
以中電化合物半導(dǎo)體為主的第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目將進(jìn)一步完善、強(qiáng)化杭州灣新區(qū)乃至全市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈,有助于寧波搶占新一代信息技術(shù)制高點(diǎn)。 當(dāng)前,第一代半導(dǎo)體材料在輸出功率方面已達(dá)極限,要提高功率只能增大器件體積,并留出足夠散熱空間,第三代半導(dǎo)體材料即以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生,從根本上解決功率與體積的矛盾,成為半導(dǎo)體技術(shù)研究前沿和競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。
主要應(yīng)用于5G通訊、新能源汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。 隨著5G、新能源汽車(chē)等產(chǎn)業(yè)的不斷推動(dòng),我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)高速增長(zhǎng)。2019年市場(chǎng)規(guī)模7.86億元,同比增長(zhǎng)31.7%,未來(lái)三年仍將保持20%以上的增速;2019年,我國(guó)第三代半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模86.29億元,增長(zhǎng)率99.7%,至2022年,市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到608.21億元,增長(zhǎng)率78.4%。 我國(guó)計(jì)劃在2021—2025年期間,把大力支持發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫(xiě)入正在制定的“十四五”規(guī)劃。將在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等各個(gè)方面,大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體行業(yè)。
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